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詳細な不良解析による歩留まりの改善と信頼性の向上が可能です。マージン不良の設計デバッグは、デバイス内の電圧やタイミングの問題によって、より困難となる場合があります。パラメトリック不良の根本原因を解明するには、デバイス内部の実際の不良個所を特定し、デバイスを損傷したり不良を消失させたりすることなく関連回路にアクセスできることが必要です。
Thermo Scientific Meridian 7システムでは、サブ10 nmデバイスに対して可視光によるLVI・LVP、動的レーザー印加（DLS/LADA）を行うことが可能です。超薄型の基板を必要としないため、被測定デバイスの完全性と機能性を維持し、信頼性と実用性の高い生産ソリューションを利用できます。
Meridian 7システムには次の2つの構成が用意されています。
- Meridian 7Dシステム：1,064 nmと785 nmの統合型デュアルSILレーザー走査型顕微鏡システム
- Meridian 7Sシステム：785 nm単体のLSMシステムと高速検査に適した最先端サンプル冷却オプション（熱暴走によるチップパフォーマンス変化を防止するためのサンプル発熱を制御するオプション）
動的な光学的不良解析によるパラメトリック不良の特定
- 10 nmノード以下の最先端デバイスの検査条件下での特性評価
- TR-LADA（オプション）
正確なタイミング解析を実現する高帯域
- アットスピードテストを可能にする7 GHzの帯域幅
- 50ピコ秒の立ち上がり時間測定
光学的分解能の向上による、不良箇所特定力の改善
- 可視光および赤外光による高分解能
- 785 nm解析時のサンプル作製制限は5 µm
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5 umのサンプル作製に対応した高分解能785 nmレーザー走査型顕微鏡画像
可視光はスポットサイズを小さくできるため、LVP（Laser Voltage Probing）解析時に近隣のトランジスタからのクロストークを最小限に抑制
785 nmLVIによるデバイス周波数マッピング。
5 umのサンプル作製に対応した高分解能785 nmレーザー走査型顕微鏡画像
可視光はスポットサイズを小さくできるため、LVP（Laser Voltage Probing）解析時に近隣のトランジスタからのクロストークを最小限に抑制
785 nmLVIによるデバイス周波数マッピング。
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