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The increasing complexity of semiconductor device structures, along with the shrinking of structural dimensions, means that designing next-generation devices is more challenging and time-consuming than ever before. This, coupled with the fact that the number of technology and design options available is increasing, means a lower probability that any particular design will be commercially successful. As a result, device manufacturers need reliable tools for pathfinding that reduce the number of viable options available and help them implement solutions faster.
The complexity of considering all the chip, package, and system integration options that exist has made implementation an intimidating task. As a result, continuing evolution of the most advanced pathfinding capability has become a requirement in efficient semiconductor device design. Adding to this level of complexity are structures with multifaceted 3D architectures. Isolating defects or resolving material interfaces in a focused-ion-beam (FIB) cut structural cross-section requires highly precise preparation and subsequent scanning electron microscopy (SEM) or scanning transmission electron microscopy (STEM) imaging. Precision FIB editing tools can also perform microsurgery and nanoprototyping of new circuit designs. Finally, due to limited floorspace and budgets, labs are pushing to have multiple analysis options in a single system to get the most comprehensive data in the shortest possible time.
Thermo Fisher Scientific provides a full suite of analytical instruments that enable advanced R&D on innovative logic, memory, power and display device technologies. We offer the most advanced capability to perform high-end atomic-level research and prototyping, using STEM and FIB microscopy.
As rotinas de metrologia TEM avançadas e automatizadas oferecem uma precisão significativamente maior do que os métodos manuais. Isso permite que os usuários gerem grandes quantidades de dados estatisticamente relevantes, com especificidade de nível subangstrom sem o viés do operador.
Os microscópios eletrônicos de transmissão da Thermo Fisher Scientific oferecem imagens de alta resolução e análise de dispositivos semicondutores, permitindo que os fabricantes calibrem conjuntos de ferramentas, diagnostiquem mecanismos de falha e otimizem o rendimento geral do processo.
Os sistemas DualBeam da Thermo Scientific fornecem preparação precisa de amostra TEM para análise em escala atômica de dispositivos semicondutores. A automação e as tecnologias avançadas de aprendizado de máquina produzem amostras de alta qualidade, no local correto e com um baixo custo por amostra.
A Thermo Fisher Scientific oferece microscópios eletrônicos de varredura para todas as funções de um laboratório de semicondutores, desde tarefas gerais de aquisição de imagens até técnicas avançadas de análise de falhas que exigem medições precisas de contraste de tensão.
Projetos cada vez mais complexos dificultam o isolamento de falhas e defeitos na fabricação de semicondutores. As técnicas de isolamento óptico de falhas permitem analisar o desempenho de dispositivos eletricamente ativos para localizar defeitos críticos que causam falhas no dispositivo.
A distribuição desigual da dissipação de energia local pode causar grandes aumentos localizados de temperatura, causando a falha do dispositivo. Oferecemos soluções exclusivas para isolamento térmico de falhas com termografia por infravermelho (LIT) de alta sensibilidade.
Soluções avançadas e dedicadas de edição de circuitos e nanoprototipagem, que combinam novos sistemas de distribuição de gás com um amplo portfólio de substâncias químicas e tecnologia de feixe de íons focalizados, oferecem controle e precisão incomparáveis para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
A ablação a laser fornece desbaste de alto rendimento de dispositivos semicondutores para aquisição de imagens e análise com microscopia eletrônica e, ao mesmo tempo, preserva a integridade da amostra. Acesse dados 3D de grande volume e otimize as condições de desbaste com melhor adequação ao tipo da amostra.
A tomografia por sonda atômica (APT) fornece análise de composição de resolução atômica 3D de materiais. A microscopia de feixe de íons focalizados (FIB) é uma técnica essencial para a preparação de amostra de alta qualidade, orientada e específica de local para a caracterização APT.
Reduzir o tamanho do recurso, juntamente com um desenho e arquitetura avançados, resulta em uma análise de falha cada vez mais desafiadora para semicondutores. A remoção de camadas sem danos aos dispositivos é uma técnica crítica para a detecção de defeitos e falhas elétricas ocultos.
As rotinas de metrologia TEM avançadas e automatizadas oferecem uma precisão significativamente maior do que os métodos manuais. Isso permite que os usuários gerem grandes quantidades de dados estatisticamente relevantes, com especificidade de nível subangstrom sem o viés do operador.
Os microscópios eletrônicos de transmissão da Thermo Fisher Scientific oferecem imagens de alta resolução e análise de dispositivos semicondutores, permitindo que os fabricantes calibrem conjuntos de ferramentas, diagnostiquem mecanismos de falha e otimizem o rendimento geral do processo.
Os sistemas DualBeam da Thermo Scientific fornecem preparação precisa de amostra TEM para análise em escala atômica de dispositivos semicondutores. A automação e as tecnologias avançadas de aprendizado de máquina produzem amostras de alta qualidade, no local correto e com um baixo custo por amostra.
A Thermo Fisher Scientific oferece microscópios eletrônicos de varredura para todas as funções de um laboratório de semicondutores, desde tarefas gerais de aquisição de imagens até técnicas avançadas de análise de falhas que exigem medições precisas de contraste de tensão.
Projetos cada vez mais complexos dificultam o isolamento de falhas e defeitos na fabricação de semicondutores. As técnicas de isolamento óptico de falhas permitem analisar o desempenho de dispositivos eletricamente ativos para localizar defeitos críticos que causam falhas no dispositivo.
A distribuição desigual da dissipação de energia local pode causar grandes aumentos localizados de temperatura, causando a falha do dispositivo. Oferecemos soluções exclusivas para isolamento térmico de falhas com termografia por infravermelho (LIT) de alta sensibilidade.
Soluções avançadas e dedicadas de edição de circuitos e nanoprototipagem, que combinam novos sistemas de distribuição de gás com um amplo portfólio de substâncias químicas e tecnologia de feixe de íons focalizados, oferecem controle e precisão incomparáveis para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
A ablação a laser fornece desbaste de alto rendimento de dispositivos semicondutores para aquisição de imagens e análise com microscopia eletrônica e, ao mesmo tempo, preserva a integridade da amostra. Acesse dados 3D de grande volume e otimize as condições de desbaste com melhor adequação ao tipo da amostra.
A tomografia por sonda atômica (APT) fornece análise de composição de resolução atômica 3D de materiais. A microscopia de feixe de íons focalizados (FIB) é uma técnica essencial para a preparação de amostra de alta qualidade, orientada e específica de local para a caracterização APT.
Reduzir o tamanho do recurso, juntamente com um desenho e arquitetura avançados, resulta em uma análise de falha cada vez mais desafiadora para semicondutores. A remoção de camadas sem danos aos dispositivos é uma técnica crítica para a detecção de defeitos e falhas elétricas ocultos.
À medida que os dispositivos semicondutores encolhem e se tornam mais complexos, há a necessidade de novos desenhos e estruturas. Os fluxos de trabalho de análise 3D de alta produtividade podem reduzir o tempo de desenvolvimento de dispositivos, maximizar o rendimento e garantir que os dispositivos atendam às necessidades futuras do setor.
Para garantir o desempenho ideal do sistema, fornecemos acesso a uma rede de especialistas em serviços de campo, suporte técnico e peças de reposição certificadas.