Thermo Scientific Hyperion II 시스템은 반도체 기술 개발, 수율 엔지니어링, 장치 신뢰성 개선을 지원하기 위해 전기적 특성 분석 및 고장 위치 파악을 위한 빠르고 정확한 트랜지스터 프로빙을 제공합니다. Hyperion II 시스템의 탁월한 안정성으로 나노 프로빙(nanoprobing)을 5 nm 기술 노드 이상으로 수행할 수 있습니다. 

Hyperion II 시스템의 SPM 기술은 PicoCurrent 이미징 기술을 지원합니다. 이 기술은 수동 전압 콘트라스트의 1,000 배 이상의 감도로 단락, 개방, 누출 경로, 저항성 접점을 빠르게 식별하는 기술입니다. 주사 커패시턴스 현미경 검사(SCM) 모듈은 silicon on insulator(SOI) 웨이퍼에 대한 이미지 기반 고장 위치 파악 기능 및 고분해능 도펀트 프로파일링을 제공합니다.

기능

  • 5 nm 기술을 위한 검증된 나노 프로빙(nanoprobing) 솔루션
  • 유연성 및 기능을 추가하기 위해 4개, 6개 또는 8개의 프로브로 구성 가능.
  • 생산성 및 사용 편의성 개선을 위한 자동 팁 교환 및 자동 팁 접근 방식. 

측정 모드

Hyperion II 시스템의 첨단 측정 모드의 장점: 

  • 산화물 층 및 인터페이스 트랩을 연구를 위한 낮은 노이즈, 고분해능 capacitance-voltage(C-V).
  • 개방된 저항성 게이트 결함을 식별하기 위한 Pulsed IV.
  • 소자 신뢰성 연구를 위한 높은 온도 프로빙.

전류 전압(I-V) 측정

대상 영역 내에서 여러 개의 트랜지스터를 프로빙하면 고장 위치를 파악하는 데 시간이 오래 걸릴 수 있습니다. Hyperion II 시스템은 PicoCurrent 이미징과 I-V 프로빙을 결합하여 측정-관련 시프트의 도입 없이도 잠재적인 결함을 빠르게 찾고 전류 전압 곡선을 측정합니다.


주요 특징

신속한 고장 위치 파악

통합된 PicoCurrent Imaging 및 Scanning Capacitance Microscopy(SCM)는 나노 프로빙(nanoprobing)에 대해 고장 가능성이 큰 부분을 빠르게 식별합니다.

eFast 안내형 작업

생산성 향상, 사용 편의성, 교육 부담 감소를 위해 반자동 단계별 안내형 작업

ebeam-시료 상호작용 없음

SEM 이미징과 진공 시스템이 필요없는 원자간력(atomic force) 프로브 이미지 및 프로브 기능.


응용분야

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반도체 경로탐색(Pathfinding) 및 개발

고성능 반도체 장치의 제조에 필요한 실행 가능한 솔루션과 설계 방법을 확인하기 위한 고급 전자 현미경 검사, 집속 이온빔 및 관련 분석 기법.

반도체 불량 분석

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물리적 및 화학적 특성 분석

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ESD 반도체 적격성 검사

정전기 방출(ESD)에 민감한 소자를 식별하려면 모든 ESD 관리 계획이 필요합니다. 당사는 기기 적격성 요건을 충족할 수 있도록 완벽한 테스트 시스템 제품군을 제공합니다.

전력 반도체 장치 분석

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전력 장치는 주로 전력 장치 아키텍쳐 및 레이아웃의 결과로서 오류를 국지화를 위한 고유한 과제를 제기합니다. 저희의 전력 장치 분석 도구와 워크플로우는 작동 조건에서 오류 위치를 빠르게 찾고 물질 특성 분석, 인터페이스, 장치 구조에 대한 정밀하고 고처리량의 분석을 제공합니다.

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기술

나노탐침

장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.

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