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수율과 안정성을 개선하기 위해서는 상세한 결함 분석이 필요합니다. 한계 오류의 설계 디버깅은 소자 내의 전압 또는 타이밍 문제로 인해 더욱 어려울 수 있습니다. 파라미터 오류의 근본 원인을 파악하려면 소자를 손상하거나 결함을 가리지 않고 소자 내부의 실제 위치를 격리하고 관련 회로에 접근할 수 있어야 합니다.

Thermo Scientific Meridian 7 시스템은 10nm 이하의 소자에서 가시광 레이저 전압 이미징(LVI), 레이저 전압 프로빙(LVP), 동적 레이저 자극(DLS/LADA)을 제공합니다. 초박막 기질의 요구사항을 방지함으로써, 검사중인 소자의 무결성과 기능을 보존하여 신뢰할 수 있고 실용적인 생산 솔루션을 제공합니다.

Meridian 7 시스템에는 다음 두 가지 구성이 있습니다.

  • Meridian 7D 시스템 1064nm 및 785nm 이중 SIL 레이저 주사 현미경(LSM) 시스템과 결합
  • Meridian 7S 시스템 열폭주로 인한 칩 성능 변화를 막기 위해 시료 열 관리가 필요할 수 있는 고속 검사용 첨단 시료 냉각 옵션을 갖춘 785nm 전용 LSM 시스템

주요 특징

파라미터 결함을 식별하기 위한 동적 광학적 고장 격리

  • 10nm 노드 및 그 이하의 첨단 디바이스용 검사 조건에서 특성 분석
  • 시간 분해 LADA (옵션)

정확한 타이밍 분석을 위한 높은 대역폭

  • at-speed 검사를 위한 7GHz 대역폭
  • 50피코초 상승 시간 측정

향상된 광학 분해능으로 고장 위치 파악 기능 향상

  • 고분해능 가시광선 및 적외선 광선
  • 785nm 분석은 시료 준비를 5µm 까지로 제한합니다
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리소스

Device frequency mapping with 785nm Laser Voltage Imaging (LVI)
785nm 레이저 전압 이미징(LVI)을 통한 장치 주파수 맵핑
동적 OFI용 TR-LADA

동적 OFI용 TR-LADA


새로운 TR-LADA 옵션은 Meridian 광학적 고장 격리 시스템에서 더 많은 결함 위치 파악 기능을 제공하는 동시에 민감한 회로 영역을 보존합니다.

주문형(on-demand) 보기

Device frequency mapping with 785nm Laser Voltage Imaging (LVI)
785nm 레이저 전압 이미징(LVI)을 통한 장치 주파수 맵핑
동적 OFI용 TR-LADA

동적 OFI용 TR-LADA


새로운 TR-LADA 옵션은 Meridian 광학적 고장 격리 시스템에서 더 많은 결함 위치 파악 기능을 제공하는 동시에 민감한 회로 영역을 보존합니다.

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응용분야

pathfinding_thumb_274x180_144dpi

반도체 경로탐색(Pathfinding) 및 개발

고성능 반도체 장치의 제조에 필요한 실행 가능한 솔루션과 설계 방법을 확인하기 위한 고급 전자 현미경 검사, 집속 이온빔 및 관련 분석 기법.

반도체 불량 분석

반도체 불량 분석

반도체 장치 구조가 점점 복잡해짐에 따라 숨겨진 장애 유발 결함이 더 많아지고 있습니다. 당사의 차세대 워크플로우는 사용자가 수율, 성능, 신뢰성에 영향을 미치는 미세한 전기 문제를 로컬화하고 특성을 분석하는 데 도움을 줍니다.


기술

광학적 고장 분리

점점 더 복잡해지는 설계는 반도체 제조 과정에서 장애와 결함 분리를 복잡하게 만듭니다. 광학적 고장 분리 기술을 사용하면 전기적 활성 장치의 성능을 분석하여 장치의 고장을 일으키는 주요 결함의 위치를 찾을 수 있습니다.

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광학적 고장 분리

점점 더 복잡해지는 설계는 반도체 제조 과정에서 장애와 결함 분리를 복잡하게 만듭니다. 광학적 고장 분리 기술을 사용하면 전기적 활성 장치의 성능을 분석하여 장치의 고장을 일으키는 주요 결함의 위치를 찾을 수 있습니다.

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