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The fabrication of nanostructures and architectures with uniform dimensions is highly desirable for developing functional semiconductor devices. As these devices shrink, the fabrication of new designs and more complex structures, using novel materials, is needed to meet corresponding challenges. To this end, highly sensitive and advanced analytical tools must be used to detect the slightest electrical issues that can influence yield or performance in these more advanced structures.
As an example, analysis might include isolating electrical faults that cause semiconductor devices to fail at end-of-line tests. Defects, like metal shorts, opens, and transistor-level leakages, are localized in the failure analysis workflow to identify and troubleshoot failures, increasing overall device manufacturing yield. This helps to improve cost-effectiveness, and provides high-sensitivity solutions for detecting electrical failures.
Thermo Fisher Scientific 3D analysis solutions and workflows offer high-productivity characterization on a broad range of devices and sample types - from packaged die, bare die, to 150 mm, 200 mm and 300 mm wafers.
Microscopia eletrônica avançada, feixe de íon focalizado e técnicas analíticas associadas para identificar soluções viáveis e métodos de desenho para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho.
Estruturas de dispositivos semicondutores cada vez mais complexas resultam em mais locais onde defeitos que induzem falhas podem se ocultar. Nossos fluxos de trabalho de última geração o ajudam a localizar e caracterizar problemas elétricos sutis que afetam o rendimento, o desempenho e a confiabilidade.
A demanda contínua dos consumidores impulsiona a criação de dispositivos eletrônicos menores, mais rápidos e mais baratos. Sua produção depende de instrumentos e fluxos de trabalho de alta produtividade que fazem imagens, analisam e caracterizam uma ampla gama de semicondutores e dispositivos de exibição.
Cada plano de controle de descarga eletrostática (ESD) é necessário para identificar dispositivos sensíveis à ESD. Oferecemos um conjunto completo de sistemas de teste para ajudar com os requisitos de qualificação do seu dispositivo.
Oferecemos recursos analíticos avançados para análise de defeitos, metrologia e controle de processos projetados para ajudar a aumentar a produtividade e melhorar o rendimento em uma variedade de aplicações e dispositivos semicondutores.
As rotinas de metrologia TEM avançadas e automatizadas oferecem uma precisão significativamente maior do que os métodos manuais. Isso permite que os usuários gerem grandes quantidades de dados estatisticamente relevantes, com especificidade de nível subangstrom sem o viés do operador.
Os microscópios eletrônicos de transmissão da Thermo Fisher Scientific oferecem imagens de alta resolução e análise de dispositivos semicondutores, permitindo que os fabricantes calibrem conjuntos de ferramentas, diagnostiquem mecanismos de falha e otimizem o rendimento geral do processo.
Soluções avançadas e dedicadas de edição de circuitos e nanoprototipagem, que combinam novos sistemas de distribuição de gás com um amplo portfólio de substâncias químicas e tecnologia de feixe de íons focalizados, oferecem controle e precisão incomparáveis para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores.
A microscopia eletrônica de varredura fornece dados metrológicos nanométricos precisos e confiáveis. A metrologia SEM de resolução ultra-alta automatizada reduz o tempo de produção e o tempo de lançamento no mercado de aplicações de memória, lógica e armazenamento de dados.
A Thermo Fisher Scientific oferece microscópios eletrônicos de varredura para todas as funções de um laboratório de semicondutores, desde tarefas gerais de aquisição de imagens até técnicas avançadas de análise de falhas que exigem medições precisas de contraste de tensão.
Projetos cada vez mais complexos dificultam o isolamento de falhas e defeitos na fabricação de semicondutores. As técnicas de isolamento óptico de falhas permitem analisar o desempenho de dispositivos eletricamente ativos para localizar defeitos críticos que causam falhas no dispositivo.
A distribuição desigual da dissipação de energia local pode causar grandes aumentos localizados de temperatura, causando a falha do dispositivo. Oferecemos soluções exclusivas para isolamento térmico de falhas com termografia por infravermelho (LIT) de alta sensibilidade.
Os sistemas DualBeam da Thermo Scientific fornecem preparação precisa de amostra TEM para análise em escala atômica de dispositivos semicondutores. A automação e as tecnologias avançadas de aprendizado de máquina produzem amostras de alta qualidade, no local correto e com um baixo custo por amostra.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
A ablação a laser fornece desbaste de alto rendimento de dispositivos semicondutores para aquisição de imagens e análise com microscopia eletrônica e, ao mesmo tempo, preserva a integridade da amostra. Acesse dados 3D de grande volume e otimize as condições de desbaste com melhor adequação ao tipo da amostra.
