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制造具有统一尺寸的纳米结构和架构对于开发功能性半导体器件是非常理想的。随着这些器件缩小，需要使用新型材料制造新设计和更复杂的结构，以应对相应的挑战。为此，必须使用高灵敏度和先进的分析工具来检测在这些更先进结构中可能影响良率或性能的极轻微电气问题。
例如，分析可能包括找出导致半导体器件产线测试不合格的电气故障。缺陷（如金属短路、开路和晶体管级泄漏）集中在故障分析工作流程中，以识别并排除故障，从而提高器件的总体生产良率。这有助于提高成本效益，并提供用于检测电气故障的高灵敏度解决方案。
Thermo Fisher Scientific 3D 分析解决方案和工作流程提供了多种器件和样品类型的高生产率表征–从封装晶片、裸晶片到 150 mm、200 mm 和 300 mm 晶片。
高级内存技术
现代数据需求正在推动 3D NAND、DRAM 以及其他内存结构的创新。我们的内存分析工具和工作流程提供了高效率的表征，以便制造商能够满足性能、延迟和容量需求。
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半导体器件的TEM样品制备
Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品，并且单位样品成本低。
半导体器件的TEM样品制备
Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品，并且单位样品成本低。
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仪器卡片原件样式表
