As the dimensions of semiconductor device structures shrink and become more complex, defect localization and failure analysis become more critical, and more challenging. High-density interconnects, wafer-level stacking, flexible electronics, and integral substrates mean that failure-inducing defects have more places to hide. Even worse, these failures can occur at the device packaging stage, resulting in an intolerable loss of yield and an increase in time-to-market.

Advanced analytical tools are essential for the detection of any electrical defects that can negatively influence yield, reliability, or performance. With the right equipment, the time and cost associated with electrical fault isolation can be reduced by quickly extracting comprehensive defect data from the sample.

Thermo Fisher Scientific offers advanced analytical tools for fast physical and electrical failure analysis. Our workflows allow you to localize and characterize subtle electrical issues that affect yield, performance, and reliability. Click through to our technique or product pages for additional information.
 


Semiconductor defect localization and analysis workflow examples

 

 

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Techniques

Aislamiento de fallo óptico

Los diseños cada vez más complejos complican el aislamiento de fallos y defectos en la fabricación de semiconductores. Las técnicas de aislamiento óptico de fallos le permiten analizar el rendimiento de los dispositivos activos eléctricamente para localizar defectos críticos que causan fallos en el dispositivo.

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Aislamiento de fallo térmico

La distribución desigual de la disipación de energía local puede causar aumentos de temperatura importantes y localizados, lo que provoca un fallo del dispositivo. Ofrecemos soluciones únicas para el aislamiento de fallos térmicos con termografía infrarroja de alta sensibilidad (LIT).

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Adquisición de imágenes y análisis TEM de semiconductores

Los microscopios de electrones de transmisión de Thermo Fisher Scientific ofrecen imágenes y análisis de alta resolución de dispositivos semiconductores, lo que permite a los fabricantes calibrar conjuntos de herramientas, diagnosticar mecanismos de fallos y optimizar la producción rendimiento general del proceso.

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Adquisición de imágenes y análisis de semiconductores

Thermo Fisher Scientific ofrece microscopios electrónicos de barrido para todas las funciones de un laboratorio de semiconductores, desde tareas generales de adquisición de imágenes hasta técnicas avanzadas de análisis de fallos que requieren mediciones precisas de contraste de tensión.

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Nanosondeo

A medida que aumenta la complejidad del dispositivo, también lo hace el número de ubicaciones que tienen que ocultar los defectos. El nanosondeo proporciona la ubicación precisa de fallos eléctricos, lo que es fundamental para un flujo de trabajo de análisis de fallos de microscopía electrónica de transmisión eficaz.

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Ablación por láser de semiconductores

La ablación por láser proporciona un fresado de alto rendimiento de dispositivos semiconductores para la adquisición de imágenes y análisis con microscopía electrónica, a la vez que conserva la integridad de las muestras. Acceda a datos en 3D de gran volumen y optimice las condiciones de fresado para adaptarse mejor a su tipo de muestra.

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Preparación de muestras de APT

La tomografía de sonda atómica (APT) proporciona un análisis de composición de materiales en 3D con resolución atómica. La microscopía Focused ion beam (FIB) es una técnica esencial para la preparación de muestras de alta calidad, orientación y sitio específico para la caracterización de APT.

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Reestructuración de dispositivo

La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.

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Pruebas de conformidad con ESD

La descarga electrostática (ESD) puede dañar pequeñas características y estructuras en semiconductores y circuitos integrados. Ofrecemos un completo conjunto de equipos de prueba que verifica que sus dispositivos cumplen con los estándares de conformidad ESD.

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Aislamiento de fallo óptico

Los diseños cada vez más complejos complican el aislamiento de fallos y defectos en la fabricación de semiconductores. Las técnicas de aislamiento óptico de fallos le permiten analizar el rendimiento de los dispositivos activos eléctricamente para localizar defectos críticos que causan fallos en el dispositivo.

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Aislamiento de fallo térmico

La distribución desigual de la disipación de energía local puede causar aumentos de temperatura importantes y localizados, lo que provoca un fallo del dispositivo. Ofrecemos soluciones únicas para el aislamiento de fallos térmicos con termografía infrarroja de alta sensibilidad (LIT).

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Adquisición de imágenes y análisis TEM de semiconductores

Los microscopios de electrones de transmisión de Thermo Fisher Scientific ofrecen imágenes y análisis de alta resolución de dispositivos semiconductores, lo que permite a los fabricantes calibrar conjuntos de herramientas, diagnosticar mecanismos de fallos y optimizar la producción rendimiento general del proceso.