Reduzir o tamanho do recurso, juntamente com um desenho e arquitetura avançados, resulta em uma análise de falha cada vez mais desafiadora para semicondutores. A remoção de camadas sem danos aos dispositivos é uma técnica crítica para a detecção de defeitos e falhas elétricas ocultos.
A descarga eletrostática (ESD) pode danificar pequenas características e estruturas em semicondutores e circuitos integrados. Oferecemos um conjunto abrangente de equipamentos de teste que verifica se os dispositivos atendem aos padrões de conformidade de ESD desejados.
As rotinas de metrologia TEM avançadas e automatizadas oferecem uma precisão significativamente maior do que os métodos manuais. Isso permite que os usuários gerem grandes quantidades de dados estatisticamente relevantes, com especificidade de nível subangstrom sem o viés do operador.
Os microscópios eletrônicos de transmissão da Thermo Fisher Scientific oferecem imagens de alta resolução e análise de dispositivos semicondutores, permitindo que os fabricantes calibrem conjuntos de ferramentas, diagnostiquem mecanismos de falha e otimizem o rendimento geral do processo.
Soluções avançadas e dedicadas de edição de circuitos e nanoprototipagem, que combinam novos sistemas de distribuição de gás com um amplo portfólio de substâncias químicas e tecnologia de feixe de íons focalizados, oferecem controle e precisão incomparáveis para o desenvolvimento de dispositivos semicondutores.
A microscopia eletrônica de varredura fornece dados metrológicos nanométricos precisos e confiáveis. A metrologia SEM de resolução ultra-alta automatizada reduz o tempo de produção e o tempo de lançamento no mercado de aplicações de memória, lógica e armazenamento de dados.
A Thermo Fisher Scientific oferece microscópios eletrônicos de varredura para todas as funções de um laboratório de semicondutores, desde tarefas gerais de aquisição de imagens até técnicas avançadas de análise de falhas que exigem medições precisas de contraste de tensão.
Projetos cada vez mais complexos dificultam o isolamento de falhas e defeitos na fabricação de semicondutores. As técnicas de isolamento óptico de falhas permitem analisar o desempenho de dispositivos eletricamente ativos para localizar defeitos críticos que causam falhas no dispositivo.
A distribuição desigual da dissipação de energia local pode causar grandes aumentos localizados de temperatura, causando a falha do dispositivo. Oferecemos soluções exclusivas para isolamento térmico de falhas com termografia por infravermelho (LIT) de alta sensibilidade.
Os sistemas DualBeam da Thermo Scientific fornecem preparação precisa de amostra TEM para análise em escala atômica de dispositivos semicondutores. A automação e as tecnologias avançadas de aprendizado de máquina produzem amostras de alta qualidade, no local correto e com um baixo custo por amostra.
Conforme a complexidade do dispositivo aumenta, também aumenta o número de locais onde os defeitos podem ficar ocultos. A nanoamostragem fornece a localização precisa de falhas elétricas, o que é crítico para um fluxo de trabalho eficaz na análise de falhas na microscopia eletrônica de transmissão.
A ablação a laser fornece desbaste de alto rendimento de dispositivos semicondutores para aquisição de imagens e análise com microscopia eletrônica e, ao mesmo tempo, preserva a integridade da amostra. Acesse dados 3D de grande volume e otimize as condições de desbaste com melhor adequação ao tipo da amostra.
Reduzir o tamanho do recurso, juntamente com um desenho e arquitetura avançados, resulta em uma análise de falha cada vez mais desafiadora para semicondutores. A remoção de camadas sem danos aos dispositivos é uma técnica crítica para a detecção de defeitos e falhas elétricas ocultos.
A descarga eletrostática (ESD) pode danificar pequenas características e estruturas em semicondutores e circuitos integrados. Oferecemos um conjunto abrangente de equipamentos de teste que verifica se os dispositivos atendem aos padrões de conformidade de ESD desejados.
Para garantir o desempenho ideal do sistema, fornecemos acesso a uma rede de especialistas em serviços de campo, suporte técnico e peças de reposição certificadas.