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新一代 Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 具有 Helios DualBeam 显微镜产品系列领先业界的高性能电子显微镜成像和分析性能。它经过精心设计,可满足材料科学研究人员和工程师对各种聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 的需求  - 即使是最具挑战性的样品。

Helios 5 DualBeam 重新定义了 高分辨率成像的标准:高材料对比度、快速、简单和精确的高质量S/TEM样品制备APT样品制备,以及高质量的亚表面和 3D 表征。新一代 Helios 5 DualBeam 在 Helios DualBeam 系列成熟功能的基础上改进优化,旨在确保系统于手动或自动工作流程下的最佳运行状态。这些改进包括:

  • 更易于使用:Helios 5 DualBeam 是不同经验用户最易使用的 DualBeam。操作员培训可以从几个月缩短到几天,系统设计可帮助所有操作员在各种高级应用程序上实现一致、可重复的结果。
  • 提高了生产率:Helios 5 DualBeam 和 Thermo Scientific AutoTEM 5 软件的高级自动化功能、增强的稳固性和稳定性允许无人照看甚至夜间操作,显著提高了样品制备通量。
  • 缩短出结果的时间:Helios 5 DualBeam 现在包括新调整图像方法 FLASH。对于传统的显微镜来说,每次操作员需要获取图像时,必须通过迭代对中仔细调整显微镜。使用 Helios 5 DualBeam 时,通过屏幕上的简单手势即可激活 FLASH,从而自动调整这些参数。自动调整可以显着提高通量、数据质量并简化高质量图像的采集。

Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 是行业领先的 Helios DualBeam 系列的第五代产品之一。本款产品经精心设计,可满足科学家和工程师的需求,它将具有极高分辨率成像和高材料对比度的创新性 Elstar 电子柱与可进行快速、简单、精确的高质量样品制备的出色的 Thermo Scientific Tomahawk 离子柱加以结合。除了先进的电子和离子光学系统,Helios 5 DualBeam 还采用了一套最先进的技术,能够实现简单、一致的高分辨率 (S)/TEM 和原子探针断层扫描 (APT) 样品制备,还能够为最具挑战性的样品提供高质量的亚表面和 3D 表征。

Helios 5 DualBeam的主要特点

高质量样品制备

使用高通量 Thermo Scientific Tomahawk 离子镜筒或具有无人可比低电压性能的 Thermo Scientific Phoenix 离子镜筒为 S/TEM 和 APT 分析制备自定义样品。

全自动

使用可选配的 AutoTEM 5 软件进行快速、简单、 全自动、无人值守的多现场原位非原位 TEM 样品制备以及交叉切片。

以最短时间获得纳米级信息

使用一流的 Thermo Scientific Elstar 电子镜筒为任何经验水平的用户提供 Thermo Scientific SmartAlign 和 FLASH 技术支持。

新一代 UC+ 单色器技术

凭借具有更高电流的新一代 UC+ 单色器技术,可以在低能量下实现亚纳米性能,从而显示最细致的细节信息。

完整的样品信息

可通过多达 6 个集成在色谱柱内和透镜下的集成检测器获得清晰、精确且无电荷的对比度。

3D 分析

使用可选配的 Thermo Scientific Auto Slice & View 4 (AS&V4) 软件通过精确靶向目标区域而获得高质量、多模式的亚表面和 3D 信息。

快速纳米原型设计

对临界尺寸小于 10 nm 的复杂结构进行快速、准确、精确的铣削和沉积。

精确的样品导航

在 150-mm 压电载物台的高稳定性和准确性或 110-mm 载物台的灵活性以及腔室内 Thermo Scientific Nav-Cam 摄像机的支持下根据具体应用需求进行定制。