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Adquisición de imágenes y análisis de semiconductores

Thermo Fisher Scientific ofrece microscopios electrónicos de barrido para todas las funciones de un laboratorio de semiconductores, desde tareas generales de adquisición de imágenes hasta técnicas avanzadas de análisis de fallos que requieren mediciones precisas de contraste de tensión.

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Nanosondeo

A medida que aumenta la complejidad del dispositivo, también lo hace el número de ubicaciones que tienen que ocultar los defectos. El nanosondeo proporciona la ubicación precisa de fallos eléctricos, lo que es fundamental para un flujo de trabajo de análisis de fallos de microscopía electrónica de transmisión eficaz.

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Ablación por láser de semiconductores

La ablación por láser proporciona un fresado de alto rendimiento de dispositivos semiconductores para la adquisición de imágenes y análisis con microscopía electrónica, a la vez que conserva la integridad de las muestras. Acceda a datos en 3D de gran volumen y optimice las condiciones de fresado para adaptarse mejor a su tipo de muestra.

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Preparación de muestras de APT

La tomografía de sonda atómica (APT) proporciona un análisis de composición de materiales en 3D con resolución atómica. La microscopía Focused ion beam (FIB) es una técnica esencial para la preparación de muestras de alta calidad, orientación y sitio específico para la caracterización de APT.

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Reestructuración de dispositivo

La contracción del tamaño de las características, junto con los resultados de diseño y arquitectura avanzados provocan fallos cada vez más complicados para los semiconductores. La reestructuración sin daños de los dispositivos es una técnica crucial para la detección de errores y fallos eléctricos interiores.

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Pruebas de conformidad con ESD

La descarga electrostática (ESD) puede dañar pequeñas características y estructuras en semiconductores y circuitos integrados. Ofrecemos un completo conjunto de equipos de prueba que verifica que sus dispositivos cumplen con los estándares de conformidad ESD.

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Samples


Materiales semiconductores y caracterización de dispositivos

A medida que los dispositivos semiconductores se reducen y se vuelven más complejos, se necesitan nuevos diseños y estructuras. Los flujos de trabajo de análisis en 3D de alta productividad pueden reducir el tiempo de desarrollo de dispositivos, maximizar el rendimiento y garantizar que los dispositivos satisfacen las necesidades futuras del sector.

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Products

Hoja de estilo para tarjetas originales instrumentos

Helios G4 EXL DualBeam

  • Control preciso y conocimiento de la temperatura de la muestra
  • Estabilidad mejorada de la muestra, navegación y corrección de deriva de la muestra asistida en los ejes 'x', 'y' y 'z'
  • Avance en las funciones de adquisición de imágenes y películas de alta calidad

Helios 5 DualBeam

  • Preparación de muestras de TEM ultrafina, de alta calidad y completamente automatizada
  • Subsuperficie de alto rendimiento, alta resolución y caracterización en 3D
  • Capacidades de rápida creación de prototipos a nanoescala

Metrios AX TEM

  • Opciones de automatización compatibles con calidad, uniformidad, metrología y OPEX reducido
  • Aprovecha el aprendizaje automático para excelentes funciones automáticas y reconocimiento de funciones
  • Flujos de trabajo para preparación de laminillas in-situ y ex-situ

Scios 2 DualBeam

  • Soporte completo de muestras magnéticas y no conductoras
  • Subsuperficie de alto rendimiento y caracterización en 3D
  • Facilidad de uso y capacidades de automatización avanzadas

ExSolve WTP DualBeam

  • Puede preparar laminillas específicas de sitios de 20 nm de grosor en obleas completas de hasta 300 mm de diámetro
  • Soluciona las necesidad de muestreo automatizado de alto rendimiento en nodos de tecnología avanzada

Verios 5 XHR SEM

  • SEM monocroma para resolución de subnanómetros sobre el rango de energía completo de 1 keV a 30 keV
  • Fácil acceso a la energía de recepción de haz, a un nivel tan bajo como 20 eV
  • Excelente estabilidad con fase piezoeléctrica como estándar

Quattro ESEM

  • Tecnología de obtención de imágenes por microscopía electrónica de barrido (SEM) con cañón de emisión de campo (FEG) de alta resolución con versatilidad absoluta y capacidad medioambiental única (ESEM)
  • Consulte la información completa de todas las muestras con obtención de imágenes SE y BSE en cada modo de funcionamiento

Prisma E SEM

  • SEM de nivel básico con excelente calidad de imagen
  • Rápida y sencilla navegación y carga de muestras para varias muestras
  • Compatible con una amplia gama de materiales gracias a los exclusivos modos de vacío

