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歩留まりの達成が収益性に大きく影響する中、先端ファウンドリ、垂直統合型デバイスメーカー、ファブレス企業にとって、電気的不良の原因特定をダイシングやパッケージングの後まで待つのはあまりにもコストがかかりすぎます。Thermo Scientific Meridian WS-DPシステムは、生産用テスター、ロードボード、プローブカードを使用することにより、より迅速な不良個所特定を可能にするシステムです。

Meridian WS-DPでは、Meridianシリーズの解析オプションをすべて利用することが可能です:LVx、エミッション、LADA、OBIRCH。

Meridian WS-DPシステムがもたらすメリット:

  • システマティック不良の特定
  • 電気測定スループットの大幅な向上
  • 不良個所特定の成功率向上
  • 物理的解析時間の短縮

特長:

  • InGaAsベースフォトンエミッションカメラ(標準)、あるいは
  • 高感度な広波長域DBXベースのフォトンエミッションカメラ
  • 業界での実績が高い「ポイント&クリック」方式の固浸レンズ(SIL)(特許取得済み)
  • 迅速なダイインデックス
  • 高速ATEインターフェースによる動的不良カバレッジ
  • 静的および動的解析に適したレーザー走査型顕微鏡(LSM)
  • サードパーティ製EDAアプリケーションとの互換性

主な特長

レーザーボルテージイメージング

レーザーボルテージイメージング(LVI)は、特定の周波数で動作しているトランジスタの物理的位置を示します。

CWレーザーボルテージプロービング

連続波レーザーボルテージプロービング(CW-LVP)は、波形データを取得します。

フォトンエミッション顕微鏡

Meridianプラットフォームのフォトンエミッション顕微鏡(PEM)は、高感度InGaAsまたはDBXカメラと高NA収差補正光学系との最適な組み合わせがベースになっています。Meridian WS-DPシステムは、裏面解析に適した高分解能シリコン透過像を提供します。低ノイズかつ高感度により高信号雑音比のエミッションデータが得られるため、トランジスタレベルでの迅速な不良検出が可能となります。DBX構成では、VDDが0.5 Vを下回る低電圧デバイスでも最高水準の結果を取得した実績があります。


仕様

Style Sheet for Products Table Specifications
機械式ATE互換性

市販ATEテスター&カスタマイズソリューション

プローブカード/ロードボード
  • 9.5インチ、12インチ、18インチの丸形プローブカード
  • ダイレクトプローブロードボード
  • 440 mmおよび300 mmのプローブカード
  • 非標準形状の場合、カスタマイズ可能。
プローブピン数

<100~>10,000ピンのプローブアレイ

ウェハーステージバキューム

20 lbsの真空度でウェハーの安定性を確保

モーションコントロールダイステッピング

Sierraソフトウェアに統合

プラテンモーション
  • 回転角:+/- 5度
  • 回転分解能:16 um
ウェハー/パッケージ品サポート
  • 9.5インチ、12インチ、18インチの丸形プローブカード
  • ダイレクトプローブロードボード
  • 440 mmおよび300 mmのプローブカード
  • 非標準形状の場合、カスタマイズ可能。
XYZステージ精度

1 um

XYウェハーステージ精度

5 um

ダイサイズ互換性

広範なソリューションに対応

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リソース

応用例

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半導体のパスファインディングと開発

高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。

半導体故障解析

半導体故障解析

半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。


手法

光学的不良解析

設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。

詳細はこちら ›

光学的不良解析

設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。

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文献および参考資料

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