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複雑な構造を高品質で迅速な解析とイメージングで観察する必要性はますます高まっています。これを可能にする高度な（走査型）透過電子型顕微鏡（S）TEMは、あらゆる最先端のウェハー製造ワークフローに不可欠なものとなっています。半導体設計者は、デバイスの性能を適切に解析および最適化するために、優れた柔軟性と安定性、および高分解能イメージングを提供する解析ツールを必要としています。（S）TEMキャラクタリゼーションによりメーカーは、ツールセットの校正、故障メカニズムの診断、およびプロセス全体の歩留まりの最適化を行うことができます。
イメージングにとどまらず、結晶方位マッピングやひずみ解析用の電子線回折、定性的または定量的組成解析用のエネルギー分散型X線分光法（EDS）、組成および化学情報用の電子エネルギー損失分光法（EELS）など、半導体デバイスのキャラクタリゼーションに必須の（S）TEM機器に関するさまざまな技術があります。さらに、電子線ホログラフィー、トモグラフィー、ローレンツイメージング、および（統合）微分位相コントラスト（iDPC/DPC）イメージングなどの高度なイメージング技術もあり、今では半導体ラボで日常的に使用されています。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、妥協のない高分解能イメージングと高い解析性能の組み合わせによって、半導体デバイスの計測、解析、パスファインディング用のTEMワークフローの世界的リーダーとなっています。詳細については、以下の該当する製品ページをご覧ください。
TEMイメージングおよび解析ワークフローの例
finFETデバイスの高角度散乱暗視野（HAADF）STEM画像（左）、環状明視野（ABF）STEM画像（中央）、およびiDPC画像（右）。
透過電子型顕微鏡でイメージングされ、エネルギー分散型X線分光法でマッピングされたFinFETデバイス。
回折シリーズでは、デバイスの断面におけるひずみ分布を検出できます。この例では、1,620個の回折パターンを収集して解析し、インセットひずみマップを生成し、（110）方向に沿って示しています。
finFETデバイスの高角度散乱暗視野（HAADF）STEM画像（左）、環状明視野（ABF）STEM画像（中央）、およびiDPC画像（右）。
透過電子型顕微鏡でイメージングされ、エネルギー分散型X線分光法でマッピングされたFinFETデバイス。
回折シリーズでは、デバイスの断面におけるひずみ分布を検出できます。この例では、1,620個の回折パターンを収集して解析し、インセットひずみマップを生成し、（110）方向に沿って示しています。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
ディスプレイモジュールの不良解析
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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