电子设备市场持续面临着来自消费者的压力,需要不断开发更小、更快、更便宜、更节能器件以满足消费者的需求。这就要求半导体设计的尺寸变得越来越小,同时需要不断缩短产出时间和上市时间。遗憾的是,大多数常用技术和工作流程不足以表征这些半导体器件的微小特征。

因此,需要新颖且高生产率的透射电镜 (TEM) 工作流程来对下一代半导体器件结构进行成像和分析。这些半导体器件的高级表征可帮助您掌握必要的性能、预测和控制结构、理化特性,以及将您的表征数据与参数检验结果相关联。

Thermo Fisher Scientific 为您提供的半导体器件表征工作流程拥有高效率,可让您快速获得直接影响半导体器件良率、性能和可靠性的参数,包括物理、结构和化学特性。点击以下流程中的相关步骤,了解更多我们相关产品系列的信息,并深入了解这些半导体器件表征工作流程如何满足您的特定需求。


半导体器件表征工作流程示例

 

 

Style Sheet for Komodo Tabs

半导体器件表征相关技术

纳米探针

随着设备复杂性的增加,隐藏缺陷的位置数量也随之增加。纳米探针可提供电气故障的精确定位、这对于有效的透射电镜故障分析工作流程至关重要。

了解更多 ›

半导体TEM成像和分析

Thermo Fisher Scientific 透射电镜可对半导体器件进行高分辨率成像和分析,使制造商能够校准工具集、诊断故障机制并优化整体流程产量。

了解更多 ›

半导体器件的TEM样品制备

Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品,并且单位样品成本低。

了解更多 ›

半导体扫描电子显微镜分析和成像

赛默飞世尔科技提供适合半导体实验室每个功能的扫描电子显微镜,从一般成像任务到高级故障分析技术,都需要精确的电压对比测量。

了解更多 ›

热故障隔离

本地功率耗散分布不均匀可能导致较大的局部温度上升,从而导致设备故障。我们提供采用高灵敏度锁定红外热成像 (LIT) 技术进行热故障隔离的独特解决方案。

了解更多 ›

APT 样品制备

原子探针断层扫描 (APT) 提供材料的原子分辨率 3D 组成分析。聚焦离子束 (FIB) 显微镜是一项为 APT 表征进行高质量、定向和特定样品制备的基本技术。

了解更多 ›

半导体激光烧蚀

激光烧蚀可为半导体器件提供高通量减薄,以便在保持样品完整性的同时使用电子显微镜进行成像和分析。访问大容量3D数据并优化减薄条件,从而完美匹配您的样品类型。

了解更多 ›

器件扁平化

逐渐缩小的尺寸配以先进的设计和结构,导致半导体的故障分析变得越来越具有挑战性。器件无损扁平化是检测埋藏的电气故障和故障的关键技术。

了解更多 ›

纳米探针

随着设备复杂性的增加,隐藏缺陷的位置数量也随之增加。纳米探针可提供电气故障的精确定位、这对于有效的透射电镜故障分析工作流程至关重要。

了解更多 ›

半导体TEM成像和分析

Thermo Fisher Scientific 透射电镜可对半导体器件进行高分辨率成像和分析,使制造商能够校准工具集、诊断故障机制并优化整体流程产量。

了解更多 ›

半导体器件的TEM样品制备

Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品,并且单位样品成本低。

了解更多 ›

半导体扫描电子显微镜分析和成像

赛默飞世尔科技提供适合半导体实验室每个功能的扫描电子显微镜,从一般成像任务到高级故障分析技术,都需要精确的电压对比测量。

了解更多 ›

热故障隔离

本地功率耗散分布不均匀可能导致较大的局部温度上升,从而导致设备故障。我们提供采用高灵敏度锁定红外热成像 (LIT) 技术进行热故障隔离的独特解决方案。

了解更多 ›

APT 样品制备

原子探针断层扫描 (APT) 提供材料的原子分辨率 3D 组成分析。聚焦离子束 (FIB) 显微镜是一项为 APT 表征进行高质量、定向和特定样品制备的基本技术。