无伪影成像

基于集成的样品清洁度管理和专用成像模式,例如 DCFI 和 SmartScan 模式。

STEM 成像

Thermo Scientific Helios 5 FX 的配置具有独特的原位 3Å 分辨率 STEM 功能,可提供高高效的工作流程。


电镜设备的规格

若要查看 Helios 5 HX DualBeam 和 Helios 5 FX DualBeam 的规格,请下载文档部分中的数据表。

产品表格规范样式表

适用于半导体行业的 Helios 5 DualBeam 规格

  Helios 5 CXHelios 5 HPHelios 5 UXHelios 5 HXHelios 5 FX
  工作准备和 XHR SEM 成像最终样品制备(TEM 片层、APT)埃米级 STEM 成像和样品制备
SEM分辨率20 eV – 30 keV20 eV – 30 keV
着陆能量0.6 nm @ 15 keV
1.0 nm @ 1 keV
0.6 nm @ 2 keV
0.7 nm @ 1 keV​
1.0 nm @ 500 eV
STEM分辨率 @ 30 keV0.7 nm​0.6 nm​0.3 nm​​
FIB 制备工艺最大物料去除率65 nA100 nA65 nA
最佳最终抛光2 kV500 V
TEM 样品制备样品厚度50 nm15 nm​7 nm​
自动化 
样品处理行程110 x 110 x 65 mm110 x 110 x 65 mm150 x 150 x 10 mm100 x 100 x 20 mm100 x 100 x 20 mm
+ 5 轴 (S)TEM 计算机阶段
加载锁手动快速加载器自动手动快速加载器自动自动 + 自动插入/拔出 STEM 杆

用于材料科学的 Helios 5 DualBeam 的规格 

  Helios 5 CXHelios 5 UCHelios 5 UX
离子光学系统 具有出色的高电流性能的 Tomahawk HT 离子柱具有卓越高电流和低电压性能的 Phoenix 离子镜筒
离子束电流范围1 pA – 100 nA1 pA – 65 nA
加速电压范围500 V – 30 kV500 V – 30 kV
最大水平射野宽度在光束重合点处为 0.9 mm在光束重合点处为 0.7 mm
最小离子源寿命1,000 小时1,000 小时
 两级差速抽气
飞行时间 (TOF) 校正
15 位置光阑条
两级差速抽气
飞行时间 (TOF) 校正
15 位置光阑条
电子光学系统Elstar 超高分辨率场发射 SEM 镜筒Elstar 极高分辨率场发射 SEM 镜筒
磁性浸没物镜磁性浸没物镜
可提供稳定的高分辨率分析电流的高稳定性肖特基场发射枪可提供稳定的高分辨率分析电流的高稳定性肖特基场发射枪
电子束分辨率最佳工作距离 (WD) 下30 kV (STEM) 时 0.6 nm
15 kV 时 0.6 nm
1 kV 时 1.0 nm
1 kV(射束减速*)时为 0.9 nm
30 kV (STEM) 时 0.6 nm
1 kV 时 0.7 nm
500 V (ICD) 时 1.0 nm
重合点上15 kV 时 0.6 nm
1 kV(射束减速*和 DBS*)时为 1.5 nm
15 kV 时 0.6 nm
1 kV 时 1.2 nm
电子束参数空间电子束电流范围0.8 pA 至 176 nA0.8 pA 至 100 nA
加速电压范围200 V – 30 kV350 V – 30 kV
着陆能量范围20 eV – 30 keV20 eV – 30 keV
最大水平射野宽度4 mm WD 时 2.3 mm4 mm WD 时 2.3 mm
检测器Elstar 镜筒内 SE/BSE 检测器(TLD-SE、TLD-BSE)
Elstar 色谱柱内 SE/BSE 检测器 (ICD)*
Elstar 色谱柱内 BSE 检测器 (MD)*
Everhart-Thornley SE 检测器 (ETD)
查看样品/色谱柱的 IR 摄像机
用于二级离子 (SI) 和二级电子 (SE) 的高性能腔室内电子和离子检测器 (ICE)*
用于样品导航的 Thermo Scientific 腔室内 Nav-Cam 摄像机*
可伸缩、低电压、高对比度、定向、固态反向散射电子检测器 (DBS)*
带 BF/DF/HAADF 分段的可伸缩 STEM 3+ 检测器*
集成的等离子束电流测量
载物台和样品载物台灵活的 5 轴电动载物台高精度五轴电动载物台,配有压电驱动的 XYR 轴
XY 范围110 mm150 mm
Z 范围65 mm10 mm
旋转360°(无限)360°(无限)
倾斜范围-15° 至 +90°-10° 至 +60°
最大样品高度与共心点间距 85 mm与共心点间距 55 mm
最大样品重量500 g,任何载物台位置上
0° 倾斜下最高 5 千克(适用某些限制)
500 g(包括样品架)
最大样品尺寸完全旋转时 110 mm(也可以是更大的样品,但旋转有限)完全旋转时 150 mm(也可以是更大的样品,但旋转有限)
 计算中心旋转和倾斜计算中心旋转和倾斜

