Atom probe tomography

Atom probe tomography enables atomic-resolution characterization of sample structure and elemental composition. This technique, which removes individual atoms from the sample surface (as ions) and measures their identity with a mass spectrometer, requires that the sample is in the form of a sharp tip to eject the ions for analysis. Focused ion beam (FIB) milling is well suited for this particular type of sample preparation as it can remove highly precise quantities of material. When coupled with a scanning electron microscope (SEM), as in DualBeam (FIB-SEM) instruments, the milling process can be visually monitored in real-time.

APT sample preparation with a PFIB DualBeam
APT sample rough milling and lift-out with a plasma focused ion beam (PFIB). Images (a-b) are SEM of the sample rough milled by a 2.5 µA FIB with free J-cut completed on one side and bottom. Images (c-f) are FIB images of the lift-out process, with one lift for multiple APT samples.

APT analysis

The fundamental criteria for a good APT sample are:

  • Site-specific and non site-specific sample preparation capability
  • Needle-shaped specimen with tip radius typically less than 50 nm
  • Uniform, circular cross-section of the tip to produce a radially symmetric electric field
  • Correct taper angle for significant evaporation events to occur
  • Minimal damage introduced to the tip during specimen preparation (apex region of needle should represent original sample in terms of microstructure and composition)

Thermo Scientific DualBeam instruments offer gallium FIB and plasma FIB (PFIB) milling for high-quality APT sample preparation. With the Thermo Scientific Helios Hydra DualBeam, a range of plasma ion species (oxygen, argon, nitrogen, or xenon) can uniquely be applied within the same instrument to determine which ion is best suited for milling a given sample. The process can also be automated with Thermo Scientific Autoscript Software, greatly reducing the burden of repetitive sample preparation.

APT semiconductor analysis

Atom probe tomography sample
Thinned, site-specific sample ready for atom probe tomography (APT) data collection.

The shrinking of semiconductor devices means smaller and smaller architectures are used in their design process, requiring higher resolution characterization. Atom probe tomography (APT) is increasingly used in advanced semiconductor analysis, as it enables detection, visualization, and analysis of these structures, along with elemental composition, at very low concentrations.

However, APT requires the preparation of high-quality, high-yield, and site-specific atom probe tips. This can be a daunting challenge due to the strict criteria applied to these tips. For example, the needle-shaped specimen needs a tip radius of less than 50 nm, a uniform circular cross-section to produce a radially symmetric electric field, correct taper angle for evaporation events to occur, and minimal damage introduced to the tip during preparation.

Focused ion beam (FIB) milling using DualBeam (combined FIB and scanning electron microscopy) technology is ideally suited for this particular type of preparation, as milling allows for highly precise quantities of material to be removed while being monitored in real time. Thermo Fisher Scientific has introduced Thermo Scientific Atom Probe LX Software and the Thermo Scientific Helios 5 FX DualBeam, brand new sample preparation technology that automates the atom probe tip milling process, making it reliable, precise, and repeatable.

These high-quality tips allow you to detect phenomena such as etch-related impurities (e.g. fluorides, chlorides) at interfaces, hydrogen distribution within features, heavy metal diffusion into the gate oxide, and lateral diffusion of dopants in epi-layers. See the Helios 5 FX DualBeam product page for more information. 


Resources

Applications

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Pesquisa de materiais fundamentais

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Desenvolvimento e localização de semicondutores

Microscopia eletrônica avançada, feixe de íon focalizado e técnicas analíticas associadas para identificar soluções viáveis e métodos de desenho para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho.

Análise de falha de semicondutores

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Caracterização física e química

A demanda contínua dos consumidores impulsiona a criação de dispositivos eletrônicos menores, mais rápidos e mais baratos. Sua produção depende de instrumentos e fluxos de trabalho de alta produtividade que fazem imagens, analisam e caracterizam uma ampla gama de semicondutores e dispositivos de exibição.


Samples


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Pesquisa de metais

A produção efetiva de metais requer um controle preciso de inclusões e precipitações. Nossas ferramentas automatizadas podem executar uma série de tarefas críticas para a análise de metais, incluindo: contagem de nanopartículas, análise química de EDS e preparação de amostras de TEM.

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Pesquisa geológica

A geociência depende da observação consistente e precisa em várias escalas de recursos em amostras de rochas. A SEM-EDS, combinada com software de automação, permite a análise direta e em larga escala da textura e da composição mineral para a pesquisa da petrologia e da mineralogia.

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Pesquisa de catálise

Os catalisadores são essenciais para a maioria dos processos industriais modernos. Sua eficiência depende da composição e da morfologia microscópicas das partículas catalíticas. A EM com EDS é a técnica ideal para estudar essas propriedades.

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Materiais semicondutores e caracterização de dispositivos

À medida que os dispositivos semicondutores encolhem e se tornam mais complexos, há a necessidade de novos desenhos e estruturas. Os fluxos de trabalho de análise 3D de alta produtividade podem reduzir o tempo de desenvolvimento de dispositivos, maximizar o rendimento e garantir que os dispositivos atendam às necessidades futuras do setor.

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Style Sheet for Komodo Tabs

Products

Folha de estilo para cartões de instrumentos original

Helios Hydra DualBeam

  • Quatro espécies de íons alternáveis rápidas (Xe, Ar, O, N) para processamento PFIB otimizado da mais ampla gama de materiais
  • Preparação de amostra TEM sem gálio
  • Imagem SEM de resolução extremamente alta

Helios 5 DualBeam

  • Preparação de amostra TEM ultrafina, totalmente automatizada e de alta qualidade
  • Alta produtividade, subsuperfície de alta resolução e caracterização 3D
  • Recursos rápidos de nanoprototipagem

Helios 5 PFIB DualBeam

  • Preparação de amostra STEM e TEM sem gálio
  • Subsuperfície multimodal e informações 3D
  • Coluna FIB de plasma de xênon de 2,5 μA de próxima geração

Scios 2 DualBeam

  • Compatibilidade total com amostras magnéticas e não condutoras
  • Subsuperfície de alto rendimento e caracterização 3D
  • Recursos avançados de facilidade de uso e automação

AutoScript 4

  • melhor reprodutibilidade e precisão
  • Geração de imagens e padronização não assistidas e de alta produtividade
  • Compatível com ambiente de script baseado em Python 3.5

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