半導体不良個所特定 | 光学的不良個所特定

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半導体デバイス不良のトラブルシューティングは、製造歩留まりの改善、コストの削減および全体的な最終テスト不良の最小限化に不可欠です。しかし半導体設計がますます複雑化しているため、不良解析ワークフローにおける不良や欠陥（例えばオープン、メタルショート、リーク）の特定がますます困難になっています。

光学的不良個所特定（OFI）は、さまざまな光学技術（フォトンエミッションや静的レーザー刺激など）を利用して、デバイスの不良原因を検出する電気的不良解析の一手法です。

これには以下に示す静的・動的の両方のOFIが含まれます。

Style Sheet for Products Table Specifications

静的OFI技術	動的OFI技術
光加熱抵抗変化（OBIRCH）	レーザーボルテージイメージング（LVI）
光誘起電流（OBIC）	レーザーボルテージプロービング（LVP）
光誘起電圧変化（LIVA）	レーザーボルテージトレーシング（LVT）
熱誘起電圧変化（TIVA）	レーザー励起デバイス変化（LADA）
静的フォトンエミッション（PEM）	ソフト不良個所特定（SDL）
	動的フォトンエミッション（PEM）

一般に、これらの手法によってデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの不良につながる重大な欠陥を特定することができます。これらの欠陥を把握し製造プロセスからそれらを排除することが、最新のファブを高い歩留まりと収益性を保って操業するうえで不可欠です。

サーモフィッシャーサイエンティフィックは、Meridian製品ラインとして、さまざまな光学的不良個所特定システムを提供しています。これには上記すべてのOFI手法が含まれます。すなわち、フォトンエミッションとレーザー刺激法の両方のアプリケーション向けシステムです。Meridian製品ラインは半導体デバイスの電気的不良個所を特定するための費用対効果の高い高感度ソリューションで構成されており、サーモフィッシャーサイエンティフィック・ポートフォリオに含まれる他の解析ワークフローやソリューションと組み合わせることで特に威力を発揮します。詳細については下記の該当製品ページをご覧ください。