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走査電子顕微鏡
1930年代に電子顕微鏡が紹介されて以来、走査電子顕微鏡（SEM）は、材料科学から科学捜査、工業製造、さらには生命科学に至るまで、さまざまな研究分野で重要なツールに発展してきました。
試料表面または表面近傍の微細構造が必要な場合は、SEMは最適なツールです。そのためSEMによる解析は科学、技術、産業のほぼすべての分野で活用されています。
フロアモデルのSEMは、柔軟性と多様性に優れ、幅広い研究分野や産業的ニーズに対応します。主な特長としては大型試料や重量級試料のイメージング、数多くのオプション、困難な材料や微細構造の優れたイメージング性能、および動的実験への対応などです。
サーモフィッシャーサイエンティフィックは、お客様固有のニーズに最適な分析用SEMを作ることに専念しています。当社は、使いやすい Thermo Scientific Phenom Desktop SEMから、Thermo Scientific Verios SEMのような比類のない分解能とコントラストを実現できる強力な装置まで、幅広い用途に対応したSEMシステムを提供しています。
フロアモデル走査電子顕微鏡の簡易比較
| 製品 | カラム技術 | ステージ | 低真空 | |
|---|---|---|---|---|
| Axia ChemiSEM | 柔軟性があり、使いやすく、また瞬時に元素定量分析を可能にするSEM-EDS分析装置 | 四局管ブースト熱電子銃 | 120☓120 mm² 5軸電動、ユーセントリック | オプション |
| Prisma E SEM | さまざまなアプリケーションに適した環境制御型SEM | 四局管ブースト熱電子銃 | 110☓110 mm2 5軸電動、ユーセントリック | 標準 |
| Quattro SEM | In situ動的実験用の高分解能環境制御型SEM | 電界放出電子銃（FEG） | 110☓110 mm2 5軸電動、ユーセントリック | 標準 |
| Apreo SEM | 汎用性の高い高性能SEM | レンズ内検出器、FEG | 110☓110 mm2 5軸電動、ユーセントリック | オプション |
| Verios SEM | Thermo Scientific SEMのもっとも高分解能、高精度、高安定なSEMシステム | イマージョンUC FEG | 150☓150 mm2 5軸電動、2軸ピエゾ | 非該当 |
| VolumeScope 2 SEM | 大容量のシリアルブロックフェイスイメージング用の3D SEM | レンズ内検出器、FEG | 110☓110 mm2 5軸電動、ユーセントリック | 標準 |
入門用および環境制御型フロアーモデルの走査電子顕微鏡
当社の汎用性の高いThermo Scientific Axia ChemiSEM、Thermo Scientific Prisma EおよびThermo Scientific Quattro SEMは、できるだけ数多くの種類の試料の解析を行う場合に最適です。Axia ChemiSEMは最大試料サイズに柔軟性をもち、最も直観的で効果的なEDS分析ワークフローを組み合わせました。Axia ChemiSEMは通常の高真空からオプションの低真空まで利用でき、日常の分析や欠陥解析に理想的なプラットフォームになります
Thermo Scientific Prisma EやQuattroは、環境制御SEM（ESEM）によりあらゆる条件下でオールラウンドに性能を発揮し、帯電試料、ガス放出試料、ウェット試料、ホット試料、汚れた資料、またはその他困難な試料の分析を可能にします。それに、優れた安定性と使いやすさ、多くのオプションと汎用性の高い分析用試料室のデザインにより、SEMユーザーの多いラボに最適なツールとなっています。どちらの装置も、オプションのThermo Scientific ChemiSEMテクノロジーを選択できます。これにより、SEMとEDSの複合イメージングを使用して、グレースケールのSEM画像を組成情報に基づいてライブカラー化することができます。
卓上走査電子顕微鏡
Thermo Scientific Phenom卓上SEMシリーズは、革新的な設計とソフトウェアにより、解析速度、簡単操作および性能の大きな改善を提供します。初心者でも数分でSEM画像を取得できます。さらに、最先端のPhenom Pharos SEMは、電界放出電子銃（FEG）も備えており、3 nm未満の分解能を実現します。
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The Quattro SEM is capable of imaging insulating samples without sample coating. On this glass specimen, a high-quality artifact-free image is obtained thanks to the instrument’s low vacuum mode. Horizontal field width ~127 μm. Sample courtesy of Stazione Sperimentale del Vetro, Murano, Venezia.
SEM image of CaCu₃Ti₄O₁₂ (CCTO), a compound with an extraordinarily high dielectric constant. A high-quality SEM image was obtained thanks to the instrument’s low vacuum mode. Sample courtesy of Ensi Caen, CRISMAT laboratory – Guillaume Riquet, Sylvain Marinel, Yohann Breard.
Corroded solder specimen colorized with ChemiSEM Technology. The ability to directly see which materials the sample consists of, as well as their distribution, saves time in a variety of applications, such as failure analysis. Horizontal field width ~64 μm.
The Verios XHR SEM reveals the finest details even on the most beam sensitive samples. This example shows mesoporous SiO₂ imaged at 1 kV.
Self-catalyzed GaAs microwires imaged on Apreo. Sample courtesy of David Fuster at IMM-Instituto de Microelectrónica de Madrid (CNM-CSIC).
文献および参考資料
The Quattro SEM is capable of imaging insulating samples without sample coating. On this glass specimen, a high-quality artifact-free image is obtained thanks to the instrument’s low vacuum mode. Horizontal field width ~127 μm. Sample courtesy of Stazione Sperimentale del Vetro, Murano, Venezia.
SEM image of CaCu₃Ti₄O₁₂ (CCTO), a compound with an extraordinarily high dielectric constant. A high-quality SEM image was obtained thanks to the instrument’s low vacuum mode. Sample courtesy of Ensi Caen, CRISMAT laboratory – Guillaume Riquet, Sylvain Marinel, Yohann Breard.
Corroded solder specimen colorized with ChemiSEM Technology. The ability to directly see which materials the sample consists of, as well as their distribution, saves time in a variety of applications, such as failure analysis. Horizontal field width ~64 μm.
The Verios XHR SEM reveals the finest details even on the most beam sensitive samples. This example shows mesoporous SiO₂ imaged at 1 kV.
Self-catalyzed GaAs microwires imaged on Apreo. Sample courtesy of David Fuster at IMM-Instituto de Microelectrónica de Madrid (CNM-CSIC).
文献および参考資料
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