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The Thermo Scientific Hyperion II System offers fast, accurate transistor probing for electrical characterization and fault localization in support of semiconductor technology development, yield engineering and device reliability improvement. The unparalleled stability of the Hyperion II System enables nanoprobing down to the 5 nm technology node and beyond.
The Hyperion II System’s SPM technology enables PicoCurrent imaging, which is a technique to rapidly identify shorts, opens, leakage paths and resistive contacts with more than 1,000 times the sensitivity of passive voltage contrast. The scanning capacitance microscopy (SCM) module provides image-based fault localization for silicon on insulator (SOI) wafers, as well as high-resolution dopant profiling.
Capabilities
| Measurement modes The Hyperion II System’s advanced measurement modes include:
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Probing multiple transistors within the target area to localize a fault can be time-consuming. The Hyperion II System combines PicoCurrent imaging with I-V probing to quickly find potential defects and measure current-voltage curves, without introducing measurement-related shifts.
C-V is used to study oxide layers, interface traps and charge carrier densities. The Hyperion II System offers high-resolution C-V with excellent impedance control, low leakage and very low noise.
Integrated PicoCurrent Imaging and Scanning Capacitance Microscopy (SCM) quickly identifies fault candidates for nanoprobing.
Semi-automated step by step guided operation for increased productivity, ease of use and reduced training burden.
Atomic force probes image and probe features, eliminating need for SEM imaging and vacuum system.
Microscopia eletrônica avançada, feixe de íon focalizado e técnicas analíticas associadas para identificar soluções viáveis e métodos de desenho para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho.
Estruturas de dispositivos semicondutores cada vez mais complexas resultam em mais locais onde defeitos que induzem falhas podem se ocultar. Nossos fluxos de trabalho de última geração o ajudam a localizar e caracterizar problemas elétricos sutis que afetam o rendimento, o desempenho e a confiabilidade.
Cada plano de controle de descarga eletrostática (ESD) é necessário para identificar dispositivos sensíveis à ESD. Oferecemos um conjunto completo de sistemas de teste para ajudar com os requisitos de qualificação do seu dispositivo.
A demanda contínua dos consumidores impulsiona a criação de dispositivos eletrônicos menores, mais rápidos e mais baratos. Sua produção depende de instrumentos e fluxos de trabalho de alta produtividade que fazem imagens, analisam e caracterizam uma ampla gama de semicondutores e dispositivos de exibição.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
Para garantir o desempenho ideal do sistema, fornecemos acesso a uma rede de especialistas em serviços de campo, suporte técnico e peças de reposição certificadas.