Troubleshooting semiconductor device failure is critical for improving manufacturing yield, reducing costs, and minimizing overall end-of-line test failures. However, isolating faults and defects (e.g. opens, metal shorts, and leakages) in the failure analysis workflow is becoming more challenging due to increasingly complex semiconductor designs.

Optical fault isolation (OFI) is a type of electrical failure analysis that makes use of a variety of optical techniques (photon-emission, static laser stimulation, etc.) to detect the causes of device failure.

This can include both static and dynamic OFI:

Folha de estilo para especificações de tabela de produtos
Static OFI techniquesDynamic OFI techniques
Optical beam Induced resistance change (OBIRCH)Laser voltage imaging (LVI)
Optical beam induced current (OBIC)Laser Voltage Probing (LVP)
Light induced voltage alteration (LIVA)Laser voltage tracing (LVT)
Thermally induced voltage alteration (TIVA)Laser-assisted device alteration (LADA)
Static photon emission (PEM)Soft defect localization (SDL)
 Dynamic photon emission (PEM)

Broadly, these techniques allow the user to analyze the performance of electrically active devices and locate critical defects that cause a device to fail.  Understanding these defects, and then eliminating them from the manufacturing process, is crucial if modern fabs are to operate at high yield and profitability.

Thermo Fisher Scientific offers a variety of optical fault isolation systems as part of the Meridian product line. This includes all of the above OFI techniques, encompassing systems for both photon emission and laser stimulation applications. The Meridian product line consists of cost-effective, high-sensitivity solutions for localizing electrical failures in semiconductor devices, and is especially powerful when combined with other analysis workflows and solutions from Thermo Fisher Scientific's portfolio. Click through to the appropriate product pages below for more information.

Semiconductor optical fault isolation workflow example

 


Resources

Applications

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Desenvolvimento e localização de semicondutores

Microscopia eletrônica avançada, feixe de íon focalizado e técnicas analíticas associadas para identificar soluções viáveis e métodos de desenho para a fabricação de dispositivos semicondutores de alto desempenho.

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Rampa de escoamento e metrologia

Oferecemos recursos analíticos avançados para análise de defeitos, metrologia e controle de processos projetados para ajudar a aumentar a produtividade e melhorar o rendimento em uma variedade de aplicações e dispositivos semicondutores.

Análise de falha de semicondutores

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Estruturas de dispositivos semicondutores cada vez mais complexas resultam em mais locais onde defeitos que induzem falhas podem se ocultar. Nossos fluxos de trabalho de última geração o ajudam a localizar e caracterizar problemas elétricos sutis que afetam o rendimento, o desempenho e a confiabilidade.

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Caracterização física e química

A demanda contínua dos consumidores impulsiona a criação de dispositivos eletrônicos menores, mais rápidos e mais baratos. Sua produção depende de instrumentos e fluxos de trabalho de alta produtividade que fazem imagens, analisam e caracterizam uma ampla gama de semicondutores e dispositivos de exibição.

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Qualificação de semicondutores ESD

Cada plano de controle de descarga eletrostática (ESD) é necessário para identificar dispositivos sensíveis à ESD. Oferecemos um conjunto completo de sistemas de teste para ajudar com os requisitos de qualificação do seu dispositivo.


Samples


Materiais semicondutores e caracterização de dispositivos

À medida que os dispositivos semicondutores encolhem e se tornam mais complexos, há a necessidade de novos desenhos e estruturas. Os fluxos de trabalho de análise 3D de alta produtividade podem reduzir o tempo de desenvolvimento de dispositivos, maximizar o rendimento e garantir que os dispositivos atendam às necessidades futuras do setor.

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Products

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Sistema Meridian S

  • Diagnóstico de falhas com a tecnologia de sonda ativa
  • Opções de estimulação a laser estática (SLS/OBIRCH) e emissão de fótons
  • Compatível com estimulação de microssondagem e de dispositivos de cartão de sonda

Sistema Meridian WS-DP

  • Detecção de emissão de fótons de baixa tensão, baixo ruído e alta sensibilidade com sistemas de câmera de banda larga DBX ou InGaAs
  • Microscópio de varredura a laser com vários comprimentos de onda para análise da cadeia de varredura, mapeamento de frequência, sondagem de transistor e isolamento de falhas

Sistema Meridian 7

  • Isolamento dinâmico de falhas ópticas para nós de 10 nm e inferiores
  • Luz visível e infravermelha de alta resolução
  • Preparação de amostra de alto rendimento para 5 μm amplamente disponível

Sistema Meridian IV

  • Detecção de emissão de fóton DBX de comprimento de onda estendido de alta sensibilidade
  • Detecção de emissão de fótons InGaAs padrão
  • Microscópio de varredura a laser com várias opções de comprimento de onda

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