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半導体の微細化が進む中、故障解析の難易度は以前にも増して高まっています。さらには、設計が高度化し、3Dアーキテクチャが複雑化したことで、配線層の数が増加し、メモリセルが複雑になり、ゲート構造がより影響を受けやすくなっています。
このようなフィーチャ寸法の縮小と構造の複雑さの増大により、電気的故障（およびデバイスの故障に寄与するその他の現象）の検出において、デバイスのディレイヤリングがますます重要になっています。単一層のダメージフリーデプロセシングは重要ですが、さまざまな産業およびR＆Dにとって時間がかかりすぎる場合があります。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、プラズマFIB技術と独自のThermo Scientific Dx Chemistriesの組み合わせにより、7/5 nmロジックサンプルや3D NANDメモリデバイスを含む半導体デバイスに対して自動かつダメージフリーのディレイヤリング加工を行うことが可能です。自動デプロセシングにより、通常はアクセスできない高度なデバイスの埋込情報にアクセスできます。
サーモフィッシャーサイエンティフィック独自のプラズマFIBディレイヤリングプロセスは、nProber IVおよびHyperion IIを補完するもので、確実なナノプロービングおよびトランジスタキャラクタリゼーションワークフローを提供します。これらのデバイスは、3Dパッケージの高度な故障解析に加え、その他のさまざまな広範囲集束イオンビーム（FIB）処理アプリケーションも提供します。詳細については、当社の製品ページをご覧ください。
プラズマ集束イオンビーム（PFIB）装置を用いて、で化学的ディレイヤリング法を使用してディレイヤリング加工を行った200 µm x 200 µm先端ロジックデバイス。
デバイスのディレイヤリングワークフローの例
PFIBを用いてM1層までディレイヤリングされたサイト。
Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeamを使用して作製された100 µm x 100 µm領域のディレイヤリング加工済サイト。
PFIBディレイヤリング技術によって露出したメタル層。
PFIBディレイヤリングによるダイエッジでのサイト調整。
厚層部除去とPFIBによるディレイヤリングの両方を使用したフルサイト処理。
PFIBを用いてM1層までディレイヤリングされたサイト。
Thermo Scientific Helios G4 PFIB DualBeamを使用して作製された100 µm x 100 µm領域のディレイヤリング加工済サイト。
PFIBディレイヤリング技術によって露出したメタル層。
PFIBディレイヤリングによるダイエッジでのサイト調整。
厚層部除去とPFIBによるディレイヤリングの両方を使用したフルサイト処理。
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進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
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