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半导体尺寸不断缩小的趋势意味着故障分析比以往更具挑战性。此外，更高级的设计和复杂的 3D 架构导致布线层数量增加、存储单元更复杂和栅极结构更敏感。
由于尺寸的减小和结构复杂性的增加，器件去层在检测电气故障（以及导致器件故障的其他现象）方面变得越来越重要。虽然单层的无损逆向处理至关重要，但对于多种行业和研发应用而言过于耗时。
Thermo Fisher Scientific 可提供等离子体 FIB 技术和专有 Thermo Scientific Dx Chemistries 的独特组合，可实现半导体器件的自动无损去层，包括 7/5-nm 逻辑样品和 3D NAND 存储器件。 自动逆向处理可使您访问以其他方式无法访问的高级器件的隐藏信息。
Thermo Fisher Scientific 独特的等离子体 FIB 去层工艺补充了 nProber IV 和 Hyperion II，提供了稳健的纳米探测和晶体管表征工作流程。这些仪器还提供了 3D 封装的高级故障分析，以及多种其他大面积聚焦离子束 (FIB) 处理应用。请参见我们的产品页面了解更多信息。
200 μm × 200 μm 高级逻辑器件，在等离子体聚焦离子束 (PFIB) 仪器上使用化学去层方法进行去层。
器件去层工作流程示例
去层的位点，PFIB 降至 M1。
使用 Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeam 制备的 100 μm × 100 μm 去层位点。
使用 PFIB 去层技术暴露的金属层。
使用 PFIB 去层对晶粒边缘进行的位点制备。
使用厚层去除和 PFIB 去层进行的全位点处理。
去层的位点，PFIB 降至 M1。
使用 Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeam 制备的 100 μm × 100 μm 去层位点。
使用 PFIB 去层技术暴露的金属层。
使用 PFIB 去层对晶粒边缘进行的位点制备。
使用厚层去除和 PFIB 去层进行的全位点处理。
显示设备故障分析
不断发展的显示技术旨在提高显示质量和光转换效率，以支持不同行业领域的应用，同时继续降低生产成本。我们的过程计量、故障分析和研发解决方案帮助显示公司解决这些挑战。
仪器卡片原件样式表
Style Sheet for Komodo Tabs
用于将 H2 样式更改为具有 em-h2-header 类 p 的样式表
