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DualBeam Microscopes
Helios 5 PFIB DualBeam
Plasma focused ion beam scanning electron microscope for TEM sample preparation including 3D characterization, cross-sectioning and micromachining.
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Plasma focused ion beam instrument
Helios 5 Plasma FIB DualBeam FiB SEM Microscope
The Thermo Scientific Helios 5 Plasma FIB (PFIB) DualBeam (focused ion beam scanning electron microscope, or FIB-SEM) delivers unmatched capabilities for materials science and semiconductor applications. For materials science researchers, the Helios 5 PFIB DualBeam provides large-volume 3D characterization, gallium-free sample preparation, and precise micromachining. For manufacturers of semiconductor devices, advanced packaging technology, and display devices, the Helios 5 PFIB DualBeam delivers damage-free, large-area de-processing, fast sample preparation, and high-fidelity failure analysis.
Gallium-free STEM and TEM sample preparation
High-quality, gallium-free TEM and APT sample preparation thanks to the new PFIB column enabling 500 V Xe+ final polishing and delivering superior performance at all operating conditions.
Advanced automation
Fastest and easiest, automated, multisite in situ and ex situ TEM sample preparation and cross-sectioning using optional AutoTEM 5 Software.
Next-generation 2.5 μA xenon plasma FIB column
High throughput and quality statistically relevant 3D characterization, cross-sectioning and micromachining using next generation 2.5 μA Xenon Plasma FIB column (PFIB).
Multi-modal subsurface and 3D information
Access high-quality, multi-modal subsurface and 3D information with precise targeting of the region of interest using optional Auto Slice & View 4 (AS&V4) Software.
Sub-nanometer performance at low energies
Reveal the finest details using best-in-class Elstar Electron Column with high-current UC+ monochromator technology, enabling sub-nanometer performance at low energies.
Complete sample information
The most complete sample information with sharp, refined, and charge-free contrast obtained from up to six integrated in-column and below-the-lens detectors.
Advanced capabilities
Most advanced capabilities for electron and ion beam induced deposition and etching on FIB/SEM systems with optional Thermo Scientific MultiChem or GIS Gas Delivery Systems.
Artifact-free imaging
Artifact-free imaging based on integrated sample cleanliness management and dedicated imaging modes such as SmartScan™ and DCFI Modes.
Short time to nanoscale information
Shortest time to nanoscale information for users with any experience level with SmartAlign and FLASH technologies.
Precise sample navigation
Precise sample navigation tailored to individual application needs thanks to the high stability and accuracy of 150 mm Piezo stage and optional in-chamber Nav-Cam.
Semiconductor device deprocessing
The combination of Dx chemistry and the plasma FIB beam provides a unique, site-specific, deprocessing and failure analysis workflow for advanced logic, 3D NAND, and DRAM.
High-speed, large-area cross-sectioning
The next-generation 2.5 μA xenon PFIB column provides high-throughput, high-quality, statistically relevant 3D characterization, cross-sectioning, and micromachining.
TEM sample preparation
Perform high-quality, single layer planar and cross-sectional, top-down, and inverted TEM sample preparation by combining PFIB deprocessing and Thermo Scientific guided workflows.
Sub-nanometer, low-energy SEM performance
Reveal the finest details using the best-in-class Elstar Electron Column with high-current UC+ monochromator technology, enabling sub-nanometer performance at low energies.
Advanced automation
Carry out automated deprocessing with end pointing. SmartAlign and FLASH technologies make for a short time to nanoscale information for users with any experience level.
Complete sample information
Obtain the most complete sample information with sharp, refined, and charge-free contrast from up to six integrated in-column and below-the-lens detectors.
Artifact-free imaging
Obtain artifact-free imaging with in situ auto rocking polish and dedicated imaging modes such as SmartScan and DCFI modes.
Precise sample navigation
Experience precise sample navigation tailored to individual application needs from the flexible 5-axis motorized stage configuration and ultra-high-resolution stage options.
Hoja de estilo para las especificaciones de la tabla de productos
| Helios 5 PFIB CXe DualBeam | Helios 5 PFIB UXe DualBeam | |
| Electron optics |
| |
| Electron beam resolution |
| |
| Electron beam parameter space |
| |
| Ion optics |
| |
| Detectors |
| |
| Stage and sample | Flexible 5-axis motorized stage:
| High-precision, 5-axis motorized stage with XYR axis, piezo-driven
|
*Available as an option, configuration dependent
| Helios 5 PFIB CXe DualBeam | Helios 5 PFIB UXe DualBeam | Helios 5 PFIB HXe DualBeam | |
| Application | Advanced packaging and display R&D and failure analysis | Advanced memory failure analysis | Advanced logic failure analysis |
| Electron optics |
| ||
| Electron beam resolution |
| ||
| Ion optics |
| ||
| Stage and sample | Flexible 5-axis motorized stage:
| High-precision, 5-axis motorized stage with XYR axis, piezo-driven
| 5-axis, all-Piezo-driven UHR stage
|
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Style Sheet to change H3 to p with em-h3-header class
Style Sheet to change Applicatons H3 to p with em-h3-header class
3D EBSD reconstruction of zircalloy sample (250 x 250 x 220 µm³) produced with he Helios G4 PFIB DualBeam, AS&V4 Software, and Thermo Scientific Avizo Software.
