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Thermo Scientific nProber IVシステムは、高性能な走査型電子顕微鏡ベースのプラットフォームであり、トランジスタと配線層の不良箇所特定に適しています。もっとも先進的なナノプロービングシステムであり、高分解能LEEN2 SEMカラムが初めて採用されています。nProber IVシステムは、生産性が最優先される不良解析（FA）ワークフローにおいて、速度、精度、アウトプットを向上させるよう特別に設計されています。
nProber IVシステムは、正確な不良特定を行うことで透過型電子顕微鏡（TEM）での分析成功率を直接向上させると同時に、最大限に難易度の高いプロセスノードに対しても正確性と再現性を有することが実証されています。nProber IVシステムのワークフローはガイド付きで自動化作業が進められるため、ラボの生産性を向上させると同時に、解析ラボのリソースをナノプロービングとTEMワークフローのアウトプット取得に集中させてシステム本体のオペレーションコストを減らすことができ、歩留まり確保までの時間を短縮できます。
nProber IVシステムによるプロセス歩留まりの改善
歩留まり確保までの時間は、半導体ファブにとって大きな関心事です。歩留まり確保に要する時間を短縮するキーポイントは、プロセスとデバイスの開発中に重大な欠陥を効率的に識別しておくことです。ナノプロービングは、プロセス歩留まりの上昇に重要な役割を果たすもので、他の不良解析テクニックでは見つけることができない欠陥を特定できます。ナノプロービングでは、薄いTEM試料中に不良箇所が完全に含まれるようにするために必要な位置特定も正確に行えるため、TEMワークフローの成功率が大幅に向上します。また、ナノプロービングでの不良特定は正確な電気的特性評価を通じて行われる関係上、ナノプロービングを用いたTEMワークフローはTEMによる障害の物理的分析と電気的兆候の検出を組み合わせたものとなるため、プロセス制御の改善とデバイスパフォーマンスの相関性の向上に寄与します。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは業界リーダーとして、ナノプロービング用試料作製、ナノプロービング、TEM試料作製、TEMでの物理的障害分析において広く採用されているソリューションを用いた、プロセスおよびデバイスの歩留まり改善をするTEMワークフローを提供しています。
最先端のトランジスタプロービング
nProber IVでは、安定したナノマニピュレーターと温度制御されたプロービング環境を組み合わせ、最先端のトランジスタの探査プローブに求められる安定性を確保しています。
感度の高い試料の高分解能イメージング
nProber IVシステムの新しいLEEN2カラムでは、100 eVまでのプロービングオペレーションが可能で、試料に対するドーズ量30%削減を可能にする高度な制御システムも組み込まれています。このように進歩したnProber IVシステムでは、重要なトランジスタパラメーターの正確な測定が行え、SEMイメージングによる特性変化が最小限で済みます。
ガイド付きオペレーションと自動化
nProber IVシステムには、eFast半自動ガイドワークフローが実装されており、試料のロードから電気的特性評価までのシステムオペレーションをガイドに従って進めることができます。eFastソフトウェアは、LEEN2カラムのセットアップを自動化し、主要なサブシステムを制御するため、マルチユーザーによる製造環境であっても一貫した結果が確保されます。
3次元の構造
nProber IVシステムでは、EBIRCH2およびEBACを実装することにより、100 Ωまでの3次元相互接続構造における重大な不良を検出することが可能です。EBIRCH2は、FinFETトランジスタの重大な不良の特定にも使用できます。
またnProber IVシステムにはサブステージも搭載可能であり、これにより、大規模な3D NAND構造での不良特定に不可欠な、プローブを数ミリ間隔で離した配置が行えます。
抵抗ゲートの不良
nProber IVシステムでは、立ち上がり時間1 ns未満の高速パルスプロービングを用いた、抵抗ゲートの不良特定が行えます。
自動化
当社のeasyProbeソフトウェアは、プローブのクリーニング、サンプルへのプローブ降下、プローブとサンプル間の電気的接触の最適化など、nProber IVワークフローの主要ステップを自動化します。easyProbeソフトウェアは、nProber IVシステム使用時に必要なトレーニングを大幅に削減するだけでなく、長時間の操作も無人で実施可能になります。
車載デバイスへの信頼性検査
オプションの熱特性評価パッケージは、車載デバイスへの信頼性についての最新基準をサポートしています。周囲温度では検出できない不良を特定する場合、-40℃～150℃の範囲で試料温度を制御できます。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
Style Sheet for Komodo Tabs
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ナノプロービング
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