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新しいThermo Scientific Helios 5 DualBeamは、業界をリードするHelios DualBeamファミリーの高性能イメージングと分析機能を基づいて構築されています。きわめて難易度の高い試料であっても、集束イオンビーム走査電子顕微鏡（FIB-SEM）の幅広い使用事例に対応し、材料科学の研究者やエンジニアのニーズを満たすように入念に設計されています。
Helios 5 DualBeamは、優れた材料コントラストにより高分解能イメージングのスタンダードを再定義するもので、(S)TEMイメージングとアトムプローブトモグラフィー（APT）用の高精度な試料作製を高速かつ簡単に行えるとともに、高品質な表面下解析と3D解析も可能にします。実績のあるHelios DualBeamシリーズの機能をベースにさらなる改良が加えられた新しいHelios 5 DualBeamシステムは、さまざまな手動または自動のワークフローで最適に動作するよう設計されています。おもな改善点：
- 優れた使いやすさ：Helios 5 DualBeamは、ユーザーの経験値にかかわらず利用できるもっとも使いやすいDualBeamです。オペレーターのトレーニングは数カ月から数日に短縮できます。システムは、あらゆるオペレーターがさまざまな高度なアプリケーションを実行でき、そのすべてにおいて一貫した再現性のある結果を得られるように設計されています。
- 生産性の向上：高度に自動化され、堅牢性と安定性の強化されたHelios 5 DualBeamおよびThermo Scientific AutoTEM 5ソフトウェアは、無人操作はもとより夜間運転も可能とし、試料作製のスループットを大幅に向上させます。
- 結果を得るまでの時間を短縮：Helios 5 DualBeamには、イメージチューニングの概念を刷新するFLASH機能が組み込まれています。従来の顕微鏡では、オペレーターが画像を取得するたびに、顕微鏡を繰り返し慎重に調整する必要があります。Helios 5 DualBeamでは、画面上で左右に動かすだけのシンプルなジェスチャー操作でFLASHが起動し、これらのパラメーターが自動的に調整されます。自動調整機能はスループットとデータ品質を大幅に向上させ、高品質画像の取得を簡素化します。
Thermo Scientific Helios 5 DualBeamは、業界をリードするHelios DualBeamファミリーの第5世代製品です。このHelios DualBeamは科学者やエンジニアのニーズを満たすように入念に設計されており、超高分解能イメージングと高いマテリアルコントラストが可能な革新的なElstar電子カラムと、迅速、簡単、正確で高品質な試料作製が可能なThermo Scientific Tomahawkイオンカラムを組み合わせています。Helios 5 DualBeamには、高度な電子光学系およびイオン光学系に加えて最先端技術が組み込まれており、きわめて難易度の高い試料でも、高分解能(S)TEMやアトムプローブトモグラフィー（APT）用のシンプルかつ一貫性のある試料作製と、高品質な表面下解析や3D解析が可能です。
高品質な試料作製
ハイスループットなThermo Scientific TomahawkイオンカラムおよびThermo Scientific Phoenixイオンカラムは、(S)TEMおよびAPT分析でのサイト限定の試料作製において、比類のない低加速電圧パフォーマンスを発揮します。
完全自動化
オプションのAutoTEM 5ソフトウェアを使用することで、完全に自動化されたマルチサイトのin situおよびex situでのTEM試料作製や断面作製が迅速かつ簡単に実行できます。
ナノスケールの情報を最短時間で取得
Thermo Scientific SmartAlignおよびFLASHテクノロジーを実装したクラス最高のThermo Scientific Elstar電子カラムは、あらゆる経験レベルのユーザーに対応します。
次世代のUC+ モノクロメーターテクノロジー
より高い電流の次世代UC+ モノクロメーターテクノロジーにより、低エネルギーでのサブナノメートル分解能を実現し、微細構造を明らかにできます。
試料情報を明らかにする
最大で6つある鏡筒内検出器およびレンズ下方検出器により、チャージングのない明確なコントラストが得られます。
3D解析