500 μm wide cross section for scratch testing and adhesion in
paint coatings.
Thermo Fisher Scientific PFA Demo Days
To support semiconductor manufacturing needs, Thermo Fisher Scientific continues to bring new capabilities to our industry-leading failure analysis, metrology and characterization solutions.
In our Thermo Fisher Scientific PFA Demo Days, we showcase our latest innovations for sample preparation and FinFET logic circuit delayering.
Advanced DualBeam automation for every need
Register for our exclusive webinar to learn how easy it has become to automate daily routine tasks on your DualBeam instrument using our Python-based AutoScript 4 API. Automation can also increase throughput, reproducibility and ease of use, quicken time to data and boost efficiency.
The Thermo Scientific Helios DualBeam
Interview - Laser PFIB use case from Manchester University
Interview - Laser PFIB use case from ScopeM
3D EBSD reconstruction of zircalloy sample (250 x 250 x 220 µm³) produced with he Helios G4 PFIB DualBeam, AS&V4 Software, and Thermo Scientific Avizo Software.
500 μm wide cross section for scratch testing and adhesion in
paint coatings.
Thermo Fisher Scientific PFA Demo Days
To support semiconductor manufacturing needs, Thermo Fisher Scientific continues to bring new capabilities to our industry-leading failure analysis, metrology and characterization solutions.
In our Thermo Fisher Scientific PFA Demo Days, we showcase our latest innovations for sample preparation and FinFET logic circuit delayering.
Advanced DualBeam automation for every need
Register for our exclusive webinar to learn how easy it has become to automate daily routine tasks on your DualBeam instrument using our Python-based AutoScript 4 API. Automation can also increase throughput, reproducibility and ease of use, quicken time to data and boost efficiency.
The Thermo Scientific Helios DualBeam
Interview - Laser PFIB use case from Manchester University
Interview - Laser PFIB use case from ScopeM
Investigación sobre materiales fundamentales
Se investigan nuevos materiales a escalas cada vez más pequeñas para lograr el máximo control de sus propiedades físicas y químicas. La microscopía electrónica proporciona a los investigadores información clave sobre una amplia variedad de características materiales a escala nanométrica.
Control de proceso
La industria moderna exige un alto rendimiento con una calidad superior, un equilibrio que se mantiene a través de un control de procesos sólido. Las herramientas SEM y TEM con software de automatización exclusivo proporcionan información rápida y multiescala para la supervisión y la mejora de procesos.
Control de calidad
El control y garantía de calidad son esenciales en la industria moderna. Ofrecemos una gama de herramientas de EM y espectroscopía para el análisis multiescala y multimodal de defectos, lo que le permite tomar decisiones fiables e informadas para el control y la mejora de procesos.
Análisis de fallos de semiconductores
Las estructuras de dispositivos semiconductores cada vez más complejas dan lugar a que existan más ubicaciones en las que se oculten los defectos inducidos por fallos. Nuestros flujos de trabajo de última generación le ayudarán a localizar y caracterizar los sutiles problemas eléctricos que afectan a la producción, al rendimiento y a la fiabilidad.
Caracterización física y química
La demanda continua de los consumidores impulsa la creación de dispositivos electrónicos más pequeños, más rápidos y más baratos. Su producción se basa en instrumentos y flujos de trabajo de alta productividad que generan imágenes, analizan y caracterizan una amplia gama de semiconductores y dispositivos de visualización.
Desarrollo y trazabilidad de semiconductores
Microscopía electrónica avanzada, haz de iones enfocado y técnicas analíticas asociadas para identificar soluciones viables y métodos de diseño para la fabricación de dispositivos semiconductores de alto rendimiento.
Preparación de muestras (S)TEM
Los microscopios DualBeam permiten la preparación de muestras ultrafinas de alta calidad para el análisis (S)TEM. Gracias a la automatización avanzada, los usuarios con cualquier nivel de experiencia pueden obtener resultados de nivel experto para una amplia gama de materiales.
Preparación de muestras de APT
La tomografía de sonda atómica (APT) proporciona un análisis de composición de materiales en 3D con resolución atómica. La microscopía Focused ion beam (FIB) es una técnica esencial para la preparación de muestras de alta calidad, orientación y sitio específico para la caracterización de APT.
