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Thermo Scientific nProber IV 시스템은 트랜지스터 및 금속 배선 고장 위치를 파악하기 위한 고성능 주사전자현미경 검사 기반 플랫폼입니다. 현재 가장 앞선 나노 프로빙(nanoprobing) 시스템이며, 최초로 고분해능 LEEN2 SEM 컬럼을 사용합니다. nProber IV 시스템은 생산성이 아주 중요한 고장 분석(FA) 워크플로우의 속도, 정확도, 결과를 향상시키도록 특별히 설계되었습니다.
nProber IV 시스템은 정밀한 고장 위치 파악을 통해 투과전자현미경 검사(TEM) 분석의 성공률을 직접적으로 높여주고 가장 까다로운 프로세스 노드에서도 정확하고 반복 가능하다는 점이 입증되었습니다. nProber IV 시스템의 자동화 및 안내형 워크플로우를 통해 실험실의 생산성을 개선하고 나노 프로빙(nanoprobing) 및 TEM 워크플로우 결과에 집중할 수 있으며 시스템 운영 자체에 대한 투자는 줄이고 수율 창출 시간을 단축할 수 있습니다.
수율 창출 시간은 반도체 시설의 핵심입니다. 수율 창출 시간 개선의 핵심은 프로세스 및 소자 개발 중에 치명적인 결함을 효율적으로 식별하는 것입니다. 나노 프로빙(nanoprobing)은 프로세스 수율 곡선에서 중요한 역할을 하며, 다른 고장 분석 기법을 사용할 때 찾아낼 수 없는 고장 위치를 파악합니다. 또한 나노 프로빙(nanoprobing)은 얇은 TEM 시료에서 고장을 완벽히 파악하는데 필요한 정확한 국소화를 제공하여 TEM 워크플로우 성공률을 크게 향상시킵니다. 마지막으로 나노 프로빙(nanoprobing)은 정확한 전기적 특성 분석을 통해 결함을 찾아내므로, 나노 프로빙(nanoprobing)을 활용하는 TEM 워크플로우는 TEM 물리적 고장 분석과 전기적 고장 서명을 결합하여 프로세스 제어 개선과 소자 성능의 상관관계를 규명하는 데 도움을 줍니다.
Thermo Fisher Scientific은 나노 프로빙(nanoprobing) 시료 준비, 나노 프로빙(nanoprobing), TEM 시료 준비, TEM 물리적 고장 분석을 위해 널리 채택되고 있는 솔루션을 사용하여 프로세스 및 소자 수율 곡선을 위해 TEM 워크플로우를 제공하는 선도 기업입니다.
nProber IV SteadFast Nanomanipulator와 온도 제어 프로빙 환경이 결합되어 최첨단 트랜지스터와 함께 작업할 때 필요한 안정성을 제공합니다.
nProber IV 시스템의 새로운 LEEN2 컬럼은 100eV까지 프로빙 작업이 가능하며, 시료 선량을 30% 줄이는 첨단 제어 시스템을 포함합니다. 이러한 향상된 기능을 통해 nProber IV 시스템은 SEM 이미지의 쉬프트(shift)를 최소화하면서 중요한 트랜지스터 파라미터에 대한 정확한 측정을 제공합니다.
nProber IV 시스템에는 시료 로딩부터 전기적 특성 분석에 이르기까지 시스템 조작을 안내하는 eFast 반자동 안내형 워크플로우가 탑재되어 있습니다. eFast 소프트웨어는 LEEN2 컬럼의 설정을 자동화하고 주요 하위 시스템을 제어하여 다중 사용자 생산 환경에서도 일관된 결과를 보장합니다.
nProber IV 시스템은 EBIRCH2 및 EBAC를 장착하여 3D 상호 연결 구조에서 100Ω 까지 심각한 고장의 위치를 파악할 수 있습니다. EBIRCH2는 FinFET 트랜지스터의 중요한 결함을 찾는 데도 사용할 수 있습니다.
또한 nProber IV 시스템은 대형 3D NAND 구조의 고장을 격리하는 데 꼭 필요하며 프로브를 여러 밀리미터로 분리할 수 있는 하위-스테이지(sub-stage)를 장착할 수 있습니다.
nProber IV 시스템은 1ns 미만의 상승 시간으로 고속 펄스 프로빙을 활용하여 저항성 게이트 고장을 분리할 수 있습니다.
easyProbe 소프트웨어는 nProber IV 워크플로우에서 프로브 세척, 시료까지 프로브 낮추기, 프로브와 시료 사이의 전기 접촉 최적화와 같은 주요 단계를 자동화합니다. easyProbe 소프트웨어는 nProber IV 시스템 사용에 필요한 교육을 크게 줄이고 장시간 무인 작동이 가능하게 합니다.
열 특성 분석 패키지(옵션)는 가장 최신의 자동차 안정성 표준을 지원합니다. 주변 온도에서 검출되지 않는 고장을 격리하기 위해 시료 온도를 -40°C~150°C로 제어할 수 있습니다.
고성능 반도체 장치의 제조에 필요한 실행 가능한 솔루션과 설계 방법을 확인하기 위한 고급 전자 현미경 검사, 집속 이온빔 및 관련 분석 기법.
반도체 장치 구조가 점점 복잡해짐에 따라 숨겨진 장애 유발 결함이 더 많아지고 있습니다. 당사의 차세대 워크플로우는 사용자가 수율, 성능, 신뢰성에 영향을 미치는 미세한 전기 문제를 로컬화하고 특성을 분석하는 데 도움을 줍니다.
지속적인 소비자 수요는 더 작고 빠르며 저렴한 전자 장치를 만들도록 촉진합니다. 그 생산은 광범위한 반도체 및 디스플레이 장치를 이미지화, 분석 및 특성 분석하는 고생산성 기기 및 워크플로우에 의존합니다.
전력 장치는 주로 전력 장치 아키텍쳐 및 레이아웃의 결과로서 오류를 국지화를 위한 고유한 과제를 제기합니다. 저희의 전력 장치 분석 도구와 워크플로우는 작동 조건에서 오류 위치를 빠르게 찾고 물질 특성 분석, 인터페이스, 장치 구조에 대한 정밀하고 고처리량의 분석을 제공합니다.
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 장치의 시료 준비
Thermo Scientific DualBeam 시스템은 반도체 장치의 원자 단위 분석을 위한 정확한 TEM 시료 준비 기능을 제공합니다. 자동화 및 고급 기계 학습 기술은 정확한 위치에서 고품질 시료를 생성하며 시료당 비용이 낮습니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.
나노탐침
장치의 복잡성이 증가함에 따라 결함을 숨겨야 하는 부분의 수도 증가합니다. 나노탐침은 효과적인 투과 전자 현미경 불량 분석 워크플로우에서 중요한 전기 고장의 정확한 위치 측정 기능을 제공합니다.
반도체 장치의 시료 준비
Thermo Scientific DualBeam 시스템은 반도체 장치의 원자 단위 분석을 위한 정확한 TEM 시료 준비 기능을 제공합니다. 자동화 및 고급 기계 학습 기술은 정확한 위치에서 고품질 시료를 생성하며 시료당 비용이 낮습니다.
장치 층 제거
기능 크기 축소는 첨단 설계 및 아키텍처와 함께 반도체에 대한 불량 분석을 점차 까다로워지게 하는 결과를 가져옵니다. 장치의 손상 없는 층 제거는 전기적 결함 및 고장을 감지하기 위한 중요한 기법입니다.