オプションのThermo Scientific Auto Slice & View 4（AS&V4）ソフトウェアを用いることで、所要の領域を正確に捉えながら、高品質なマルチモーダルでの表面下情報および3D情報を得ることができます。
迅速なナノプロトタイピング
複雑な構造物のミリングやデポジションを、限界寸法10 nm未満にて、正確かつ精密に高速実行。
正確な試料ナビゲーション
アプリケーション固有のニーズに合わせた調整を可能にする、安定性と精度に優れた150 mmピエゾステージまたは110 mmフレキシブルステージ、およびチャンバー内Thermo Scientific Nav-Camカメラ。
アーチファクトのないイメージング
内蔵のクリーン試料管理とSmartScanやDCFIなどの専用イメージングモードをベースにしています。
STEMイメージング
Thermo Scientific Helios 5 FXの構成は、独自のin-situ分解能3 ÅのSTEM機能により、生産性に優れたワークフローを提供します。
Helios 5 HX DualBeamおよびHelios 5 FX DualBeamの仕様については、ドキュメントセクションにあるデータシートをダウンロードしてください。
Style Sheet for Products Table Specifications
半導体産業に適したHelios 5 DualBeamの仕様
| Helios 5 CX | Helios 5 HP | Helios 5 UX | Helios 5 HX | Helios 5 FX | ||
| 主力となる試料作製とXHR SEMイメージング | 究極の試料作製（TEMラメラ、APT） | オングストロームスケールのSTEMイメージングと試料作製 | ||||
| SEM | 分解能 | 20 eV～30 keV | 20 eV～30 keV | |||
| 入射エネルギー | 15 keVで0.6 nm 1 keVで1.0 nm | 2 keVで0.6 nm 1 keVで0.7 nm 500 eVで1.0 nm | ||||
| STEM | 分解能（30 keV） | 0.7 nm | 0.6 nm | 0.3 nm | ||
| FIB作製プロセス | 最大材料除去 | 65 nA | 100 nA | 65 nA | ||
| 最適な最終仕上げ加工 | 2 kV | 500 V | ||||
| TEM試料作製 | サンプル厚み | 50 nm | 15 nm | 7 nm | ||
| 自動化 | なし | あり | あり | |||
| 試料の処理 | 移動 | 110×110×65 mm | 110×110×65 mm | 150×150×10 mm | 100×100×20 mm | 100×100×20 mm + 5軸(S)TEM Compustage |
| ロードロック | 手動クイックローダー | 自動化 | 手動クイックローダー | 自動化 | 自動 + 自動挿入／抽出STEMロッド | |
材料科学に適したHelios 5 DualBeamの仕様
| Helios 5 CX | Helios 5 UC | Helios 5 UX | ||
| FIB | 大電流を使用できる優れたFIBカラム「Tomahawk HT」 | 高電流および低加速電圧でのパフォーマンスに優れたPhoenixイオンカラム | ||
| イオンビーム電流範囲 | 1 pA～100 nA | 1 pA～65 nA | ||
| 加速電圧範囲 | 500 V～30 kV | 500 V～30 kV | ||
| 最大観察横幅 | ビーム交点で0.9 mm | ビーム交点で0.7 mm | ||
| イオン源の最短寿命 | 1,000時間 | 1,000時間 | ||
| 二段差動排気システム 飛行時間補正（TOF） 15個の絞り | 二段差動排気システム 飛行時間補正（TOF） 15個の絞り | |||
| 電子光学系 | Elstar超高分解能電界放出SEMカラム | Elstar超高分解能電界放出SEMカラム | ||
| 磁界イマージョン対物レンズ | 磁界イマージョンレンズ | |||
| 高分解能で安定した分析電流を提供するショットキー電界放出電子銃 | 高分解能で安定した分析電流を提供するショットキー電界放出型電子銃 | |||
| 電子ビームの分解能 | 最適作動距離（WD） | 30 kV STEMで0.6 nm 15 kVで0.6 nm 1 kVで1.0 nm 1 kVで0.9 nm（ビーム減速を使用*） | 30 kV STEMで0.6 nm 1 kVで0.7 nm 500 Vで1.0 nm（ICD） | |