Apreo 2 SEM

  • SEM de alto rendimiento para resolución de subnanómetro o nanómetro completo
  • Detector de retrodispersión de T1 incorporado en la columna para contraste de materiales sensibles de velocidad TV
  • Excelente rendimiento en distancias de trabajo largas (10 mm)

SEM de escritorio Phenom ProX

  • SEM de escritorio de alto rendimiento con detector EDS integrado
  • Resolución de <8 nm (SE) y <10 nm (BSE); aumento de hasta 150.000x
  • Detector SE opcional
 
 

Centrios CE

  • Excelente resolución de imagen/fresado
  • Control y precisión de fresado mejorados
  • Basado en la plataforma Thermo Scientific Helios DualBeam

Sistema de pruebas de cierre y ESD MK.4TE

  • Operaciones basadas en relés rápidos: hasta 2304 canales
  • Preacondicionado avanzado del dispositivo con seis niveles de transmisión por vector separados
  • Polarización de dispositivo y estímulos de cierre totalmente compatibles

Sistema ELITE

  • Completamente no destructivo
  • Identifica rápidamente el componente defectuoso en la tarjeta de montaje y obtener la disposición exacta
  • Localiza el defecto en x-y con la precisión del micrómetro, con una ubicación de profundidad exacta de 20 µm

nProber IV

  • Localice los fallos BEOL y del transistor
  • Nanosondeo térmico (de -40° C a 150 °C)
  • Funcionamiento semiautomático

Sistema Meridian S

  • Diagnóstico de fallos con tecnología de sonda activa
  • Estimulación láser estática (SLS / OBIRCH) y opciones de emisión de fotones
  • Admite la estimulación de dispositivos de microsonda y de tarjetas de sonda

Sistema Meridian WS-DP

  • Detección de emisiones de fotones de baja tensión, bajo nivel de ruido y alta sensibilidad con sistemas de cámara DBX o InGaAs de banda ancha
  • Microscopio de barrido láser de longitud de onda múltiple para análisis de cadena de barrido, mapeo de frecuencia, sondeo de transistores y aislamiento de fallos

Sistema Meridian 7

  • Aislamiento dinámico de fallos ópticos para el nodo de 10 nm e inferiores
  • Luz infrarroja y visible de alta resolución
  • Preparación de muestras de alto rendimiento de 5 μm disponible

Sistema Meridian IV

  • Detección de emisión de fotones DBX de longitud de onda ampliada de alta sensibilidad
  • Detección de emisión de fotones de InGaAs estándar
  • Microscopio de barrido láser con opciones de longitud de onda múltiple

Sistema de prueba Celestron

  • Prueba de TLP a nivel de obleas y de paquetes
  • Generador de pulso TLP de corriente alta
  • Puede conectarse con sondas semiautomáticas
  • Software intuitivo para el control y la generación de informes

Sistema de prueba Orion3

  • Prueba del modelo del dispositivo cargado
  • Cámaras de color duales de alta resolución
  • Prueba de densidades a menos de un paso de 0,4 mm

Pegasus

  • Pruebas según los estándares más recientes del sector
  • Red ESD 150pF/330Ω de nivel de sistema real
  • Conexión de 2 pines mediante sondeo de obleas a cualquier dispositivo

AutoTEM 5

  • Preparación de muestras S/TEM in situ totalmente automatizada
  • Compatible con geometría invertida, plana y "top-down" (arriba-abajo)
  • Flujo de trabajo altamente configurable
  • Interfaz de usuario intuitiva, fácil de utilizar

Software Auto Slice and View 4.0

  • Cortes en secciones en serie automatizadas para DualBeam
  • Adquisición de datos multimodales (SEM, EDS, EBSD)
  • Capacidades de edición sobre la marcha
  • Ubicación del corte en los bordes

Software Ifast

  • Grabador de macros para crear recetas más rápido
  • Electroforesis para funcionamiento nocturno sin supervisión
  • Herramientas de alineación: Reconocimiento de imágenes y detección de bordes

Software Inspect 3D

  • Filtros y herramientas de tratamiento de imágenes para correlación cruzada
  • Seguimiento de funciones para alineación de imágenes
  • Técnica de reconstrucción algebraica para la comparación de proyección iterativa

Software NEXS

  • Sincroniza automáticamente la posición/aumento entre NEXS y el sistema de edición de circuitos para experiencia de usuario perfecta
  • Se conecta con la mayoría de herramientas de Thermo Scientific utilizadas para EFA, PFA y el espacio de edición de circuitos


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