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半導体デバイス構造の複雑化と構造寸法の縮小により、次世代デバイスの設計はかつてないほど困難で時間がかかるものとなっています。これは、利用可能な技術および設計上の選択肢の数が増加しているという事実と相まって、特定の設計が商業的に成功する可能性が低くなっていることを意味します。その結果、デバイスメーカーは実行可能な選択肢の数を減らし、より迅速なソリューションの導入を可能にする信頼性の高いツールを必要としています。
存在するすべてのチップ、パッケージ、およびシステム統合の選択肢を検討することの複雑さにより、導入はきわめて困難な作業となっています。その結果、最先端のパスファインディング機能が進化し続けることが、効率的な半導体デバイス設計において必須となっています。このような複雑さのレベルに加えて、多面的な3Dアーキテクチャを持つ構造もあります。集束イオンビーム（FIB）による切断構造断面で欠陥を分離または基材界面を解像するには高精度の試料準備と、それに続く走査型電子顕微鏡（SEM）または走査型透過電子顕微鏡（STEM）によるイメージングが必要です。高精度FIB回路修正ツールは、新しい回路設計のマイクロサージェリーやナノプロトタイピングも実行できます。また、フロアスペースと予算が限られているため、ラボは1つのシステムに複数の解析オプションを用意して、可能な限り短時間で最も包括的なデータを取得できるようにしています。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、革新的なロジック、メモリ、電源、およびディスプレイ装置技術で高度なR&Dを可能にする一連の解析機器一式を提供しています。当社は、STEMおよびFIB顕微鏡を使用してハイエンドの原子レベルの研究およびプロトタイピングを行うための最先端の機能を提供します。
半導体パスファインディングおよびデバイス開発ワークフローの例
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TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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