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ELECTRICAL FAILURE ANALYSIS
ELITE System
Lock-In IR Thermography system for localization of defects in semiconductor devices.
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The rapid innovations in advanced 2.5D and 3D packaging, complex interconnect schemes, and higher-performance power devices are creating unprecedented failure localization and analysis challenges. Defective semiconductor devices often show a variation in the local power dissipation, leading to local temperature increases. The Thermo Scientific ELITE System utilizes lock-in IR thermography (LIT) to accurately and efficiently locate these areas of interest and provide non-destructive 3D device insights. The ELITE System’s optics and InSb camera are specifically designed to achieve high localization resolution and sensitivity and solve the most difficult analytical challenges.
LIT, a form of dynamic IR thermography, provides maximum signal-to-noise ratio, increased sensitivity, and higher feature resolution compared to steady-state thermography. It is the ideal solution for the localization and analysis of line shorts, ESD defects, oxide damage, defective transistors, diodes, and device latch-ups. An optional laser scanning microscope enables high-resolution OBIRCH to complement the ELITE System’s thermal analysis capabilities.
The ELITE System is also available in the VX configuration, which provides all the features required for localizing defects in advanced power devices based on Si, SiC, or GaN technologies.
On-demand Spark Webinar: Semiconductor Packaging Challenges
- Very high sensitivity, InSb camera, and thermal emission optics enable nondestructive, through-package, and stacked die analysis
- Real-time lock-in measurement
- Contactless absolute temperature mapping
- Optical beam-induced resistance change (OBIRCH) option
- High-voltage power device analysis option (VX)
Hoja de estilo para las especificaciones de la tabla de productos
Lateral resolution |
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Depth resolution |
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| Defect types |
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Sample types |
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FOV |
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DUT stimulation |
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Time to results |
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*Performance may vary depending on sample and specific setup.
Style Sheet for Komodo Tabs
The ability to locate a thermal source in 3D makes the ELITE system well-suited for stacked-die analysis.
Sensitivity varies with power level.
The ability to locate a thermal source in 3D makes the ELITE system well-suited for stacked-die analysis.
Sensitivity varies with power level.
Desarrollo y trazabilidad de semiconductores
Microscopía electrónica avanzada, haz de iones enfocado y técnicas analíticas asociadas para identificar soluciones viables y métodos de diseño para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
Metrología y rampa de producción
Ofrecemos capacidades analíticas avanzadas para el análisis de defectos, metrología y control de procesos, diseñadas para ayudar a aumentar la productividad y mejorar el rendimiento en una amplia gama de aplicaciones y dispositivos semiconductores.
Análisis de fallos de semiconductores
Las estructuras de dispositivos semiconductores cada vez más complejas dan lugar a que existan más ubicaciones en las que se oculten los defectos inducidos por fallos. Nuestros flujos de trabajo de última generación le ayudarán a localizar y caracterizar los sutiles problemas eléctricos que afectan a la producción, al rendimiento y a la fiabilidad.
Cualificación de semiconductor ESD
Se necesita un plan de control de descarga electrostática (ESD) para identificar los dispositivos que son sensibles a ESD. Ofrecemos un conjunto completo de sistemas de prueba para ayudarle con los requisitos de cualificación de su dispositivo.
Caracterización física y química
La demanda continua de los consumidores impulsa la creación de dispositivos electrónicos más pequeños, más rápidos y más baratos. Su producción se basa en instrumentos y flujos de trabajo de alta productividad que generan imágenes, analizan y caracterizan una amplia gama de semiconductores y dispositivos de visualización.
Aislamiento de fallo térmico
La distribución desigual de la disipación de energía local puede causar aumentos de temperatura importantes y localizados, lo que provoca un fallo del dispositivo. Ofrecemos soluciones únicas para el aislamiento de fallos térmicos con termografía infrarroja de alta sensibilidad (LIT).
Aislamiento de fallo térmico
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Servicios de microscopía electrónica para
Semiconductores
Para garantizar un rendimiento óptimo del sistema, le proporcionamos acceso a una red de expertos de primer nivel en servicios de campo, asistencia técnica y piezas de repuesto certificadas.
Recursos y asistencia para la microscopía electrónica
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