Thermo Scientific nProber IV 系统是一个基于扫描电子显微镜(SEM)的高性能纳米探测平台,用于晶体管和金属化故障的定位。它是我们迄今为止最先进的纳米探测系统之一,也是率先使用高分辨率 LEEN2 SEM 柱的系统。nProber IV 纳米探测系统专门设计用于提高您故障分析 (FA) 工作流程的速度、准确度和输出,其中生产率极重要。

nProber IV 纳米探测系统通过精确的故障定位直接提高了透射电子显微镜 (TEM) 分析的成功率,并且已证明即使在极具挑战性的工艺节点上也是准确和可重复的。nProber IV 纳米探测系统的自动化和指导性工作流程可提高实验室生产率,使您的组织能够专注于纳米探测和 TEM 工作流程的输出,同时减少系统本身的操作投入,从而加快产出时间。

使用 nProber IV 纳米探测系统改进工艺良率提升

产出时间是半导体晶圆厂的一个重要关注点。能否在晶圆制作工艺和器件开发期间高效识别关键缺陷,是加快产品上市时间的关键。纳米探测在工艺良率提升中起着至关重要的作用,它可定位其他故障分析技术无法找到的故障,提升电性失效分析的成功率。纳米探测还可提供所需的精确定位,以确保薄 TEM 样品完全包含故障,极大地提高了 TEM 工作流程的成功率。最后,当纳米探测通过精确的电气表征来定位故障时,利用纳米探测的 TEM 工作流程可结合 TEM 物性故障分析与电气故障特征,有助于将工艺控制改进与器件性能相关联。

Thermo Fisher Scientific 是为工艺和器件良率提升提供 TEM 工作流程的领导者,具有广泛采用的解决方案,用于纳米探测样品制备、纳米探测、TEM样品制备和 TEM 物理故障分析。

nProber IV 系统的主要特点

领先的晶体管探测

nProber IV SteadFast 纳米操纵器与温度控制的探测环境相结合,使探针具有与领先的晶体管配合工作所需的稳定性。

敏感样品的高分辨率成像

nProber IV 系统的新 LEEN2 柱支持低至 100 eV 的探测操作,并包括一个可将样品剂量降低 30% 的高级控制系统。这些进步使 nProber IV 系统能够准确测量关键晶体管参数,同时尽可能减少 SEM成像的偏移。

指导性操作和自动化

nProber IV 系统配备 eFast 半自动指导性工作流程,可帮助您完成从样品加载到电气表征的系统操作。eFast 软件可自动设置 LEEN2 柱并控制关键子系统,确保在多用户生产环境中实现一致的结果。

3D 结构

nProber IV 系统可配备 EBIRCH2 和 EBAC,以发现低至 ~100 Ω 的 3D 互连结构中的关键故障。EBIRCH2 还可用于定位 FinFET 晶体管中的关键缺陷。

此外,nProber IV 系统可配备一个子载物台,使探针能够隔开许多毫米,这对于大型 3D NAND 结构中的故障隔离至关重要。

电阻栅故障

nProber IV 系统可以利用上升时间小于 1 ns 的高速脉冲探测来隔离电阻栅故障。

自动化

我们的 easyProbe 软件可自动执行 nProber IV 工作流程中的关键步骤,包括:清洁探针、将探针降低至样品以及优化探针与样品之间的电气接触。easyProbe 软件可显著减少使用 nProber IV 系统所需的培训,并允许长时间的无人照看操作。

自动可靠性

可选的热表征封装支持近期自动可靠性标准。样品温度可在 -40°C 至 150°C 之间进行控制,以隔离在环境温度下无法检测到的故障。


nProber IV系统相关应用

半导体寻路

半导体探索和开发

先进的电子显微镜、聚焦离子束和相关半导体分析技术可用于识别制造高性能半导体器件的可行解决方案和设计方法。

半导体故障分析

半导体故障分析

越来越复杂的半导体器件结构导致更多隐藏故障引起的缺陷的位置。我们的新一代半导体分析工作流程可帮助您定位和表征影响量产、性能和可靠性的细微的电子问题。

物理和化学表征

物理和化学表征

持续的消费者需求推动了创建更小型、更快和更便宜的电子设备。它们的生产依赖高效的仪器和工作流程,可对多种半导体和显示设备进行电子显微镜成像、分析和表征。

电源半导体设备分析

电源半导体设备分析

电源设备让定位故障面临独特的挑战,主要是由于电源设备结构和布局。我们的电源设备分析工具和工作流程可在工作条件下快速实现故障定位并提供精确、高通量的分析,以便表征材料、接口和设备结构。


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nProber IV系统相关技术

纳米探针

随着设备复杂性的增加,隐藏缺陷的位置数量也随之增加。纳米探针可提供电气故障的精确定位、这对于有效的透射电镜故障分析工作流程至关重要。

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半导体器件的TEM样品制备

Thermo Scientific DualBeam 系统为半导体器件的原子尺度分析提供了准确的 TEM 样品制备。自动化和先进的机器学习技术可以在正确的位置生成高质量的样品,并且单位样品成本低。

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器件扁平化

逐渐缩小的尺寸配以先进的设计和结构,导致半导体的故障分析变得越来越具有挑战性。器件无损扁平化是检测埋藏的电气故障和故障的关键技术。

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纳米探针

随着设备复杂性的增加,隐藏缺陷的位置数量也随之增加。纳米探针可提供电气故障的精确定位、这对于有效的透射电镜故障分析工作流程至关重要。

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