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半導体デバイスは高速化と歩留まり確保までの期間および市場投入までの時間の短縮が求められ、ますます複雑になっています。走査型透過電子型顕微鏡（S）TEM計測は、サブオングストロームの統計的な関連データを取得できるため、あらゆる最先端ウェハー製造ワークフローにとって不可欠なものとなっています。メーカーは(S)TEM計測で得られた知見により、ツールセットの校正、故障メカニズムの診断、およびプロセス全体の歩留まりの最適化を行うことができます。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、お客さまのニーズに応じて、手動、半自動、または完全自動のソリューションを実現できる柔軟性を備えた計測ワークフローを提供しています。Thermo Scientific Metrios AX Systemは、半導体メーカーがウェハー製造プロセスを開発および制御するために必要とする迅速かつ正確な計測を可能にするように設計された最初のTEMです。詳細については、以下のMetrios製品ページをご覧ください。
TEM計測ワークフローの例
300 mmリソグラフィ後（EUV曝露）およびエッチング後のウェハーのラインラフネス（LER/LWR）の評価に使用されるSTEM計測寸法の例。これは、10 nm技術ノード用のゲートフィンを生成するために使用される、複数ステップのパターニングプロセスの一部を模倣しています。
300 mmリソグラフィ後（EUV曝露）およびエッチング後のウェハーのラインラフネス（LER/LWR）の評価に使用されるSTEM計測寸法の例。これは、10 nm技術ノード用のゲートフィンを生成するために使用される、複数ステップのパターニングプロセスの一部を模倣しています。
平面切断された3D NANDメモリビットのエネルギー分散型X線分光法（EDS）エレメントマップからの計測です。poly-Siチャネルの円形寸法を測定し、酸化物、トンネル酸化物、Si3N4トラップ層をブロックします。
14 nmのフィンカットサンプルで取得した自動計測測定の例です。ゲート酸化物の寸法と、2つの重要なプロセスエッチングステップに関連するフィンの高さを測定します。
300 mmリソグラフィ後（EUV曝露）およびエッチング後のウェハーのラインラフネス（LER/LWR）の評価に使用されるSTEM計測寸法の例。これは、10 nm技術ノード用のゲートフィンを生成するために使用される、複数ステップのパターニングプロセスの一部を模倣しています。
平面切断された3D NANDメモリビットのエネルギー分散型X線分光法（EDS）エレメントマップからの計測です。poly-Siチャネルの円形寸法を測定し、酸化物、トンネル酸化物、Si3N4トラップ層をブロックします。
14 nmのフィンカットサンプルで取得した自動計測測定の例です。ゲート酸化物の寸法と、2つの重要なプロセスエッチングステップに関連するフィンの高さを測定します。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
Style Sheet for Komodo Tabs
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Style Sheet for Instrument Cards Origin
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Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards
