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エレクトロニクスおよびフォトニクス材料分析
新素材について
エレクトロニクス、フォトニクス、磁気材料は情報の保存、処理、伝達に関する技術革新を促進する鍵です。
材料科学では、化学、物理、およびエンジニアリングを組み合わせて、電子部品のナノ単位の加工と新しい材料を開発しています。情報量の急激な増加に伴い、新しい材料への挑戦は続き、その結果エレクトロニクス、フォトニクス、磁気材料がさらに進化します。
ラマンイメージングは、導波管の測定や整列したカーボンナノチューブのような材料から潜在的な新しい電子材料を探索する光工学に使用されます。ラマン、XPS、XRF、および XRD 技術はいずれもシリコン応力評価のための半導体材料の分析の他、さまざまな研究分野でも頻繁に使用されます。
クイックリンク
エレクトロニクスおよびフォトニクス材材料分析で使用される分析装置
白金族金属が繋ぐ: 電子工学分野のアプリケーション
白金族元素（プラチナ、パラジウム、ロジウム、イリジウム、ルテニウム、オスミウム）は一般的に電子部品に使用されており、これらの材料へのニーズは高まっています。この項ではでは、電子部品の開発と製造において重要な PGM のさまざまな使用法と考慮すべき事項について説明します。
エレクトロニクスおよびフォトニクス分析リソース
条件に一致する製品は見つかりませんでした
| 技術 | タイプ | タイトル |
|---|---|---|
| EDS | アプリケーションノート | 低加速電圧、高倍率での半導体サンプルの超高速マッピング（英語） |
| FTIR | アプリケーションノート | FTIR 分光法によるシリコンウエハ上のシリコン窒化膜中の水素の濃度の定量法 |
| WDXRF | ブログ記事 | 白金族金属が繋ぐ: 電子工学の適用 |
| WDXRF | アプリケーションノート | ARL PERFORM'X WDXRF 分光計による TFT ガラスの分析（英語） |
| XRD | アプリケーションノート | 重鉱物におけるルチル対アナターゼの定量法（英語） |
| XRD | アプリケーションノート | ARL EQUINOX 100 X 線回析装置による Si 薄膜上の Ni の検証（英語） |
| XPS | アプリケーションノート | Karlsruhe マイクロノーズ、KAMINA（英語） |
| XPS | アプリケーションノート | 角度分解 XPS による自己組織化単分子膜の特性評価（英語） |
| XPS | アプリケーションノート | 有機 LED 材料の表面特性評価のためのマルチテクニック（英語） |
| XPS | アプリケーションノート | XPS とアルゴンクラスターイオンによる有機 FET（電界効果トランジスタ）のデプスプロファイリング（英語） |
関連する表面分析の動画
MAGCIS の内部構造
このデュアルモードイオン源は、同じ XPS 装置で硬質素材および軟質素材の詳細なプロファイリング分析と表面クリーニングを可能にします。
半導体デバイス分析のための高性能マルチテクニック XPS システム
マルチテクニック機能を装備した XPS 装置は、堆積物を測定し、堆積サイクルにおける材料の厚さを示します。ISS では、堆積で部分被膜層があるか示します。REELS では、バンドギャップデータを生成します。ラマンでは、層状の材料の構造に関する情報を提供します。
半導体のマッピング
集積回路に内蔵されたトランジスタの小型化には、ゲート電極とチャネルの間により薄い誘電性層が求められます。トランジスタ設計に求められている厚さでは、漏洩電流が許容されないため、小型化の開発を進めるには、誘電性材料として二酸化ケイ素に変える必要があります。そこで、高誘電体（High-k 誘電性）の材料に移行するトレンドがあり、これにより新しい分析要件が求められています。層の厚さに加えて、次のパラメータも重要です。
- 中間層（二酸化ケイ素または金属ケイ酸塩）の厚さ
- 層内における元素の分布
- 層内における活物質の量
- 中間層における元素の化学状態
- ウェハー全体におけるこのパラメータの均一性
誘電性層全体は、材料を取り除くことなくほぼ通常の電子放出角で分析できます。XPS は層の化学情報およびそれらの界面情報、角度分解 XPS（ARXPS）は層の厚さおよび層内の物質分布に関する情報を得ることができます。ARXPS は非破壊式で、イオンビームによる飛散を防止できます。飛散により層の組成を変える現象が見られており、原子混合の原因にもなります。いずれもデータの誤った解釈の原因になります。