* 可选配,取决于配置

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Helios 5 DualBeam应用的相关资源

使用 Helios DualBeam 采集和 Avizo 重建的陶瓷样品的高质量、高分辨率 3D 表征。对数据进行分隔以分析样品中不同相的分布。样品由 KAIST 提供。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
Thermo Fisher Scientific PFA 演示日

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为满足半导体生产需求,Thermo Fisher Scientific 不断为我们行业领先的故障分析、计量和表征解决方案提供新的功能。

在 Thermo Fisher Scientific PFA 演示日中,我们展示了我们在样品制备和 FinFET 逻辑电路去层方面的全新创新。

按需查看


介绍 Helios 5 DualBeam

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新一代 Thermo Scientific Helios 5 DualBeam 具有 Helios DualBeam 产品系列领先业界的高性能成像和分析性能。

注册并观看我们录制的网络讲座(~ 17 分钟),以了解我们为新的 Helios 5 设计了哪些额外改进优化的地方,以确保系统为多种手动或自动工作流程进行优化。

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多离子种类等离子 FIB 技术的最新应用领域发展动态

注册并观看我们的直播网络讲座,了解领先的研究实验室如何利用我们新推出的 Thermo Scientific Helios 5 Laser PFIBThermo Scientific Helios 5 Hydra DualBeam 推进材料表征工作。

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使用 Helios DualBeam 采集和 Avizo 重建的陶瓷样品的高质量、高分辨率 3D 表征。对数据进行分隔以分析样品中不同相的分布。样品由 KAIST 提供。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
Thermo Fisher Scientific PFA 演示日

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Helios 5 DualBeam的应用

采用电子显微镜进行过程控制

采用电镜进行过程控制

现代工业需求高通量、质量卓越、通过稳健的工艺控制维持平衡。SEM扫描电镜TEM透射电镜工具结合专用的自动化软件,为过程监控和改进提供了快速、多尺度的信息。

使用电子显微镜进行质量控制和故障分析

质量控制和故障分析

质量控制和保证对于现代工业至关重要。我们提供一系列用于缺陷多尺度和多模式分析的 EM电子显微镜和光谱工具,使您可以为过程控制和改进做出可靠、明智的决策。

使用电镜进行基础材料研究

基础材料研究

越来越小的规模研究新型材料,以最大限度地控制其物理和化学特性。电子显微镜为研究人员提供了对微米到纳米级各种材料特性的重要见解。

半导体寻路

半导体探索和开发

先进的电子显微镜、聚焦离子束和相关半导体分析技术可用于识别制造高性能半导体器件的可行解决方案和设计方法。

半导体良率提升和计量

良率提升和计量

我们为缺陷分析、计量学和工艺控制提供先进的分析功能,旨在帮助提高生产率并改善一系列半导体应用和设备的产量。

半导体故障分析

半导体故障分析

越来越复杂的半导体器件结构导致更多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们的新一代半导体分析工作流程可帮助您定位和表征影响量产、性能和可靠性的细微的电子问题。

物理和化学表征

物理和化学表征

持续的消费者需求推动了创建更小型、更快和更便宜的电子设备。它们的生产依赖高效的仪器和工作流程,可对多种半导体和显示设备进行电子显微镜成像、分析和表征。

电源半导体设备分析

电源半导体设备分析

电源设备让定位故障面临独特的挑战,主要是由于电源设备结构和布局。我们的电源设备分析工具和工作流程可在工作条件下快速实现故障定位并提供精确、高通量的分析,以便表征材料、接口和设备结构。

显示设备故障分析

显示设备故障分析

不断发展的显示技术旨在提高显示质量和光转换效率,以支持不同行业领域的应用,同时继续降低生产成本。我们的过程计量、故障分析和研发解决方案帮助显示公司解决这些挑战。


Helios 5 DualBeam相关的电镜技术

(S)TEM 样品制备

DualBeam显微镜可制备用于(S)TEM分析的高质量、超薄样品。借助先进的自动化技术,任何经验水平的用户都可以获得各种材料的专家级结果。

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3D 材料表征

材料开发通常需要多尺度3D表征。DualBeam仪器可实现大体积连续切片和随后纳米级的SEM成像,可用于样品的高质量3D重建。

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纳米原型设计

由于技术不断地小型化,对纳米级设备和结构的需求不断增加。使用DualBeam仪器进行3D纳米原型设计可帮助您快速设计、创建和检查微尺度和纳米级功能原型。

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APT 样品制备

原子探针断层扫描 (APT) 提供材料的原子分辨率 3D 组成分析。聚焦离子束 (FIB) 显微镜是一项为 APT 表征进行高质量、定向和特定样品制备的基本技术。

