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デバイスの高速化、小型化、相互接続性の向上に対する要求は、原子スケールのテクノロジー開発を推進し続けています。研究者やエンジニアが望む高速かつ信頼性に優れた分析と特性評価のレベルは、透過型電子顕微鏡（TEM）のみが提供できる領域に達しています。
Thermo Scientific Talos F200E（走査）透過型電子顕微鏡は、歪みを最小化した高分解能のSTEMおよびTEMイメージングに、ハイスループットなエネルギー分散型X線分光法（EDS）機能を組み合わせたもので、さまざまな半導体の欠陥解析および研究アプリケーションに適合するよう設計されています。
半導体およびマイクロエレクトロニクス分析に適した高生産性ソリューション
プロセス開発と歩留まり改善の短期化には、さまざまな材料やデバイスに対して再現性良く、かつ高分解能な分析が要求されるため、半導体解析に大きな負担がかかります。Talos F200E (S)TEMはこのような解析を念頭に設計されており、従来モデルのTalosと比較してEDS分析は1.5倍に超高速化され、TEMイメージの歪みは1%以下に低減されています。速度と再現性が向上したTalos F200E (S)TEMは、デバイス分析、欠陥特性評価、歩留まりサポートに適した顕微鏡として業界で選ばれています。
高品質な(S)TEMイメージング
歪みを最小限に抑えたハイスループットTEMイメージング、複数信号の同時検出、およびコントラストを最適化したSTEMイメージング。
正確かつ高速な化学特性評価
速度と正確性に優れた定性および定量EDSの取得と分析。
半導体関連の専用アプリケーション
試料ステージに同期したライブTEMイメージローテーション、複数STEM検出器の同時オペレーション、積算型微分位相コントラスト（iDPC）イメージング、STEM視野の合わせ込み、高速EDSマップ定量化、イメージ歪みの最小化など。
Style Sheet for Products Table Specifications
| X-FEGの輝度 | 1.8 × 109 A/cm2 srad（@200 kV） | |
| トータルビーム電流 | 50 nA以上 | |
| EDSシステム | Super-X | Dual-X |
| 総立体角 | 0.9 srad | 2.56 srad |
| 有効立体角* | 0.9 srad | 1.65 srad |
| 検出器 | 4 SDD | 2つの大型SDD |
| カメラ | Thermo Scientific Ceta-Mカメラを用いた低歪み4k × 4kイメージング | |
| STEM | Panther STEMセグメント検出器 | |
| SEMI S2 | 認証済み | |
| STEM分解能 | ≦0.16 nm | |
| TEM情報限界 | ≦0.12 nm | |
| TEM線分解能 | ≦0.10 nm | |
| 最大回折角 | 24˚ | |
| Z方向移動 | ±0.375 mm | |
| TEMイメージ線形歪み | ≦1% | |
| TEMイメージ変動（オプション） | ≦1% | |
| Gatan Continuumフィルター | オプション | |
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
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進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
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