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Thermo Scientific Helios 5 PXL Wafer DualBeamはプラズマ集束イオンビーム走査電子顕微鏡（PFIB SEM）の一種で、高アスペクト比のスルースタック計測および構造解析のスタンダードを再定義する存在です。その特長は高性能のインライン計測とプロセスモニタリングであり、プロセス開発および製造エンジニアに重要な知見を迅速に提供できます。
ファブのインライン計測およびプロセス制御の要件を満たすように設計されたHelios 5 PXLWafer DualBeamは、データ取得までの時間を大幅に短縮し、ウェハを引き上げて廃棄することなくラインに戻すことができます。
Helios 5 PXL Wafer DualBeamは半導体のファクトリーオートメーションに対応しており、レシピ主導による無人操作を促進します。この自動化は、ファブ計測およびプロセスモニタリングのハイスループット要件をサポートしており、きわめて難易度の高い構造にも対応しています。
データ取得までの時間を短縮
Helios 5 PXL Wafer DualBeamは、特許取得済みのThermo Scientific Elstar電子カラムと高性能なPFIB2.0キセノンプラズマイオンカラムを活用し、高分解能かつ高コントラストなイメージングを提供します。高アスペクト比3Dスルースタック構造の正確な寸法測定が行え、従来のインライン計測ツールでは容易にはアクセスできないデータが得られます。
歩留まり学習の高速化と生産性の向上
高アスペクト比構造に対する高速で正確な広領域のウェハーレベルのDeprocessing、Diagonal Mill、断面作成を行うことが可能です。高度な自動化機能により潜在的な問題を特定でき、プロセスの開発速度を加速し、製造時の中断を最小限に抑制します。
ワールドクラスのサービス、知識、専門性
Helios 5 PXL Wafer DualBeamは、高度な計測用試料作製と故障解析に関する当社のワールドクラスのサービス、知識、専門性によりバックアップされています。
| Xe+プラズマFIBカラム |
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| Elstar UHRイマージョンレンズFESEMカラム |
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| ガス供給 |
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| wafer 搬送 |
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| 追加オプション |
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The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
The Thermo Scientific Helios DualBeam Family
高度なメモリテクノロジー
今日のデータに対する需要の高まりは、3D NAND、DRAM、その他のメモリ構造における革新を促進しています。当社のメモリ分析ツールおよびワークフローは、生産性の向上をもたらし、求められる性能、遅延、容量を満たすことを可能にします。
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
歩留り改善と計測
当社は、幅広い半導体アプリケーションやデバイスの生産性向上と歩留り改善に寄与する、欠陥分析、計測、およびプロセス制御のための高度な分析機能を提供しています。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
物理解析および化学分析
継続的な性能要求により、小型で高速、かつ安価な電子デバイス開発が促進されています。これらの製造には、多岐に渡る半導体およびディスプレイデバイスのイメージング、分析、解析を行う、生産性の高い装置とワークフローが重要な役割を果たします。
ESD半導体適格性評価
静電放電（ESD）管理計画においては、ESD感度の高い機器を特定することが必要です。当社は、使用機器の適格要件適合を補助するための完全な検査システムセットを提供しています。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電（ESD）により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。
ナノプロービング
デバイスの複雑さが増すにつれ、欠陥が潜む箇所も増えてきます。ナノプロービングは電気的な欠陥を正確に特定し、効果的に透過電子顕微鏡の故障解析を行う上でとても重要となります。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
発熱不良解析
発熱分布が不均一になると温度が局所的に大きく上昇し、デバイスの故障につながる可能性があります。当社は、高感度ロックイン赤外線サーモグラフィー（LIT）を利用した、発熱不良解析のための独自ソリューションを提供しています。
半導体TEMイメージングおよび分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックの透過電子顕微鏡は、半導体デバイスの高分解能イメージングと分析が可能で、メーカーはツールセットの校正、故障診断、および全体的なプロセス効率の最適化を行うことができます。
TEM測長
先進的で自動化されたTEM測長ルーチンは、マニュアル測長よりもはるかに高い精度を実現します。これにより、オペレーター依存がなく、サブオングストロームレベルの仕様で、統計的に相関がある大量のデータを生成することができます。
半導体デバイスの試料作製
Thermo Scientific DualBeamシステムを使用すると、半導体デバイスの原子スケール分析で使用するTEMサンプルを正確に作製できます。自動化および高度な機械学習テクノロジーにより、高品質試料を正しい位置で、試料あたりのコストを抑えて作製できます。
SEM測長
走査電子顕微鏡により、ナノメートルスケールでの正確かつ信頼性の高いメトロロジーデータが得られます。自動化された超高分解能SEM測定により、メモリー、ロジック、およびデータストレージアプリケーションの歩留まりの向上と市場投入までの時間短縮を実現できます。
半導体のイメージング・分析
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、一般的なイメージング業務から、正確な電圧コントラスト測定を必要とする高度な故障解析技術まで、半導体ラボのあらゆる機能に対応する走査電子顕微鏡を提供します。
デバイスディレイヤリング
半導体デバイスの設計および構造の先進化、微細化により、半導体デバイスの故障解析はますます困難になっています。ダメージフリーのディレイヤリング加工は、埋込電気的欠陥や故障を検出するための重要な技術です。
ESDコンプライアンス検査
静電気放電（ESD）により、半導体や集積回路の機能および構造が損傷される可能性があります。私たちは、お客様のデバイスがESDコンプライアンス基準を満たしているか検証するための、包括的な検査装置を提供しています。
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