| ビーム交点 | 15 kVで0.6 nm 1 kVで1.5 nm（ビーム減速*およびDBS*検出器を使用） | 15 kVで0.6 nm 1 kVで1.2 nm | ||
| 電子ビームパラメータスペース | 電子ビーム電流範囲 | 0.8 pA～176 nA | 0.8 pA～100 nA | |
| 加速電圧範囲 | 200 V～30 kV | 350 V～30 kV | ||
| 入射エネルギー範囲 | 20 eV～30 keV | 20 eV～30 keV | ||
| 最大観察横幅 | 4 mm WDで2.3 mm | 4 mm WDで2.3 mm | ||
| 検出器 | ElstarインレンズSE/BSE検出器（TLD-SE、TLD-BSE） | |||
| Elstar鏡筒内SE/BSE検出器（ICD）※ | ||||
| Elstar鏡筒内BSE検出器（MD）※ | ||||
| Everhart-Thornley SE検出器（ETD） | ||||
| 試料とカラムを観察するためのIRカメラ | ||||
| 二次イオン（SI）および二次電子（SE）用の高性能チャンバー内電子／イオン検出器（ICE）※ | ||||
| 試料ナビゲーション用Thermo Scientificチャンバー内Nav-Camカメラ※ | ||||
| 低電圧、高コントラストのリトラクタブル指向性半導体後方散乱電子検出器（DBS）※ | ||||
| BF/DF/HAADFセグメント型のリトラクタブルSTEM 3+検出器* | ||||
| ビーム電流計測機能搭載 | ||||
| ステージと試料 | ステージ | 柔軟な5軸電動ステージ | ピエゾ駆動XYR軸を搭載した高精度5軸電動ステージ | |
| XY範囲 | 110 mm | 150 mm | ||
| Z範囲 | 65 mm | 10 mm | ||
| 回転 | 360°（無制限） | 360°（無制限） | ||
| 傾斜範囲 | -15°～+90° | -10°～+60° | ||
| 最大試料高さ | ビーム交点までのクリアランス85 mm | ビーム交点までのクリアランス55 mm | ||
| 最大試料重量 | あらゆるステージ位置で500 g 傾斜0°時に最大5 kg（一部制限あり） | 500 g（試料ホルダーを含む） | ||
| 最大試料サイズ | フル回転で110 mm（回転が制限されている場合は、より大きな試料を使用可能） | フル回転で150 mm（回転が制限されている場合は、より大きな試料を使用可能） | ||
| コンピューター制御回転と傾斜 | コンピューター制御による回転と傾斜 | |||
※オプションでご利用になれます。構成により異なります
Style Sheet for Komodo Tabs
Helios 5 UX DualBeamで取得された高品質な超薄型ラメラ（<100> SrTiO3）の60 kV高分解能STEM（HRSTEM）画像。
Helios DualBeamおよびAuto Slice＆View 4（AS&V4）を用いて3Dデータ取得用に作製した試料の表面。
Helios DualBeamで生成された高品質なTEMラメラ。簡単かつ最大限に自動化されたTEM試料の作製ワークフローを提供するAutoTEM 5ソフトウェアを用いることで、所要時間は1時間未満。
Helios DualBeamで取得し、Avizoで再構築したセラミック試料の、高品質かつ高分解能な3D解析。データはセグメント化され、試料中のさまざまな相の分布を分析します。試料提供：KAIST。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
サーモフィッシャーサイエンティフィックPFAデモデー
サーモフィッシャーサイエンティフィックは半導体製造におけるニーズをサポートするべく、業界最先端の故障解析、計測、特性評価ソリューションに関する新たな機能を継続的に提供しています。
サーモフィッシャーサイエンティフィックPFAデモデーでは、試料作製およびFinFETロジック回路のディレイアリングに関する当社の最新イノベーションを紹介しています。
Helios 5 DualBeamの紹介
新しいThermo Scientific Helios 5 DualBeamは、業界をリードするHelios DualBeamファミリーの高性能なイメージングおよび分析機能をベースにしています。