Experimentación in situ
La observación directa y en tiempo real de los cambios microestructurales con microscopía electrónica es necesaria para comprender los principios subyacentes de los procesos dinámicos como la recristalización, el crecimiento del grano y la transformación de fases durante el calentamiento, refrigeración y humectación.
Análisis de escala múltiple
Los novedosos materiales se deben analizar a una resolución cada vez mayor, manteniendo el contexto más amplio de la muestra. El análisis de escala múltiple permite la correlación de varias herramientas y modalidades de obtención de imágenes, tales como microTC de rayos X, DualBeam, PFIB láser, SEM y TEM.
Caracterización de materiales en 3D
El desarrollo de materiales suele requerir caracterización en 3D en varias escalas. Los instrumentos DualBeam permiten el corte en secciones en serie de grandes volúmenes y la posterior adquisición de imágenes SEM a escala de nanómetro, las cuales se pueden procesar en reconstrucciones 3D de la muestra de alta calidad.
Corte transversal
El corte transversal proporciona una visión adicional, ya que descubre información de la subsuperficie. Los instrumentos DualBeam tienen columnas FIB para poder realizar el corte transversal con alta calidad. Con la automatización, se puede realizar el procesamiento de muestras de alto rendimiento sin supervisión.
Ablación por láser de semiconductores
La ablación por láser proporciona un fresado de alto rendimiento de dispositivos semiconductores para la adquisición de imágenes y análisis con microscopía electrónica, a la vez que conserva la integridad de las muestras. Acceda a datos en 3D de gran volumen y optimice las condiciones de fresado para adaptarse mejor a su tipo de muestra.
Nanosondeo
A medida que aumenta la complejidad del dispositivo, también lo hace el número de ubicaciones que tienen que ocultar los defectos. El nanosondeo proporciona la ubicación precisa de fallos eléctricos, lo que es fundamental para un flujo de trabajo de análisis de fallos de microscopía electrónica de transmisión eficaz.
Reestructuración de dispositivo
La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.
Preparación de muestras (S)TEM
Los microscopios DualBeam permiten la preparación de muestras ultrafinas de alta calidad para el análisis (S)TEM. Gracias a la automatización avanzada, los usuarios con cualquier nivel de experiencia pueden obtener resultados de nivel experto para una amplia gama de materiales.
Preparación de muestras de APT
La tomografía de sonda atómica (APT) proporciona un análisis de composición de materiales en 3D con resolución atómica. La microscopía Focused ion beam (FIB) es una técnica esencial para la preparación de muestras de alta calidad, orientación y sitio específico para la caracterización de APT.
Experimentación in situ
La observación directa y en tiempo real de los cambios microestructurales con microscopía electrónica es necesaria para comprender los principios subyacentes de los procesos dinámicos como la recristalización, el crecimiento del grano y la transformación de fases durante el calentamiento, refrigeración y humectación.
Análisis de escala múltiple
Los novedosos materiales se deben analizar a una resolución cada vez mayor, manteniendo el contexto más amplio de la muestra. El análisis de escala múltiple permite la correlación de varias herramientas y modalidades de obtención de imágenes, tales como microTC de rayos X, DualBeam, PFIB láser, SEM y TEM.
Caracterización de materiales en 3D
El desarrollo de materiales suele requerir caracterización en 3D en varias escalas. Los instrumentos DualBeam permiten el corte en secciones en serie de grandes volúmenes y la posterior adquisición de imágenes SEM a escala de nanómetro, las cuales se pueden procesar en reconstrucciones 3D de la muestra de alta calidad.
Corte transversal
El corte transversal proporciona una visión adicional, ya que descubre información de la subsuperficie. Los instrumentos DualBeam tienen columnas FIB para poder realizar el corte transversal con alta calidad. Con la automatización, se puede realizar el procesamiento de muestras de alto rendimiento sin supervisión.
Ablación por láser de semiconductores
La ablación por láser proporciona un fresado de alto rendimiento de dispositivos semiconductores para la adquisición de imágenes y análisis con microscopía electrónica, a la vez que conserva la integridad de las muestras. Acceda a datos en 3D de gran volumen y optimice las condiciones de fresado para adaptarse mejor a su tipo de muestra.
Nanosondeo
A medida que aumenta la complejidad del dispositivo, también lo hace el número de ubicaciones que tienen que ocultar los defectos. El nanosondeo proporciona la ubicación precisa de fallos eléctricos, lo que es fundamental para un flujo de trabajo de análisis de fallos de microscopía electrónica de transmisión eficaz.
Reestructuración de dispositivo
La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.
Servicios de microscopía electrónica
Para garantizar un rendimiento óptimo del sistema, le proporcionamos acceso a una red de expertos de primer nivel en servicios de campo, asistencia técnica y piezas de repuesto certificadas.
Recursos y asistencia para la microscopía electrónica
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