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ディスプレイは私たちの日常生活に欠かせないものです。過去10年間にディスプレイの主流テクノロジーは液晶から有機ELに移行しており、その背景には量子ドットやマイクロLEDなどの新規テクノロジーの登場がありました。解像度、輝度、フォームファクター、信頼性、品質への飽くなき追究が、ディスプレイ開発の絶え間ないイノベーションを推進してきました。
ディスプレイテクノロジーの進歩は、研究開発、プロセス計測、不良解析の難易度を高めており、そこで必要とされるのがデータ取得時間の短縮と信頼性の高いソリューションです。
先進次世代ディスプレイテクノロジーのエンジニアリング
表示品質と光変換効率を向上させつつ、継続的な歩留まり向上と生産コスト削減を達成することが重要です。
有機EL技術はディスプレイの長寿命化と新しいフォームファクターを目指しており、そのために薄膜封止技術（TFE）の開発が続けられています。QDEF（量子ドット強化フィルム）からQD-LED（量子ドット発光ダイオード）への進化では、微細構造のサイズおよび形状の正確な特性評価と制御が必要とされます。マイクロLEDに関しては、外部量子効率の向上とリーク電流の低減が継続的に求められています。
これらの進歩は新たなエンジニアリング上の課題を浮上させており、ナノスケールでの解析、パフォーマンスの再現性、そしてS/TEMベースの解析ワークフローからの高品質データを必要とします。
高品質なディスプレイデバイス製造に適した半導体プロセス計測
設計者がディスプレイテクノロジーの小型化を進展させるほど、高精度での計測ニーズが高まります。ピクセルサイズが小さくなるほど解像度は向上し、ディスプレイの厚さが薄くなるほどエネルギー変換効率は向上します。新しいアーキテクチャでは、バックプレーンと発光ユニットの限界寸法（CD）を、横方向と縦方向の両方で正確に制御しなければなりません。設計仕様がより厳しくなるほど、高度な自動化と再現性を備えた高速FIB/SEMベースの計測が求められます。
ディスプレイテクノロジーの不良解析
ディスプレイデバイスの製造は複雑化の一途を辿っています。パーティクルやコンタミネーション、プロセスのズレによる欠陥がパネルの歩留まりや生産性に影響を及ぼします。ピクセル幅が縮小し構造の複雑さが増すにつれ、従来の光学的検査方法では“キラー”欠陥をすべて検出することはできなくなりました。パネルや組立後のディスプレイモジュールに欠陥が発生した場合、その発生位置の深さつまり欠陥の発生層を特定することがより困難になっています。そのため、極めて高い精度と最小限のダメージで大量のサンプルから薄いスライスを取り出すことが可能で、かつ高解像度イメージで迅速かつ確実に欠陥を特定できるソリューションとワークフローがより重要視されます。
サーモフィッシャーサイエンティフィック社が提供する独自の包括的ワークフローは、先進ディスプレイ業界が求める研究開発、計測、欠陥の特性評価に対するニーズにお応えします。
ワークフローの例
1.ディスプレイパネルの不良解析ワークフロー：
2.ディスプレイモジュールアセンブリーの不良解析ワークフロー：
POLからPIに至るタッチスクリーンのフルスタックの広範囲な断面。
発光層に対するTEM前処理を完全自動化。
POLからPIに至るタッチスクリーンのフルスタックの広範囲な断面。
発光層に対するTEM前処理を完全自動化。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
ESD半導体適格性評価
静電放電（ESD）管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電（ESD）により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
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走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
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Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
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