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エレクトロニクス市場は、小型で、高速で、低価格で、エネルギー効率の高いデバイスを開発しなければならないという、消費者からの絶え間ないプレッシャーにさらされています。これには、構造的寸法が小さく、歩留まり確保までの期間と市場投入までの時間が短い半導体設計が必要です。残念ながら、ほとんどの一般的な技術やワークフローは、これらの小さな機能を特性評価するには不十分です。
その結果、次世代半導体デバイス構造のイメージングと解析を行うためには、新しく生産性の高い生産性透過電子顕微鏡（TEM）ワークフローが必要となっています。これらの先端デバイスの特性評価は、必要な性能を実現し、構造的、物理的、化学的特性を予測および制御し、特性評価データをパラメトリックテストの結果に関連付けるのに役立ちます。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、デバイスの歩留まり、性能、信頼性に直接影響するパラメータの高生産性特性評価のワークフローを提供しています。これには、物理的、構造的、化学的特性が含まれます。以下のページで、当社の製品シリーズの詳細と、これらのワークフローがお客様固有のニーズにどのように対応できるかについてご確認ください。
半導体デバイスの特性評価ワークフローの例
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ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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