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Thermo Scientific Meridian Sシステムは、倒立型フォトンエミッション（EMMI）およびレーザー走査型顕微鏡解析のためのシステムです。プローブカードまたはマニピュレータによるデバイスへの静的バイアス印加に対応しています。システムの総所有コストは収益性での重要な要素ですが、Meridian Sシステムにはさまざまなフォトンエミッションオプションや柔軟性に優れたデュアルサイドプロービング機能に加え、LVI/LVPやSDLなどの動的な光学的不良解析機能へのアップグレードパスが用意されています。
Meridian Sシステムは、世界中の不良解析ラボで活躍できるよう設計されており、次の用途に有用です。
- システマティックなプロセス、設計、統合に関係する不良の特定
- ランダムな電気的不良の根本原因の特定
アクティブプローブテクノロジーによる不良解析
アクティブプローブテクノロジーにより、高感度でロックイン対応の低ノイズ静的レーザー印加手法（SLS/OBIRCH）を実現。
フォトンエミッション
ショート個所の特定、過剰リーク領域の検出、アクティブ領域のマッピングなど、さまざまな感度要件をカバーするフォトンエミッションオプション。
操作性
操作性と生産性を考慮して設計されたプロービングセットアップとソフトウェア。
アップグレードと拡張性
アップグレードおよびフル拡張が可能な光学プラットフォーム。
Style Sheet for Products Table Specifications
倒立型光学系 |
複合システム：標準構成はLSM + PEM複合機、オプションでLSM単体機またはPEM単体機を選択可能 |
220 VAC、50 Hz/60 Hz |
標準9×9インチロードボードインターフェース（カスタマイズ可能） |
デュアルサイドマイクロプロービングおよびプローブカード構成が利用可能 |
ステージ再現性：≦2 µm |
不良位置マーキング用レーザーマーカーオプション |
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
Style Sheet for Komodo Tabs
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards