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半导体器件可能因多种原因而出现故障,从而浪费时间并增加生产商的成本。过大的电流或电压、电离辐射、机械应力或温度大幅升高可能导致故障,这是局部功率耗散分布不均匀的结果。

稳态和锁相热像技术可使您检测导致器件故障的温度变化。在这些方法中,红外 (IR) 锁相热像 (LIT) 可提供比稳态热像更好的信噪比、灵敏度和特征分辨率。LIT 可用于半导体互连的故障分析,以定位线路短路、静电放电 (ESD) 缺陷、氧化层损坏、晶体管和二极管缺陷以及器件闩锁。

在广泛的半导体器件中,LIT 是一种日益宝贵的热故障定位技术。Thermo Scientific ELITE 系统是一种功能强大的 LIT 工具,与用于物理分析的 Thermo Scientific Helios PFIB DualBeam 结合使用时尤其有用,可创建高效的工作流程。请浏览以下产品页面,了解更多信息。

Ohmic short detection, showing wires soldered to a device.
欧姆短路检测期间产生的热图像可显示焊接到器件的电线。

锁相热像工作流程示例

 

 


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