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The miniaturization of semiconductor devices is continuing at an extraordinary rate. In order to accurately develop, characterize, and test these devices, advanced imaging and analysis techniques are needed. From simple, general tasks to advanced failure analysis (FA) techniques that need extremely precise voltage-contrast measurements on complex devices, scanning electron microscopy (SEM) imaging can provide you with a large variety of critical data for your semiconductor manufacturing needs.
For example, higher accelerating voltages are often used to maximize signal and reduce time-to-data. These higher voltages were once acceptable because of the larger structural dimensions found in previous generation devices. However, as feature sizes continue to shrink due to device miniaturization, higher accelerating voltages are no longer appropriate, and lower voltages are necessary to accurately image smaller features. Low kV imaging also allows you to analyze working transistors without impacting their characteristics and helps you resolve layers without interference from the underlying sections. New materials also require low voltage to minimize beam damage.
Thermo Fisher Scientific offers a range of SEM instrumentation, including low-voltage tools ideally suited to analyze the next generation of semiconductor devices. This includes the versatile Thermo Scientific Prisma SEM and Thermo Scientific Quattro SEM, our general-purpose tools available with Thermo Scientific ChemiSEM Technology. We also offer high-quality, and low-kV imaging on the Thermo Scientific Apreo SEM, and high-contrast sub-nanometer imaging on the Thermo Scientific Verios XHR SEM. Please click through to the appropriate product pages below for more information.
SEMイメージングおよび解析ワークフローの例
Everhart-Thornley検出器を備えたApreo SEMを使用して取得されたワイヤボンディングエリアの2 kV SEM画像。
同心後方散乱（CBS）検出器を備えたApreo SEMを使用して取得されたワイヤボンディングの5kV SEM 画像。
Apreo SEMで取得された、電気的プロービングのために機械的にデプロセシングされた領域のマップの概要。
Apreo SEMの同心後方散乱（CBS）を用いて取得されたカメラ画像センサーの断面。
Thermo Scientific Verios 5 SEMを使用して取得された、バッテリー触媒の400 V画像。
インカラム検出器を使用したVerios SEMで取得したVNAND断面画像。
Everhart-Thornley検出器を備えたApreo SEMを使用して取得されたワイヤボンディングエリアの2 kV SEM画像。
同心後方散乱（CBS）検出器を備えたApreo SEMを使用して取得されたワイヤボンディングの5kV SEM 画像。
Apreo SEMで取得された、電気的プロービングのために機械的にデプロセシングされた領域のマップの概要。
Apreo SEMの同心後方散乱（CBS）を用いて取得されたカメラ画像センサーの断面。
Thermo Scientific Verios 5 SEMを使用して取得された、バッテリー触媒の400 V画像。
インカラム検出器を使用したVerios SEMで取得したVNAND断面画像。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
ディスプレイモジュールの不良解析
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet for Instrument Cards Origin
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
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Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards
