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人工智能、联网汽车、IoT、移动设备和许多其他应用的数据需求推动了内存结构的创新。3D NAND、DRAM 和其他高级内存结构将更多的字节填充到更窄的空间中，具有更高的长宽比，以满足性能、延迟和容量需求。随着垂直堆栈和缩小至更小单元设计方面的增加，工艺复杂性、成本和上市时间成为影响扩量生产和盈利能力的极大挑战。
高级内存技术开发中的挑战
3D NAND 开发中的一些挑战包括通道电洞和字线配置文件差异性和缺陷率，以及连接触点和螺旋结构的短路。DRAM 中的挑战包括存储节点电容器配置文件差异性和缺陷率、位线缺陷和不断缩减的多重曝光覆盖误差预算。这些工艺挑战使得当前的计量和检查工作流程不充分。解决这些复杂堆栈中的工艺问题需要新的工具和工作流程，这些工具和工作流程在开发阶段可实现更快的产出时间，并为大批量生产提供支持。
内存分析工具和工作流程
内存分析工具和工作流程必须为生产商提供各种内存设备的高生产率表征，以在极短时间内尽可能提高良率。这包括用于逐层贯通堆栈计量、高级成像和分析、自动器件逆向处理、高效寻路和 ESD 合规性测试的设备。
Thermo Fisher Scientific 提供了多种高生产率内存分析工作流程的产品组合，可加速开发、尽可能提高良率并确保生产出满足当前和未来行业需求的高质量器件。浏览以下页面，了解我们的应用和工作流程如何满足您的特定需求。
半导体器件的TEM样品制备
Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品，并且单位样品成本低。
半导体器件的TEM样品制备
Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品，并且单位样品成本低。
仪器卡片原件样式表
Style Sheet for Komodo Tabs
用于将 H2 样式更改为具有 em-h2-header 类 p 的样式表
用于将 H3 更改为具有 em-h3-header 类 p 的样式表
用于将应用程序 H3 更改为具有 em-h3-header 类 p 的样式表
