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高度パッケージング技術の急速な成長、複雑さを増す接続手法、パワーデバイスの高性能化などにより、不良位置の特定と解析がかつてないほど困難になっています。不良が存在したり性能が低下したりしている半導体デバイスでは、しばしば局所的な電力損失の異常分布が見られ、局所的な温度上昇につながります。Thermo Scientific ELITEシステムでは、ロックインサーモグラフィ(LIT)を用いて、これらの対象領域を正確かつ効率的に特定することができます。
LITは動的サーモグラフィの一種で、静的サーモグラフィと比較して信号雑音比が大幅に改善されており、感度や分解能も優れています。LITをIC解析に用いることで、線間ショート、ESD破壊、酸化膜損傷、不良トランジスタ・ダイオード、デバイスのラッチアップを特定できます。LITは通常の室内環境で動作し、暗箱を必要としないケースもあります。
スタックダイの不良解析は悩みの種です。LITであれば、ボンディングかTSVかに関わらず、封止されたダイスタック内に潜む不良のX/Y/Z位置情報を特定できる可能性があります。
ロックイン周波数を高くするほど、得られる空間分解能は高くなります。その反面、周波数を高くするほど、検出される熱放射は大幅に減少します。これは多くのLITシステムにおいて制限事項となるものです。ELITEシステムではこの制限を、独自のシステムアーキテクチャを用意することで克服しており、より高い周波数によるLITデータを長時間で蓄積することができます。データ分解能はデータ取得を長時間継続するほど向上します。
システムによるデータ取得時間が長くなるほど、感度は高くなります。これが特に有用なのは、非常に低い電力レベルでのデータ取得を試みる場合や、微妙な障害モードでのデータ取得を試みる場合です。
ELITEシステムは、シングルレンズとカメラによる構成、または柔軟な6口ターレットの利用が可能です。高性能なカスタム中赤外線対物レンズを用意:広角、1x、5x、10x。
方位分解能 |
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深さ分解能 |
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不良タイプ |
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サンプルタイプ |
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視野 |
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サンプルへの印加 |
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取得時間 |
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*上記性能はサンプルおよびセットアップによって異なる場合があります。
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
静電放電(ESD)管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー(LIT)を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電(ESD)により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。