Electronic and Photonic Material Analysis

모든 데이터를 처리하는 새로운 소재

전자, 광, 자기 소재는 정보의 저장, 처리, 전달을 위한 기술 발전의 핵심적인 동력입니다.

재료과학은 화학, 물리학, 엔지니어링을 결합하여 나노 수준에서 전자제품을 위한 다재다능한 새로운 소재와 프로세스를 개발하고 있습니다. 정보가 지수적으로 증가하고 있는 상황에서 새로운 소재에 대한 연구는 전자, 광, 자기 소재의 발전으로 이어지고 있습니다.

Raman 이미징은 포토닉스 산업에서 도파관(waveguide)을 측정하고 정렬된 탄소 나노튜브 같은 원재료에서 잠재적인 새 전자 소재를 탐구하는 데 사용됩니다.  Raman, XPS, XRF 및 XRD 기법은 실리콘의 응력(stress)을 평가하기 위한 반도체 소재 분석 등 다수의 연구 분야에서 사용되고 있습니다.


빠른 링크

백금족 금속 연결: 전자공학 애플리케이션

백금, 팔라듐, 로듐, 이리듐, 오스뮴과 같은 백금족 금속(PGM)은 전자산업에서 널리 사용되며 이러한 물질에 대한 수요는 계속 증가하고 있습니다. 이 블로그에서 이러한 유형의 금속의 여러 용도와 전자제품의 개발과 생산에 있어 중요하게 고려해야 할 사항에 대해 알아보십시오.

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전자공학

전자 및 광 분석 리소스


주요 표면 분석 동영상

MAGCIS의 내외부 구조

이 듀얼 모드 이온 소스로 뎁스 프로파일 분석이 가능하며 동일한 XPS 기기에서 연질 물질과 경질 물질의 표면을 모두 세척할 수 있습니다.

반도체 장치 분석용 고성능 다중 기법 XPS 시스템

다중 기법 기능을 가진 XPS 기기는 증착 사이클에서 물질의 두께를 나타내는 증착 두께를 측정합니다. ISS는 증착이 층의 일부만 덮고 있는지 보여 줍니다. REELS는 밴드 갭(band gap) 데이터를 제공합니다. Raman은 층상 물질 구조에 대한 정보를 제공합니다.

반도체 맵핑

집적회로에서 트랜지스터의 크기 축소하려면 게이트 전극과 채널 사이에 점점 더 얇은 유전체(dielectric) 층이 필요합니다. 계속해서 더 작은 크기를 개발하려면 이산화규소가 유전체 물질로 대체되어야 합니다. 이산화규소는 이러한 트랜지스터 설계에 요구되는 두께에서 누설 전류를 수용할 수 없게 되기 때문입니다. 이러한 이유로 높은 유전 상수를 가진 소재(high-k dielectric)로의 전환이 이루어져 왔으며, 이에 따라 새로운 분석 요구사항이 필요하게 되었습니다. 층 두께와 함께 다음의 변수들이 중요해졌습니다.

반도체 맵핑
  • 중간층(이산화규소 또는 금속 실리게이트)의 두께
  • 층 내에서 원소의 분포
  • 층 내에서 활성 물질의 양
  • 중간층에서 원소의 화학적 상태
  • 웨이퍼 전반에서 이러한 변수의 균일성

물질을 제거하지 않고 거의 정상적인 전자 방출 각도에서 전체 유전체 층을 분석할 수 있습니다. XPS는 층의 화학물질과 이들의 계면에 대한 정보를 제공하며, ARXPS(angle resolved XPS)는 층의 두께와 층 내에서 물질의 분포에 대한 정보를 제공합니다. ARXPS는 비파괴 방식이므로 이온 빔을 통한 스퍼터링을 사용하지 않아도 됩니다. 스퍼터링은 층의 조성을 변경하고 원자 뒤섞임을 일으키고, 이로 인해 두 가지 특성 모두 데이터의 잘못된 해석을 유발하는 것으로 알려졌습니다.

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