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先進的なロジックやメモリの製造プロセスでは、精密な構造データや分析データを校正された装置で迅速に入手し、歩留まり異常の診断やプロセス歩留まりの最適化を行うことがより重要になってきています。28 nm以下のテクノロジーノードで、特に3Dや高度なデバイス設計を行う場合は、従来のSEMや光学ベースの分析・検査ツールでは、堅牢で信頼性の高いデータを得ることが難しいという問題があります。サーモサイエンティフィック社のMetrios AX透過電子顕微鏡(TEM)は、半導体メーカーがウェハ製造プロセスを開発・管理し、歩留まりを向上させるために必要な高速かつ正確な特性評価と校正された計測結果を提供する初めての専用TEMです。
Metrios AX TEMは、TEMの基本的な操作と測定手順を自動化し、専門的なオペレータートレーニングに必要な時間を最小限に抑えています。その高度な自動計測ルーチンは、手作業に比べ格段に高い精度を実現します。Metrios AX TEMは、他のTEMと比較してスループットの向上とサンプルあたりコストの低減が実現されるよう設計されています。
TEMおよびSTEMをベースとした再現性のあるイメージング、分析、ゲージ対応計測を実現するために、ゼロからの設計がされています。
歪みと倍率のキャリブレーションにおける総合誤差は、TEMとSTEMの両方で0.75%未満です。
EDSデータ取得と定量化は自動で行えます。進歩したSTEMによって重要な限界寸法と元素コントラストを重ねて利用できます。
重要なプロセスデータは、試料作製、プラッキング、イメージングを通じて追跡されます。測長はオフラインで使用できるので、マシンタイムが最大化されます。すべてのイメージおよび計測データは、ウェブベースの画像ビューアに統合されています。
加速電圧範囲(kV) | 60~200 kV | |
空間分解能200 kV(nm) | 0.11 | |
補正なし | プローブ補正あり* | |
STEM HAADF分解能(nm)200 kV |
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STEM HAADF分解能(nm)80 kV |
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MetroCalウェハーの水平および垂直方向の測定精度 |
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電子銃 |
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高安定電子機器および高安定加速電圧 |
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アコースティックエンクロージャー |
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コンスタントパワーレンズ |
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ピエゾステージ |
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プローブ補正器対応 |
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高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。