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半導体デバイスの設計が小さなノードに近づくにつれ、製造歩留まりを上げることがますます難しくなっています。ノードの小型化と3Dアーキテクチャの複雑化により、設計プロセスにおいてステップが増加し、複雑さが増しています。数百のステップが関与しており、いずれか1つのステップで欠陥や電気的故障が発生すれば、総生産時間が延びてしまいます。新しい半導体設計の商業的成功のためには市場投入までの時間と歩留まり確保までの期間の短縮が不可欠であるため、各ステップが最適化されていることを確認するための計測ツールと検査ツールが必要です。これにより最大歩留まりを保証し、維持することができます。
歩留まり解析はできるだけ迅速かつ低コストで実施しなければなりません。しかし、デバイス製造に関わる数多くのステップを考えると、多くの場合これは非常に困難な課題となります。たとえば、高度な論理デバイスでは、finFETゲートの高さ、フィンの高さ、および側壁の角度など、さまざまな測定を行う必要があります。これらの測定を費用対効果が高くタイムリーに実施するには、半導体解析専用に設計された高度なキャラクタリゼーションツールが必要です。自動SEMまたは（S）TEMベースの計測機器を使用することで、製造業者は正確かつタイムリーな半導体検査を行い、製造コストを削減し、製品開発サイクルを短縮できます。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、半導体計測および検査用の高度な解析機能を備えた一連の次世代製品を提供しています。これらのソリューションは、論理、3D NAND、DRAM、アナログ、電源、およびディスプレイ装置の製造における品質管理と歩留まりを改善することで、半導体製造ラボの生産性を高められるように設計されています。
半導体計測&歩留まり立ち上げワークフローの例
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
Style Sheet for Instrument Cards Origin
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards
