对更快、更小和更多互联设备的需求继续推动原子级技术的发展。研究人员和工程师需要在这些维度进行可靠和快速的分析和表征,这只有透射电子显微镜 (TEM) 才能提供。

Thermo Scientific Talos F200E(扫描)透射电子显微镜提供具有极小失真的高分辨率 STEM 和 TEM 成像,其结合高通量能量散射 X 射线谱 (EDS) 功能,专为多种半导体缺陷分析和研究应用而设计。

用于半导体和微电子分析的高生产率解决方案

支持快节奏的工艺开发和良率提升,这使得半导体分析实验室能够显著应变,因为它们必须能够对多种材料和设备进行可重复的高分辨率表征。Talos F200E (S)TEM 设计时考虑到这些实验室,与先前 Talos 模型相比提供了 >1.5 倍快速 EDS 分析,且 TEM 图像失真 ≤ 1%。速度和重复性改进使 Talos F200E (S)TEM 成为设备分析、缺陷表征和良率支持的行业选择。


主要特点

高质量 (S)TEM 成像

高通量 TEM 成像,尽可能减少失真同时进行多信号检测和对比度优化的 STEM 成像。

精确、高速化学表征

快速、精确、定性或定量 EDS 采集和分析。

致力于半导体相关应用

包括:标本-载物台同步实时 TEM 图像旋转、多 STEM 检测器同时操作、集成微分相差 (iDPC) 成像、STEM 视野匹配、即时 EDS 图谱量化、图像失真极小等。


规格

产品表格规范样式表
X-FEG 的亮度1.8 × 109 A/cm2 srad(200 kV 下)
总射束电流> 50 nA
EDS 系统超级 X双 X
完全立体角0.9 srad2.56 srad
有效立体角*0.9 srad1.65 srad
检测器4 SDD2 个更大的 SDD
相机具有 Thermo Scientific Ceta-M 相机的低失真 4k × 4k
STEMPanther STEM 分段检测器
SEMI S2经认证
STEM 分辨率≤ 0.16 nm
TEM 信息限度≤ 0.12 nm
TEM 线分辨率≤ 0.10 nm
最大衍射角24˚
Z 轴运动± 0.375 mm
TEM 图像线性失真≤ 1%
TEM 图像变化(可选)≤ 1%
Gatan Continuum 过滤器可选

应用

半导体故障分析

半导体故障分析

越来越复杂的半导体器件结构导致更多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们的新一代半导体分析工作流程可帮助您定位和表征影响量产、性能和可靠性的细微的电子问题。

物理和化学表征

物理和化学表征

持续的消费者需求推动了创建更小型、更快和更便宜的电子设备。它们的生产依赖高效的仪器和工作流程,可对多种半导体和显示设备进行电子显微镜成像、分析和表征。

电源半导体设备分析

电源半导体设备分析

电源设备让定位故障面临独特的挑战,主要是由于电源设备结构和布局。我们的电源设备分析工具和工作流程可在工作条件下快速实现故障定位并提供精确、高通量的分析,以便表征材料、接口和设备结构。

显示设备故障分析

显示设备故障分析

不断发展的显示技术旨在提高显示质量和光转换效率,以支持不同行业领域的应用,同时继续降低生产成本。我们的过程计量、故障分析和研发解决方案帮助显示公司解决这些挑战。


联系我们

用于将应用程序 H3 更改为具有 em-h3-header 类 p 的样式表
用于将 H3 更改为具有 em-h3-header 类 p 的样式表
用于将 H2 样式更改为具有 em-h2-header 类 p 的样式表
Style Sheet for Komodo Tabs
支持和服务页脚样式表
字体样式表
卡片样式表