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歩留まりの達成が収益性に大きく影響する中、先端ファウンドリ、垂直統合型デバイスメーカー、ファブレス企業にとって、電気的不良の原因特定をダイシングやパッケージングの後まで待つのはあまりにもコストがかかりすぎます。Thermo Scientific Meridian WS-DPシステムは、生産用テスター、ロードボード、プローブカードを使用することにより、より迅速な不良個所特定を可能にするシステムです。
Meridian WS-DPでは、Meridianシリーズの解析オプションをすべて利用することが可能です:LVx、エミッション、LADA、OBIRCH。
レーザーボルテージイメージング(LVI)は、特定の周波数で動作しているトランジスタの物理的位置を示します。
連続波レーザーボルテージプロービング(CW-LVP)は、波形データを取得します。
Meridianプラットフォームのフォトンエミッション顕微鏡(PEM)は、高感度InGaAsまたはDBXカメラと高NA収差補正光学系との最適な組み合わせがベースになっています。Meridian WS-DPシステムは、裏面解析に適した高分解能シリコン透過像を提供します。低ノイズかつ高感度により高信号雑音比のエミッションデータが得られるため、トランジスタレベルでの迅速な不良検出が可能となります。DBX構成では、VDDが0.5 Vを下回る低電圧デバイスでも最高水準の結果を取得した実績があります。
機械式 | ATE互換性 | 市販ATEテスター&カスタマイズソリューション |
プローブカード/ロードボード |
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プローブピン数 | <100~>10,000ピンのプローブアレイ | |
ウェハーステージバキューム | 20 lbsの真空度でウェハーの安定性を確保 | |
モーションコントロール | ダイステッピング | Sierraソフトウェアに統合 |
プラテンモーション |
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ウェハー/パッケージ品サポート |
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XYZステージ精度 | 1 um | |
XYウェハーステージ精度 | 5 um | |
ダイサイズ互換性 | 広範なソリューションに対応 |
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。