Search Thermo Fisher Scientific
詳細な不良解析による歩留まりの改善と信頼性の向上が可能です。マージン不良の設計デバッグは、デバイス内の電圧やタイミングの問題によって、より困難となる場合があります。パラメトリック不良の根本原因を解明するには、デバイスを損傷したり不良を消失させたりすることなく、回路レベルとデバイスレベルの両方で不良個所を特定することが必要です。
Thermo Scientific Meridian 4システムは、最先端の低電圧・高密度半導体デバイスの開発者にとって最適なシステムです。パラメトリック不良や設計マージンに起因する不良など、さまざまな不良モードの診断機能と性能の要求に対応します。
先進のSierraユーザー環境と解析ソフトウェアには、高品質かつ高倍率なモザイク画像の構築機能が搭載されています。個別に取得された高倍率画像をシームレスに結合することで、広範囲なデバイス領域をカバーする高分解能画像が形成されます。
フロントエンドでの問題の特定に適したフォトンエミッション顕微鏡
- InGaAsカメラ（標準）あるいは広波長域DBXカメラ（オプション）。高感度を必要とする低電圧デバイスや微弱な発光検出に対応。
- 低ノイズで比類なきS/N比を実現し、トランジスタレベルの不良を迅速に検出。
- DBX構成では0.5 Vdd未満の低電圧デバイスにおいて業界をリードする結果
静的および動的な不良解析に適したレーザー走査型顕微鏡
- 高分解能かつ高コントラストの共焦点レーザー走査システム
- OBIRCH、OBIC、ゼーベック効果イメージング（SEI）などの静的レーザー印加（SLS）アプリケーション
- 最先端デバイスに対する動的テスト条件下での不良個所特定と特性評価
- SDL、レーザーボルテージイメージング（LVI）、レーザーボルテージプロービング（LVP）などの動的解析手法により、パラメトリック不良の位置測定、設計やタイミングのデバッグ、トランジスタ動作周波数のマッピングが可能
- クリティカルなタイミング解析に適したTR-LADAオプション
Style Sheet for Komodo Tabs
半導体のパスファインディングと開発
高性能半導体デバイス製造を可能にするソリューションや設計へ導く高度な電子顕微鏡、集束イオンビーム、および関連する分析手法。
半導体故障解析
半導体デバイスは益々構造が複雑化しているため、欠陥の原因と成り得る箇所が増えています。私たちの次世代ワークフローは、歩留り、性能、信頼性に影響を与える僅かな電気的不良の特定と解析に役立ちます。
光学的不良解析
設計が複雑になるにつれ、半導体製造における不良個所や欠陥個所の特定が、ますます複雑になっています。光学的不良解析技術によりデバイスの電気的動作性能を解析し、デバイスの故障につながる重大な欠陥を特定することができます。
Style Sheet to change H2 style to p with em-h2-header class
Style Sheet for Support and Service footer
Style Sheet for Fonts
Style Sheet for Cards