録画のWebセミナーに登録すると、新しいHelios 5に追加された機能によって、手動または自動のさまざまなワークフローにおいてシステムがどのように最適化されるかを解説したビデオ（約17分）をご確認いただけます。
マルチイオン種プラズマFIB技術の最新のアプリケーション開発
ライブWebセミナーに登録すると、最先端の研究ラボでの材料分析において、当社の新しいThermo Scientific Helios 5レーザーPFIBおよびThermo Scientific Helios 5 Hydra DualBeamがどのように活用されているかをご確認いただけます。
Helios 5 UX DualBeamで取得された高品質な超薄型ラメラ（<100> SrTiO3）の60 kV高分解能STEM（HRSTEM）画像。
Helios DualBeamおよびAuto Slice＆View 4（AS&V4）を用いて3Dデータ取得用に作製した試料の表面。
Helios DualBeamで生成された高品質なTEMラメラ。簡単かつ最大限に自動化されたTEM試料の作製ワークフローを提供するAutoTEM 5ソフトウェアを用いることで、所要時間は1時間未満。
Helios DualBeamで取得し、Avizoで再構築したセラミック試料の、高品質かつ高分解能な3D解析。データはセグメント化され、試料中のさまざまな相の分布を分析します。試料提供：KAIST。
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
サーモフィッシャーサイエンティフィックPFAデモデー
サーモフィッシャーサイエンティフィックは半導体製造におけるニーズをサポートするべく、業界最先端の故障解析、計測、特性評価ソリューションに関する新たな機能を継続的に提供しています。
サーモフィッシャーサイエンティフィックPFAデモデーでは、試料作製およびFinFETロジック回路のディレイアリングに関する当社の最新イノベーションを紹介しています。
Helios 5 DualBeamの紹介
新しいThermo Scientific Helios 5 DualBeamは、業界をリードするHelios DualBeamファミリーの高性能なイメージングおよび分析機能をベースにしています。
録画のWebセミナーに登録すると、新しいHelios 5に追加された機能によって、手動または自動のさまざまなワークフローにおいてシステムがどのように最適化されるかを解説したビデオ（約17分）をご確認いただけます。
マルチイオン種プラズマFIB技術の最新のアプリケーション開発
ライブWebセミナーに登録すると、最先端の研究ラボでの材料分析において、当社の新しいThermo Scientific Helios 5レーザーPFIBおよびThermo Scientific Helios 5 Hydra DualBeamがどのように活用されているかをご確認いただけます。
電子顕微鏡を使用したプロセス制御
近年の産業では、確かなプロセス制御によって維持される優れた品質とスループットの両立が求められています。専用の自動化ソフトウェアを搭載したSEMおよびTEMツールは、プロセスモニタリングおよびプロセス改善のための迅速なマルチスケール情報を提供します。
品質管理と不良解析
近年の産業では、品質管理と品質保証が不可欠です。私たちは、欠陥をマルチスケールかつ多モードで分析可能なEMおよび分光ツールを提供しており、これらにより得られる信頼性の高い十分な情報によりプロセス制御および改善のための決定が可能となります。
基礎材料研究
新材料開発では、その物理的および化学的特性を最大化するために、より小さなスケールでの研究がなされています。電子顕微鏡は、マイクロスケールからナノスケールのさまざまな材料特性について重要な情報を研究者に提供します。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
パワー半導体デバイス解析
電力用装置には、障害位置特定にかかわる特有の課題があります。これは主に、動力用装置のアーキテクチャとレイアウトを原因としています。当社のパワー半導体デバイス解析ツールとワークフローを使用すると、動作条件下の不良個所をすばやく特定し、材料、インターフェース、装置構造の高精度かつハイスループットの特性分析を行えます。
ディスプレイモジュールの不良解析
