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現在テクノロジー業界が直面している大きな課題は、半導体デバイスとトランジスタ構造の微細化が継続していることです。優れた信頼性、性能、および歩留まりを維持するために、半導体不良解析技術を絶えず改善してこの課題に対処しなければなりません。その結果、高密度相互接続、ウェハーレベルスタッキング、複雑な3Dアーキテクチャにより検知が難しくなっている欠陥構造を特定するために、ハイエンドの高度なデバイスが必要とされます。
ナノプロービングは、歩留まり、信頼性、性能に悪影響を与える可能性のある電気的不良を検出するために設計された高度な特性評価技術です。また、ナノプロービングは電気的に不良箇所を正確に特定するので、透過電子顕微鏡の不良解析をより効率的に実施する上で必要です。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、幅広い高度なデバイスで信頼性が高く正確な電気的不良の分離を実現するために、さまざまな高度ナノプロービングおよび試料作製ツールを提供しています。Thermo Scientific nProber IV Systemは、トランジスタと配線層の不良を特定するための高性能走査型電子顕微鏡ベースのプラットフォームです。Thermo Scientific Hyperion II Systemは、高生産性原子間力プロファイリングナノプローバーで、統合導電性原子間力顕微鏡（C-AFM）機能を備えた最先端のトランジスタプロービング性能を備えています。詳細については、以下の製品ページをご覧ください。
半導体ナノプロービングワークフローの例
nProber IV Systemは、トランジスタと配線層の不良を特定するための最先端の性能を備えています。
Thermo Scientific Hyperion II Systemは、電気的特性評価や不良の特定のための迅速かつ正確なトランジスタプロービングを提供します。
nProber IV Systemは、トランジスタと配線層の不良を特定するための最先端の性能を備えています。
Thermo Scientific Hyperion II Systemは、電気的特性評価や不良の特定のための迅速かつ正確なトランジスタプロービングを提供します。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
ESD半導体適格性評価
静電放電（ESD）管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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