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回路修正と迅速なプロトタイピング

製品開発の加速と市場投入までの時間短縮が重要であるのは、テクノロジーウィンドウを取り逃し、後塵を拝することで膨大なコストに帰結するリスクがあるからです。設計やインテグレーションの複雑度は個々の新規テクノロジーノードごとに増加しており、回路修正用のツールはコストの管理、スケジュールの遅延回避、製品パフォーマンスと機能の最適化を進める上で戦略的に重要となります。

適切なツール、ワークフロー、テクニックを用いた回路修正は開発メーカーを助ける存在であり、マスクスピンの削減、プロトタイピングの迅速化、スケジュールに即したカスタマー設計を支援します。 

複雑な半導体回路の修正専用に設計されたThermo Scientific CentriosおよびCentrios HX回路修正システムは、現在はもとより将来的な半導体デバイスにおいても、業界最先端の高精度で制御性の高い、回路修正に必要な加工性能を提供します。

Centrios HX回路修正システム

Centrios HX回路修正システムの設計は、最先端の表面および裏面からの修正機能を追求しており、加工時の制御および正確性と安定性は比類のないレベルに達しています。

新しいThermo Scientific Celta集束イオンビーム(FIB)カラムを搭載したCentrios HXシステムは、低いビーム電流や低加速度電圧においても高解像度が得られ、回路への影響を最小限に抑えつつ正確な修正加工が実行できます。革新的なデュアルノズルガス供給システムを採用し、広範なケミストリーポートフォリオと最新のFIBテクノロジーを取り込んだCentrios HXシステムであれば、業界をリードする高精度なエッチングおよび、高速かつ効率的な修正作業が行えます。

Centrios回路修正システム

Centrios回路修正システムは、フィールドで実証されたThermo Scientific Tomahawk WDRイオンカラムを活用することで、優れたパフォーマンスと所有コストをもたらします。Centriosシステムは、現在確立されたプロセスノードに対する、正確な表面および裏面からの回路修正、迅速なプロトタイピング、シリコンデバッグを可能にします。

主な特長

イメージングおよびミリング分解能

Centriosシステム – 現場で実証されたThermo Scientific Tomahawk WDR FIBカラムの採用と最新のビームプロファイルの改善により、低いビーム電流でも高い解像度での、効率と安全性に優れた修正が可能。

Centrios HXシステム – 新しいThermo Scientific Celta FIBカラムの採用と最新のビームプロファイルの改善により、より低いビーム電流でのさらに高い解像度での、効果と安全性に優れた修正が可能。

強化されたミリングの精度と制御

デュアルノズルガス供給システムと独自のケミストリーポートフォリオを併用して、平面性/均一性の確保および、ディレイアリング/エッチングの終点検出、高精度作成が高アスペクト比ビアで行えます。

回路修正の専用プラットフォーム

回路修正用に特別な設計のされたCentriosおよびCentrios HX回路修正システムでは、ケミストリー供給などの主要コンポーネントが統合されており、手動および自動でのアプリケーション最適化が可能です。

低い運用コスト

ナビゲーション用のThermo Scientific NEXS CADソフトウェアとThermo Scientific iFASTソフトウェアを用いた自動化作業のカスタマイズが可能で、効率と操作性の向上をもたらします。


Style Sheet for Products Table Specifications

仕様

 

Centriosシステム

Centrios HXシステム

イオンカラム

  • Thermo Scientific Tomahawk WDRイオンカラム、
    ガリウム液体金属、寿命1,000時間
  • Thermo Scientific Celta FIBカラム

イメージング分解能

  • 30 kVで3.5 nm
  • 30 kVで2.5 nm

ビーム電流

  • 1.2 pA~65 nA
  • 最大電流50 nA

ステージ

  • 5軸電動ユーセントリック
    • X、Yモーション100 mm
    • 傾斜角10°~60°
    • 回転角360°
 

エンドポイント検出

  • 同時取得SE/試料電流
 

リソース

応用例

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半導体のパスファインディングと開発

高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。

半導体故障解析

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半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。


手法

回路編集

新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。

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回路編集

新たなガス供給システムと幅広い化学物質の構成、そして集束イオンビーム技術を組み合わせた、高度な回路修正およびナノプロトタイピングソリューションにより、半導体デバイス開発のための比類のない制御と精度が得られます。

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