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반도체 크기가 작아지는 추세가 지속되면서 고장 분석이 그 어느 때보다 까다로워지고 있습니다. 또한 첨단 설계와 복잡한 3D 아키텍처로 인해, 배선 레이어 수가 증가하고 메모리 셀은 더 복잡해지며 게이트 구조가 더 민감해지고 있습니다.
이러한 형상 치수 감소 및 구조 복잡성 증가로 인해 전기적 고장(및 장치 고장의 원인이 되는 다른 현상)을 감지하는 데 있어 장치 층 제거가 점점 더 중요해지고 있습니다. 단일 층의 손상없는 디프로세싱(de-processing)이 중요하지만 이것은 다양한 산업 및 R&D 애플리케이션에서 시간이 너무 오래 걸리는 작업일 수 있습니다.
Thermo Fisher Scientific은 7/5-nm 로직 시료 및 3D NAND 메모리 소자 등의 반도체 소자의 손상 없이 자동화된 층 제거를 가능하게 하는 플라즈마 FIB 기술과 독점적인 Thermo Scientific DX 화학 기술의 고유한 조합을 제공합니다. 자동 디프로세싱(de-processing)을 통해 다른 방법으로는 얻을 수 없는 첨단 소자의 숨겨진 정보에 액세스할 수 있습니다.
Thermo Fisher Scientific의 독점적인 플라즈마 FIB 층 제거(delayering) 프로세스는 nProber IV 및 Hyperion II를 보완하여 강력한 나노탐침 및 트랜지스터 특성분석 워크플로우를 제공합니다. 또한 이 기기는 3D 패키지에 대한 첨단 결함 분석과 광범위한 기타 대면적 집속 이온빔(FIB) 프로세싱 애플리케이션도 제공합니다. 자세한 내용은 제품 페이지를 참조하십시오.
플라즈마 집속 이온빔(PFIB) 기기에서 화학적 층 제거 방법을 사용하여 층 제거가 이루어진 200µm x 200µm 첨단 로직 소자
소자 층 제거(delayering) 워크플로우 예
M1까지 PFIB로 층 제거된 부위.
Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeam을 사용하여 준비된 100µm x 100µm의 층이 제거된 부위.
PFIB 층 제거 기술을 사용하여 노출된 금속 층.
PFIB 층 제거를 사용하여 die edge 상에서 site 준비.
두꺼운 층 제거 및 PFIB를 사용한 층 제거를 모두 사용하는 full-site 처리.
M1까지 PFIB로 층 제거된 부위.
Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeam을 사용하여 준비된 100µm x 100µm의 층이 제거된 부위.
PFIB 층 제거 기술을 사용하여 노출된 금속 층.
PFIB 층 제거를 사용하여 die edge 상에서 site 준비.
두꺼운 층 제거 및 PFIB를 사용한 층 제거를 모두 사용하는 full-site 처리.
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