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交叉切片

交叉切片通过揭示亚表面信息提供额外的剖析。DualBeam仪器配备卓越的聚焦离子束色谱柱,可实现高质量的交叉切片。借助自动化技术,可实现无人参与的高通量样品处理功能。

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原位实验

需要通过电子显微镜直接实时观察微观结构变化,以便了解在加热、冷却和润湿过程中的动态过程(如再结晶、晶粒生长和相变)的基本原理。

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多尺度分析

必须在更高分辨率下分析新材料,同时保留较大的样品背景。多尺度分析允许多种成像工具和模态(如X射线microCT、DualBeam、激光PFIB、SEM和TEM)关联。

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电路编辑

先进的专用电路编辑和纳米原型设计解决方案将新型气体输送系统与广泛的化学品组合和聚焦离子束技术相结合,为半导体器件开发提供无与伦比的控制和精确度。

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半导体TEM成像和分析

Thermo Fisher Scientific 透射电镜可对半导体器件进行高分辨率成像和分析,使制造商能够校准工具集、诊断故障机制并优化整体流程产量。

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半导体器件的TEM样品制备

Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品,并且单位样品成本低。

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半导体扫描电子显微镜分析和成像

赛默飞世尔科技提供适合半导体实验室每个功能的扫描电子显微镜,从一般成像任务到高级故障分析技术,都需要精确的电压对比测量。

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器件扁平化

逐渐缩小的尺寸配以先进的设计和结构,导致半导体的故障分析变得越来越具有挑战性。器件无损扁平化是检测埋藏的电气故障和故障的关键技术。

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(S)TEM 样品制备

DualBeam显微镜可制备用于(S)TEM分析的高质量、超薄样品。借助先进的自动化技术,任何经验水平的用户都可以获得各种材料的专家级结果。

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3D 材料表征

材料开发通常需要多尺度3D表征。DualBeam仪器可实现大体积连续切片和随后纳米级的SEM成像,可用于样品的高质量3D重建。

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纳米原型设计

由于技术不断地小型化,对纳米级设备和结构的需求不断增加。使用DualBeam仪器进行3D纳米原型设计可帮助您快速设计、创建和检查微尺度和纳米级功能原型。

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APT 样品制备

原子探针断层扫描 (APT) 提供材料的原子分辨率 3D 组成分析。聚焦离子束 (FIB) 显微镜是一项为 APT 表征进行高质量、定向和特定样品制备的基本技术。

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交叉切片

交叉切片通过揭示亚表面信息提供额外的剖析。DualBeam仪器配备卓越的聚焦离子束色谱柱,可实现高质量的交叉切片。借助自动化技术,可实现无人参与的高通量样品处理功能。

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原位实验

需要通过电子显微镜直接实时观察微观结构变化,以便了解在加热、冷却和润湿过程中的动态过程(如再结晶、晶粒生长和相变)的基本原理。

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多尺度分析

必须在更高分辨率下分析新材料,同时保留较大的样品背景。多尺度分析允许多种成像工具和模态(如X射线microCT、DualBeam、激光PFIB、SEM和TEM)关联。

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电路编辑

先进的专用电路编辑和纳米原型设计解决方案将新型气体输送系统与广泛的化学品组合和聚焦离子束技术相结合,为半导体器件开发提供无与伦比的控制和精确度。

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半导体TEM成像和分析

Thermo Fisher Scientific 透射电镜可对半导体器件进行高分辨率成像和分析,使制造商能够校准工具集、诊断故障机制并优化整体流程产量。

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半导体器件的TEM样品制备

Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品,并且单位样品成本低。

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半导体扫描电子显微镜分析和成像

赛默飞世尔科技提供适合半导体实验室每个功能的扫描电子显微镜,从一般成像任务到高级故障分析技术,都需要精确的电压对比测量。

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器件扁平化

逐渐缩小的尺寸配以先进的设计和结构,导致半导体的故障分析变得越来越具有挑战性。器件无损扁平化是检测埋藏的电气故障和故障的关键技术。

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电子显微镜服务

为实现理想的系统性能,我们为您提供了由现场服务专家、技术支持部门和认证备件组成的全球网络支持。

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