化学材料研究

光伏

代表案例

工业硅通常情况下作为生产高纯度多晶硅和单晶硅的原材料，对其杂质元素含量的准确测定成为控制最终成品质量的重要保障，基于工业硅样品中磷、硼元素存在易挥发损失造成回收率偏低的特殊性质，采用iCAP PROSeries ICP-OES法建立工业硅样品中磷、硼以及其它金属元素准确可靠的分析检测方法。

方案优势

iCAP PRO Duo ICP-OES的水平和垂直观测模式以及耐氢氟酸进样系统，对于硅粉样品中的多种杂质元素进行测定，其快速、简单、准确的特点，完全满足于工业硅样品中磷、硼、钙、铁等杂质元素的日常检测需求。

半导体

代表案例

国际半导体设备和材料产业协会对光刻胶、光刻工艺中使用的显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂等制定了严格的无机金属离子和非金属离子的限量要求和检测方法，在标准中，推荐用离子色谱测定无机非金属离子，用ICPMS测定金属元素。赛默飞凭借其离子色谱和ICPMS的领先技术，为半导体客户提供简单、快速和准确的光刻胶和光刻相关材料中无机金属离子和非金属离子的检测方案。

方案优势

ICS 6000离子色谱提供有机溶剂直接进样的方式，通过谱睿技术在线去除有机基质，一针进样同时分析SEMI标准要求监控的无机非金属离子。整个分析过程无需配制任何淋洗液和再生液，方法高效稳定便捷，避免了试剂、环境、人员等因素可能引入的污染。光刻胶溶剂中ng/L级超痕量金属杂质的测定，要求将有机溶剂直接进样，避免因样品制备过程引起的污染。由于 PGMEA 和 NMP具有高挥发性和高碳含量，其基质对ICPMS分析会引入严重的多原子离子干扰，并对等离子体带来高负载。iCAP TQs ICP-MS 中采用等离子体辅助加氧除碳，并结合冷等离子体、串联四极杆和碰撞反应技术，可有效去除干扰。变频阻抗式匹配的RF发生器设计，可轻松应对有机溶剂直接进样，并可实现冷焰和热焰模式的稳定切换。

电子材料

代表案例

OLED为有机电致发光二极管，其具有轻薄 、亮度高、功耗低、响应快、清晰度高、柔性好、发光效率高等特点，制作的显示屏被广泛应用在电子产品（穿戴设备），商业，交通和医疗等行业领域。金属杂质影响有机发光材料的性能和稳定性，降低使用寿命，因此需要严格控制金属杂质离子的含量。

方案优势

OLED有机发光材料难以消解，且消解过程易引入污染元素，iCAP RQ 出色的性能，可以直接用于分析有机溶剂，避免复杂样品前处理过程带来的污染，数据稳定性好。iCAP RQ专利QCell Flatapole四极杆池体设计技术，碰撞模式/反应模式，提供简单高效的干扰去除能力，使用不同模式分析样品中的多种元素，各种模式之间切换快速 。全新的射频发生器设计，保证冷/热等离子对复杂样品的耐受性；无需屏蔽炬可实现优异的冷焰性能，满足ppt级别痕量元素检测需求。