進化を続けるディスプレイテクノロジーではディスプレイの品質と光変換効率の向上を目的としており、さまざまな産業分野のアプリケーションをサポートしながら生産コストを削減します。当社が提供するプロセスの計測、不良解析、研究および開発ソリューションは、ディスプレイ企業がこうした課題を解決するのに役立ちます。
(S)TEM試料作製
DualBeam顕微鏡では、(S)TEM分析用の高品質な極薄膜試料の作製が可能です。高度な自動化機能により、ユーザーの経験レベルにかかわらず、あらゆる材料で熟練者と同等の結果を得ることができます。
3D材料解析
多くの場合、材料の開発にはマルチスケールの3D解析が必要です。DualBeam装置により、大量の連続スライスと、その後のナノメートルスケールでのSEMイメージングが可能となり、試料の高品質な3D再構成処理を行うことができます。
ナノスケールのプロトタイピング
技術の微細化が進むにつれ、ナノスケールのデバイスや構造に対する需要はますます高まっています。DualBeam装置を使用した3Dナノプロトタイピングにより、マイクロスケールおよびナノスケールの機能的構造試作の設計、作製、および検査を迅速に行うことができます。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
断面加工
断面加工により、表面下の情報が明らかになり、さらなる知見が得られます。DualBeam装置は、高品質の断面加工を実現する、優れた集束イオンビームカラムを備えています。自動化機能により、無人でのハイスループットな試料処理が可能になります。
In situ試験
加熱、冷却、液中での再結晶化、グレイン成長、相変態などの動的プロセスの基本原理を理解するには、電子顕微鏡を用いて、微細構造変化を直接かつリアルタイムで観察する必要があります。
マルチスケール分析
新しい材料の場合、その構造全体を把握しながら、高い分解能で分析する必要があります。マルチスケール分析では、X線マイクロCT、DualBeam、レーザーPFIB、SEM、TEMなどのさまざまなイメージング技術や方法の相関が可能です。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
(S)TEM試料作製
DualBeam顕微鏡では、(S)TEM分析用の高品質な極薄膜試料の作製が可能です。高度な自動化機能により、ユーザーの経験レベルにかかわらず、あらゆる材料で熟練者と同等の結果を得ることができます。
3D材料解析
多くの場合、材料の開発にはマルチスケールの3D解析が必要です。DualBeam装置により、大量の連続スライスと、その後のナノメートルスケールでのSEMイメージングが可能となり、試料の高品質な3D再構成処理を行うことができます。
ナノスケールのプロトタイピング
技術の微細化が進むにつれ、ナノスケールのデバイスや構造に対する需要はますます高まっています。DualBeam装置を使用した3Dナノプロトタイピングにより、マイクロスケールおよびナノスケールの機能的構造試作の設計、作製、および検査を迅速に行うことができます。
APT試料作製
アトムプローブトモグラフィー（APT）では、原子分解能で材料の3D組成分析を行うことができます。集束イオンビーム（FIB）顕微鏡技術は、APT解析用の方位と解析領域をコントロールできる高品質な試料作製に不可欠です。
断面加工
断面加工により、表面下の情報が明らかになり、さらなる知見が得られます。DualBeam装置は、高品質の断面加工を実現する、優れた集束イオンビームカラムを備えています。自動化機能により、無人でのハイスループットな試料処理が可能になります。
In situ試験
加熱、冷却、液中での再結晶化、グレイン成長、相変態などの動的プロセスの基本原理を理解するには、電子顕微鏡を用いて、微細構造変化を直接かつリアルタイムで観察する必要があります。
マルチスケール分析
新しい材料の場合、その構造全体を把握しながら、高い分解能で分析する必要があります。マルチスケール分析では、X線マイクロCT、DualBeam、レーザーPFIB、SEM、TEMなどのさまざまなイメージング技術や方法の相関が可能です。
回路編集
新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
材料科学向けの
電子顕微鏡サービス
最適なシステム性能をお届けするため、当社は国際的なネットワークで、分野ごとのサービスエキスパート、テクニカルサポート、正規交換部品などを提供しています。
Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards