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半導体デバイスはさまざまな理由で不具合を発生させる可能性があり、メーカーにとって時間の浪費とコストの増大につながります。不具合の原因には過大電流・電圧、電離放射線、機械的ストレスまたは温度の大幅な上昇などがあり、これらは局所的電力損失の不均一な分布の結果です。
静的サーモグラフィおよびロックインサーモグラフィは、デバイス不良につながる温度変化を検出する技術です。これらの方法のうち、ロックイン赤外線サーモグラフィ（IR LIT）は静的サーモグラフィよりもはるかに優れた信号対雑音比、感度および識別分解能を提供します。LITを半導体相互接続の不良解析に使用することで、線間ショート、ESD破壊、酸化膜損傷、トランジスタならびにダイオードの欠陥、デバイスのラッチアップを特定できます。
LITはさまざまな半導体デバイスの熱的不良個所を特定する上でますます重要となっている技術です。Thermo Scientific ELITEシステムは強力なLITツールであり、物理分析システム<40>Thermo Scientific Helios PFIB DualBeam と組み合わせることで高効率なワークフローを実現します。詳細については以下の製品ページをご覧ください。
ショート不良検出中に生成された熱イメージ。デバイスにハンダ付けされたワイヤの発熱像を可視化しています。
ロックインサーモグラフィワークフローの例
ELITEシステムで生成された発熱像。信号強度に基づいて取得時間をスケーリングするロックイン技術の能力を示しています。
リアルタイムロックインサーモグラフィ方式。
微少発熱を捉えたELITE画像。積分時間80時間で取得したものです。
3次元で発熱源を特定できるELITEシステムは積層チップ解析に最適です。
ELITEシステムで生成された発熱像。信号強度に基づいて取得時間をスケーリングするロックイン技術の能力を示しています。
リアルタイムロックインサーモグラフィ方式。
微少発熱を捉えたELITE画像。積分時間80時間で取得したものです。
3次元で発熱源を特定できるELITEシステムは積層チップ解析に最適です。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
ESD半導体適格性評価
静電放電（ESD）管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
ディスプレイモジュールの不良解析
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
半導体材料およびデバイスの解析
半導体デバイスが微細化し複雑になるにつれて、新しい設計と構造が必要になります。生産性の高い3D解析ワークフローはデバイス開発時間の短縮や、歩留まりの最大化を実現し、デバイスが業界の将来のニーズを確実に満たすようにします。
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