半導体用走査型プローブ顕微鏡 | Hyperion II

Thermo Scientific Hyperion IIシステムは、電気的な特性評価と不良箇所の特定に適した高速かつ正確なトランジスタプロービングを提供することで、半導体テクノロジーの開発を支援し、エンジニアリングとデバイスの信頼性を向上させます。Hyperion IIシステムの卓越した安定性は、5 nmないしはそれ以下のテクノロジーノードに対するナノプロービングを可能にします。

Hyperion IIシステムのSPMテクノロジーが実現するPicoCurrentイメージングは、ショート、オープン、リークパス、抵抗コンタクトを迅速に特定する技術で、その感度は受動的な電圧コントラストの1,000倍超に達しています。走査型静電容量顕微鏡（SCM）モジュールは、シリコンオンインシュレーター（SOI）ウェハーでの画像ベースによる不良箇所特定と高分解能なドーパントプロファイリングを提供します。

機能

5 nmテクノロジーに適した実績あるナノプロービングソリューション。
柔軟性と機能性を向上させる4個、6個、8個のプローブ構成。
生産性と操作性を向上させる自動プローブ交換と自動プローブアプローチ。

測定モード

Hyperion IIシステムでは次のような高度な測定モードを利用できます。

低ノイズで高分解能な静電容量-電圧（C-V）による酸化物層と界面トラップの調査。
パルスIVによるオープンおよび抵抗ゲートの欠陥特定。
温度上昇部のプロービングによるデバイスの信頼性検査。

PicoCurrent画像（左）は疑わしいトランジスタを示唆しており、I-V曲線（右）は電気的な異常挙動を検証しています。

電流電圧（I-V）測定

ターゲット領域内にある複数トランジスタのプロービングによる不良の特定は、時間のかかる作業です。Hyperion IIシステムでは、PicoCurrentイメージングとI-Vプロービングを組み合わせることで、測定関連の切り換えを行うことなく、潜在的な不良箇所の迅速な特定と電流-電圧曲線の測定を行えます。