Search Thermo Fisher Scientific
Thermo Scientific Hyperion II 系统可带来快速、准确的晶体管探测电性表征和故障定位功能，为半导体技术发展、良率提升以及器件可靠性的改善提供有力的支持。Hyperion II 系统卓越的稳定性可将纳米探测带入低至 5 nm 及以下的技术节点。
Hyperion II 系统的 SPM 技术支持 PicoCurrent 成像，该技术可快速识别短路、开路、漏电路径和电阻触点，其灵敏度比被动式电压对比度高 1,000 倍以上。扫描电容显微镜检查 (SCM) 模块提供基于图像的绝缘体上硅 (SOI) 晶片故障定位，以及高分辨率掺杂剂谱图分析。
功能
| 测量模式 Hyperion II 系统的先进测量模式包括：
|
PicoCurrent 图像（左）指示可疑晶体管，而 I-V 曲线（右）验证异常电性。
电流-电压 (I-V) 测量
探测目标区域内的多个晶体管以定位故障是一项耗时的工作。Hyperion II 系统结合了 I-V 探测的 PicoCurrent 成像功能，可快速找到潜在缺陷，并测量电流-电压曲线，不会引入测量相关偏移。
C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。
电容电压 (C-V) 测量
C-V 用于研究氧化物层、界面阱和电荷载体密度。Hyperion II 系统提供高分辨率 C-V，具有出色的阻抗控制、低漏电和极低噪声。
脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对器件进行高速测试，上升时间短于 2 纳秒。
脉冲 I-V 测量
脉冲 I-V 用于研究高 k 介质中 SOI 和捕获电荷的自加热。Hyperion II 系统可对器件进行高速测试，上升时间短于 2 纳秒。
快速故障定位
集成 PicoCurrent 成像和扫描电容显微镜检查 (SCM) 可快速识别纳米探测的故障候选项。
eFast 指导性操作
半自动分步引导性操作，可提高生产率、易于使用并减轻培训负担。
无电子束-样品相互作用
原子力探针图像和探针特点，无需 SEM 成像和真空系统。
Style Sheet for Komodo Tabs
用于将 H2 样式更改为具有 em-h2-header 类 p 的样式表
支持和服务页脚样式表
字体样式表
卡片样式表