了解更多 ›

半导体激光烧蚀

激光烧蚀可为半导体器件提供高通量减薄,以便在保持样品完整性的同时使用电子显微镜进行成像和分析。访问大容量3D数据并优化减薄条件,从而完美匹配您的样品类型。

了解更多 ›

器件扁平化

逐渐缩小的尺寸配以先进的设计和结构,导致半导体的故障分析变得越来越具有挑战性。器件无损扁平化是检测埋藏的电气故障和故障的关键技术。

了解更多 ›

半导体器件表征相关样品


半导体材料和器件表征

随着半导体器件的缩小和变得越来越复杂,半导体产品需要新的设计和结构。高效的 3D 分析工作流程可以缩短器件开发时间,最大程度提高产量,并确保器件符合行业未来需求。

了解更多 ›


半导体器件表征相关产品

仪器卡片原件样式表

Spectra Ultra

  • 适用于大多数电子束敏感材料的新成像和光谱分析功能
  • 利用 Ultra-X 进行 EDX 检测的飞跃
  • 色谱柱旨在保持样品完整性。

Helios 5 DualBeam

  • 全自动、高质量、超薄 TEM 样品制备
  • 高通量、高分辨率的亚表面和 3D 表征
  • 快速纳米原型设计能力

Talos F200E TEM

  • 半导体和微电子装置的高质量 (S)TEM 成像
  • 使用 EDS 进行精确、高速的化学表征
  • 专用半导体相关应用

Metrios AX TEM

  • 支持质量、一致性、计量以及减少 OPEX 的自动化选项
  • 充分利用机器学习实现出色的自动功能和特征识别
  • 适用于原位非原位两种薄片制备的工作流程

Scios 2 DualBeam

  • 完全支持磁性及不导电样品
  • 高通量亚表面和 3D 表征
  • 先进的易用性和自动化功能

ExSolve WTP DualBeam

  • 可以在完整晶片上制备直径高达 300 mm 的位点特异性 20 nm 厚薄片
  • 满足需要在先进技术节点上进行自动化高通量采样的需求

Verios 5 XHR SEM

  • 在 1 keV - 30 keV 全能量范围内可实现亚纳米分辨率的单色化 SEM
  • 可轻松访问低至 20 eV 的射束降落能量
  • 优良的稳定性、压电陶瓷样品台作为标准配置

Quattro ESEM

  • 超高通用性高分辨率 FEG SEM 、具有独特的环境能力( ESEM )
  • 在各种操作模式下均可通过同时进行 SE 和 BSE 成像观察所有样品的所有信息

PRISMA E SEM

  • 入门级 SEM 具有出色的图像质量
  • 轻松、快速地加载和导航多个样品
  • 由于专用真空模式、兼容多种材料

Apreo 2 SEM

  • 高性能 SEM、适用于纳米或纳米以下的所有圆分辨率
  • 用于敏感电视率材料对比度的列内 T1 反向散射检测器
  • 长工作距离 (10 mm) 下性能出色

Phenom ProX G6 Desktop SEM

  • 集成 EDS 检测器的高性能桌面 SEM
  • 分辨率 <6 nm (SE) 和 <8 nm (BSE);放大率高达 350,000 倍
  • 可选 SE 检测器

ELITE 系统

  • 完全无损
  • 快速识别装配板上有缺陷的组件以进行准确的处置
  • 以千分尺准确度定位 x-y 缺陷,深度位置准确度高达 20 µm

nProber IV

  • 定位晶体管和 BEOL 故障
  • 热纳米探测(-40°C 至 150°C)
  • 半自动操作

Hyperion II 系统

  • 原子力探测
  • 定位晶体管故障
  • 集成式 PicoCurrent (CAFM)

AutoTEM 5

  • 全自动原位 S/TEM 样品制备
  • 支持上下、平面和翻转几何结构
  • 高度可配置的工作流程
  • 易于使用、直观的用户界面

Auto Slice 和 View 4.0 软件

  • DualBeam 自动连续切片
  • 多模式数据采集(SEM、EDS、EBSD)
  • 实时编辑功能
  • 基于边缘的剪切放置

iFast 软件

  • 可加快配方创建速度的宏记录器
  • 可实现无人值守夜间操作的运行器
  • 对齐工具:图像识别和边缘查找

Inspect 3D 软件

  • 用于交叉关联的图像处理工具和过滤器
  • 用于图像对齐的特征跟踪
  • 用于迭代投影比较的代数重建技术

联系我们

需要了解更多借助电镜技术进行半导体器件表征的相关资料? 请填写下面的表格,我们会尽快与您联系!

支持和服务页脚样式表
字体样式表
卡片样式表

用于材料科学的
半导体

为实现理想的系统性能,我们为您提供了由现场服务专家、技术支持部门和认证备件组成的全球网络支持。

了解更多 ›