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より接続し、より自律的で、よりスマート化した世界へのニーズが半導体およびマイクロエレクトロニクスデバイスの革新を推進し、性能、エネルギー効率、セキュリティ、コスト、信頼性の一貫した向上が求められています。それと同時に、市場投入までの時間と歩留まりの向上にも注目しなければなりません。その一方で、微細化の進展、新素材、3Dアーキテクチャの登場によって、これらの継続的な改善がますます困難になっています。その結果、デバイス製造において現行の2次元計測・検査ワークフローがもはや時代遅れとなっています。代わって、生産性の高い3次元解析ワークフローが製造プロセスにおいて不可欠となりました。
これらの3次元解析ツールやワークフローにより、半導体メーカーはさまざまなデバイスの特性評価を高い生産性で行うことができるようになります。そうしたものには、ESDコンプライアンス検査、効率的なパスファインディング、高度なイメージングと解析、レイヤーごとのデバイス内部層除去、レーザーアブレーション、そして可能な限り短期間で歩留まりを最大化するための機器などが含まれます。
サーモフィッシャーサイエンティフィック社は、生産性に優れた3次元解析ワークフローの幅広いポートフォリオを提供します。開発の加速、歩留まりの最大化、高品質なデバイス生産を保証し、現在および将来の業界需要に対応できます。以下のページにアクセスすることで、当社のアプリケーションとワークフローがお客様固有のニーズにどのように対応できるかをご確認いただけます。
画像：40年にわたる半導体解析の革新
サーモフィッシャー：40年にわたる半導体解析の革新
エレクトロニクス業界向けに物理および電気的な解析ソリューションを40年以上にわたって革新してきたサーモフィッシャーサイエンティフィック社は、ナノスケールでのイメージングと解析に適した超高解像度ツールの世界有数のプロバイダーです。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
画像：40年にわたる半導体解析の革新
サーモフィッシャー：40年にわたる半導体解析の革新
エレクトロニクス業界向けに物理および電気的な解析ソリューションを40年以上にわたって革新してきたサーモフィッシャーサイエンティフィック社は、ナノスケールでのイメージングと解析に適した超高解像度ツールの世界有数のプロバイダーです。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
ESD半導体適格性評価
静電放電（ESD）管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
高度なメモリテクノロジー
今日のデータに対する需要の高まりは、3D NAND、DRAM、その他のメモリ構造における革新を促進しています。当社のメモリ分析ツールおよびワークフローは、生産性の向上をもたらし、求められる性能、遅延、容量を満たすことを可能にします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
ディスプレイモジュールの不良解析
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
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TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電（ESD）により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
半導体レーザーアブレーション
レーザーアブレーションにより、試料の完全性を維持しながら、電子顕微鏡によるイメージングおよび分析のための、半導体デバイスの高速加工が可能となります。大容量の3Dデータにアクセスして、お客様の試料タイプに適するようミリング条件を最適化します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電（ESD）により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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