Thermo Scientific Meridian S 시스템은 프로브 카드 또는 마이크로 프로브를 통한 정적 바이어스(static bias)로 자극된 소자에서 도립형 광자 방출(EMMI) 및 레이저 주사 현미경 분석을 수행하도록 설계되었습니다. 시스템의 전반적인 소유 비용이 수익성에서 중요하므로 Meridian S 시스템은 다양한 광자 방출 옵션과 듀얼 사이드 프로빙(dual-side probing) 유연성 뿐 아니라 레이저 전압 이미징/프로빙 및 소프트 결함 위치 파악 같은 동적 광학적 고장 분리를 위한 업그레이드 경로를 제공합니다.

Meridian S 시스템은 전 세계 고장 분석 실험실에서 사용하도록 설계되었으며 다음을 지원합니다.

  • 체계적인 프로세스, 설계 또는 통합 문제 식별
  • 임의의 전기적 고장에 대한 근본 원인 분리

주요 특징

활성 프로브(Active Probe) 기술을 통한 고장 진단

활성 프로브 기술을 사용하는 고장 진단 기능으로 활성화되는 고감도이며 lock-in 기능이 있는 노이즈-제거식 static laser stimulation/optical beam induced resistance change (SLS/OBIRCH) 검출.

광자 방출

단락 격리, 과다 누출 영역 감지, 활성 영역 맵핑을 위한 다양한 감도 요건을 만족하는 광자 방출 옵션.

사용 편의성

편의성과 생산성을 고려하여 설계한 프로빙 셋업 및 소프트웨어

확장 및 업그레이드 가능

확장 및 업그레이드가 가능한 광학 플랫폼.


사양

재품 표 사항에 대한 스타일시트

도립형(Inverted) 광학 시스템

콤보 시스템: LSM + PEM 표준(LSM 전용 또는 PEM 전용 구성 옵션 포함)

220VAC, 50Hz/60Hz

표준 9" x 9" load board interface 및 맞춤 가능한 대체품

Dual-side microprobing 및 Probe Card 구성 사용가능

스테이지 반복성 ≤ 2μm

결함 재검출을 위한 레이저 마커(옵션)


응용분야

pathfinding_thumb_274x180_144dpi

반도체 경로탐색(Pathfinding) 및 개발

고성능 반도체 장치의 제조에 필요한 실행 가능한 솔루션과 설계 방법을 확인하기 위한 고급 전자 현미경 검사, 집속 이온빔 및 관련 분석 기법.

반도체 불량 분석

반도체 불량 분석

반도체 장치 구조가 점점 복잡해짐에 따라 숨겨진 장애 유발 결함이 더 많아지고 있습니다. 당사의 차세대 워크플로우는 사용자가 수율, 성능, 신뢰성에 영향을 미치는 미세한 전기 문제를 로컬화하고 특성을 분석하는 데 도움을 줍니다.


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기술

광학적 고장 분리

점점 더 복잡해지는 설계는 반도체 제조 과정에서 장애와 결함 분리를 복잡하게 만듭니다. 광학적 고장 분리 기술을 사용하면 전기적 활성 장치의 성능을 분석하여 장치의 고장을 일으키는 주요 결함의 위치를 찾을 수 있습니다.

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